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摩托羅拉強勢回歸!Edge 40首創全鍊路GaN,實作快充自由

作者:充電頭網

根據市調機構Canalys釋出的2023年第一季度全球智能手機重點市場廠商排名,聯想手機在歐洲、拉美等重點區域、以及全球五大市場之一巴西,均實作逆勢增長,其中歐洲市場占有率近6年來首次挺進前五,一季度出貨量同比增長13%。這些成績主要來自聯想旗下摩托羅拉。

摩托羅拉強勢回歸!Edge 40首創全鍊路GaN,實作快充自由

近期,摩托羅拉釋出了一系列新機,也得到了市場端的良好回報。其中,5月10日釋出的 Edge 40 備受關注。該手機搭載全新的 6 納米工藝聯發科天玑 8020 晶片,不僅擁有出色的性能表現,還能有效降低功耗和發熱。配備了 8GB 的 LPDDR4X 記憶體和256GB的UFS 3.1存儲空間,内置 4400mAh 的電池,能夠滿足使用者對于大記憶體、大存儲以及長續航的需求。同時,在螢幕重新整理率和拍攝功能上也有顯著提升。

摩托羅拉強勢回歸!Edge 40首創全鍊路GaN,實作快充自由

與以往不同的是,Edge 40 不僅标配了 68W 氮化镓快充,還創新性地将氮化镓晶片引入到手機内部電池主機闆。

聯想産品開發部 Allen 表示:

“近期摩托羅拉新機的釋出,在海外市場得到非常不錯的響應。此次 Edge 40 更是創新性的采用氮化镓晶片實作了手機内、外部全鍊路快充,使手機空間使用率大幅提高,峰值發熱降低約85%,成為摩托羅拉手機在充電技術上的一次重大突破!”

據介紹,摩托羅拉Edge 40手機内部采用的英諾賽科 VGaN 雙向導通氮化镓晶片(40V/4.8mΩ),其具備無體二極管、低導通阻抗等特性,到目前為止是全球唯一内置到手機主機闆,并實作終端量産的氮化镓晶片。其原理是利用一顆VGaN 代替傳統手機内部的兩顆背靠背Si MOS,實作了更低導通損耗的手機電池充、放電功能,保證手機在充電過程中更高效,更安全。

摩托羅拉強勢回歸!Edge 40首創全鍊路GaN,實作快充自由

該産品已于2022年被評為第十七屆“中國芯”優秀技術創新産品,并在OPPO,Realme,一加等品牌的多款手機中成功量産。

而在标配充電器方面,Edge 40 的 68W充電器最高輸出功率68.2W,不管在手機還是筆記本都有不錯的相容性。其内部采用的氮化镓器件(定制産品INN650DAL02A)同樣來自英諾賽科。

該晶片封裝為 DFN 5*6,支援超高開關頻率,具備低 Qg,低Co(tr),無反向恢複損耗 Qrr 等特性,為Edge 40 标配的 68W 充電器實作小體積、高效率的設計。據充電頭網測評顯示,摩托羅拉 68W 充電器功率密度達 1.01W/cm³,輕松執于掌心,算得上是手機官配裡的良心制作了。

摩托羅拉強勢回歸!Edge 40首創全鍊路GaN,實作快充自由

Edge 40全鍊路 GaN 快充的釋出成為摩托羅拉手機發展曆程中的一次重要嘗試與突破。創新性在手機内部成功導入 GaN 晶片,實作了更低導通損耗的手機電池充、放電功能,不僅提高充電效率,降低電池損耗,還大大節省了手機内部寶貴的空間。同時推出 68W 氮化镓标配充電器,從外部實作高效充電,緩解續航焦慮,共同為消費者提供全鍊路快充的絕佳體驗。

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