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組長：謝宗恩

組員：陳健民

      曾雨祥

      黃宏志

指導老師：林明璋

日期：2009年4月8日

一、何謂DDR3

DDR3是繼DDR2以及更早的DDR記憶體技術之後的新一代產品，該產品將打破千兆赫速度的局限性，將記憶體速度提升到一個前所未有的水準。

DDR3被JEDEC定義為業界標準技術。JEDEC是美國電子工業協會（EIA）的半導體工業標準實體，共有約300個成員公司。這些代表了業界各領域的公司都積極參與委員會的工作，共同開發滿足業界需求的標準。Kingston 是JEDEC的長期成員，一直積極參與JEDEC理事會及記憶體技術委員會的各項活動。

DDR3記憶體的特點是更快的速度、更高的資料頻寬、更低的工作電壓和功耗，以及更好的散熱性能。DDR3記憶體設計的目的是支援需要更高資料頻寬的下一代四核心處理器，使其性能更出色。

2007年6月，支援基於晶片組的英特爾桌上型電腦的DDR3記憶體產品全面推出；計畫在2008年和2009年間，專門用於筆記型電腦和伺服器的記憶體產品也將先後上市。

目前，Kingston 工程師與英特爾工程師合作，努力確保DDR3桌上型電腦、筆記型電腦、工作站和伺服器記憶體保持最出色的相容性。隨著全新記憶體技術在2008年逐漸佔領主流市場，其他平臺和系統製造商也將紛紛採用DDR3。

第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為 DDR3 SDRAM），是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，提供了相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍資料率同步動態隨機存取記憶體）的後繼者（增加至八倍），也是現時流行的記憶體產品。

記憶體市場大概是動能最快速的 IT 硬體產業之一了。雖然 JEDEC (聯合電子裝置工程協會) 專門負責彙編記憶體速度與設定的標準，而記憶體製造廠商大緻上也遵守 JEDEC 的建議，但要在高度競爭的記憶體市場上打出與維持知名度，隻能靠追求速度的極限來達成，像 Corsair (海盜船) 與 OCZ 就會試圖儘快推出更快更好的產品。當我們看到 DDR3-1333 產品已有像樣的出貨量，以及愈來愈多廠商發表 DDR3-1600 的同時，這兩家宿敵已開始在 DDR3-1800 速度的產品市場上廝殺。

我們樂見在市場供貨僅有數個月的 DDR3 記憶體比前一代 DDR 記憶體技術的進展更快，超越 DDR3-1333 的速度運作記憶體。不過要享受到這種速度，你必須超頻整部系統，因為英特爾的 P35 與 G33 等支援 DDR3 的晶片組，僅提供 DDR3-800、DDR3-1066 與 DDR3-1333 的記憶體設定。可容許更快記憶體速度的其他倍頻，將由即將推出的 PCI Express 2.0 相容晶片組支援－英特爾命名為 X38。在這款產品推出之前，要以提高前側匯流排 (FSB) 來超頻玩家級記憶體到 DDR3-1333 以上，仍是一項挑戰－不過玩家級使用者正躍躍欲試。

支援更多記憶體倍頻的下一代晶片組將有助把 DDR3 導入主流市場，因為使用者隻要設定主機闆某個速度運作記憶體即可，例如 DDR3-1666，這是一般使用者都辦得到的事情。目前的高速 DDR3 記憶體若是以預設速度運作，並無較之舊技術的任何優勢。DDR3 的主要設計目的在於避免主記憶體成為高度超頻環境下的瓶頸，也在於不必降低記憶體速度以維持系統穩定的前提下，增加 FSB 與處理器時脈速度。

二、DDR2和DDR3的差異

3、邏輯Bank數量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，是以起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

4、封裝（Packages）

DDR3由於新增了一些功能，是以在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

5、突發長度（BL，Burst Length）

由於DDR3的預取為8bit，是以突發傳輸週期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可透過A12位址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止，且不予支援，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。

6、尋址時序（Timing）

就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提升。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數──寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。

7、新增功能──重置（Reset）

重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門準備了一個引腳。DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能，如今終於在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset指令有效時，DDR3記憶體將停止所有的操作，並切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3記憶體將關閉內在的大部分功能，是以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程式裝置將複位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。

8、新增功能──ZQ校準

ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳透過一個指令集，透過片上校準引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之後，將用相應的時鐘週期（在加電與初始化之後用512個時鐘週期，在退出自重新整理操作後用256時鐘週期、在其他情況下用64個時鐘週期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

9、DDR3的特色

10、速度優勢

在DDR技術之前，SDR是主要的記憶體技術，在SDR技術之前，還有快速頁面/擴展數據輸出(FP/EDO)記憶體。FP/EDO記憶體的數據傳輸是非同步的，意味著數據/位址/指令訊號沒有提供參考時脈訊號。SDR技術透過提供一個時脈輸入改善了這個問題，這些訊號能以這個時脈訊號為基準，在時脈的上升沿(從低到高的轉變)發送數據。利用與系統時脈同步的DRAM時脈接腳，可獲得比非同步記憶體更高的數據速率。

2000年，市場導入了DDR SDRAM。DDR技術透過在時脈的上升沿和下降沿傳送數據，速度比SDR提高一倍。採用DDR，每個時脈週期可傳送兩個數據位元(每根數據線)，而非SDR的一個位元。這種過程稱為2字元或2n預取。此處的核心時脈週期是指記憶體陣列的週期時間，記憶體陣列的頻率為I/O緩衝器的一半和1/4的數據速率。預取使速度不斷提高，改善了效率並強化性能。

DDR2 SDRAM功能非常類似於DDR SDRAM，但它的一些新特性進一步提升了速度。而DDR3以DDR2為起點，則獲得了更大的技術進展。DDR具有2n預取，DDR2具有4n預取，DDR3具有8n預取。DDR3的內部數據週期時間為外部時脈速度的1/8，內部數據匯流排的寬度為外部數據匯流排寬度的8倍。DDR3在每個核心時脈週期內，每根數據線從記憶體陣列移出8個數據位元到I/O緩衝器中。

其他增強頻寬的特性包括更低的終端電阻(RTT)值以支援更高的數據率。相較之下，DDR2起始值為50Ω，DDR3的起始值為20Ω。

11、技術優勢

DDR3改善了多種技術，包括強調更快的速度和更高的性能。DDR3元件是針對高速訊號所設計，改善的接腳提供了更多的電源和地，以實現更佳的電源性能。而改良的電源分佈和地以及基準訊號，將能提升訊號品質。DDR3 D/Q陣列減少了D/Q失真，使D/Q時序更緊密，而全面佈局的球閘則提升了機械可靠性。

12、 峰值性能提高

因為DDR3的性能是DDR2的兩倍，速度也進一步提高。DDR3的最低速率為每秒800Mb，最大為1,600Mb。當採用64位元匯流排頻寬時，DDR3能達到每秒6,400Mb到12,800Mb。

13、電源電壓

DDR3的電源電壓低至1.5V，與標準的1.8V DDR2相較更低20%。這對低數據速率應用來說非常重要。在行動運算應用中，節省15%到20%的功率相當重要，因為功率是行動應用的重要性能指標。DDR3的低功耗特性對筆記型電腦應用而言，也具有同樣的優勢。

14、融合的驅動器

與DDR2的18Ω驅動器相較，DDR3的34Ω驅動器特別針對每個通道兩個模組以及點對點的系統進行了最佳化。DDR3 SDRAM驅動器還透過降低電容、動態晶片上終端(ODT)以及新的校準方案改善了性能。

為降低輸出驅動器/終端驅動器組合的輸入電容，DDR3實現了一種融合的驅動器。這種驅動器可以支援多種終端值，使用了相同的上拉和下拉驅動器結構組合。事實上，融合驅動器的最重要優勢是它能透過重複使用這些結構來減少電容─這是與DDR2 SDRAM的關鍵區別，後者針對輸出驅動器和終端驅動器電阻分別使用了不同的結構。

15、動態晶片上終端

DDR3的新動態ODT特性具有針對不同負載條件最佳化終端電阻值的靈活性，可改善訊號完整性，它還提供了管理終端功耗的方法。動態ODT使DDR3能無縫地改變針對不同模組發出之‘WRITE’指令之間的終端電阻值，而DDR2並不具備該特性，在同一進制件上，DDR2需要匯流排空閒時間來改變終端電阻值。

16、主重置

主重置是一種新的DDR3特性。主重置功能改善了系統穩定性，它消除了未知的啟動狀態，保證具有確定性的初始化和恢復狀態。這使控制器免除了確保不發出非法指令的負擔。這種新功能在不需要單獨重置每個控制暫存器或切斷每個元件電源的條件下，就能清空DDR3記憶體上的所有狀態資訊。在使元件進入一個確定狀態時，這能同時節省時間及功耗。DDR3重置功能在冷啟動和熱啟動下均可實現。

17、DDR3的實際運用

DDR3最初的目標是運算和繪圖密集型應用，如高階桌上型電腦和工作站，這些應用需要處理大量資訊，以在螢幕上產生栩栩如生的影像。DDR3附加的寫入等待方案還能改善伺服器應用中指令匯流排效率。該市場對DDR3的需求將可能自明年開始成長。要求更低功耗的筆記型電腦，也可望在明年加速對DDR3的需求。而包含網路和數位電視等應用，則可望自2010年起出現對DDR3的需求。

市場研究機構預測，DDR3在2008年將佔30%的DRAM市場，在2009年將取代DDR2。針對此一趨勢，Micron現已推出DDR3樣品，並預備在2008年量產。首先將提供桌上型應用的UDIMM，然後再是針對筆記型電腦應用的SODIMM，在2008年下半年將推出針對伺服器應用的RDIMM。最終將在2009年推出VLP DIMM。

Micron的DDR3產品採用78nm製程技術，符合JEDEC規格。其1GB DDR3元件可提供x4、x8和x16配置。這些元件將支援從512MB到4GB的模組密度以及各種模組類型，包括UDIMM、SODIMM和RDIMM。

18 、實例

奇夢達公司(Qimonda)宣佈針對各大主機闆廠商與超頻記憶體模組製造商提供新型DDR3元件與模組產品。此外，奇夢達新一代的DDR3 DRAM產品，已通過英特爾相關平台認證。

奇夢達目前推出512Mb DDR3 SDRAM元件與512MB與1GB容量的DDR3 unbuffered-DIMM記憶體。這些新元件可支援800MHz、1066MHz、與1333MHz等運作時脈，甚至能超頻到1600MHz以上。

超頻這項熱門技術讓PC系統能獲得更高的效能，以支援3D遊戲等高階應用，其原理是讓微處理器或記憶體的運作時脈超過額定的速率。該調校方法可讓系統效能提升30%。

新款高速DDR3元件與模組可滿足包括各種桌上型電腦、筆記型電腦、工作站等個人系統的所有需求，並能支援處理大量資料的應用，像是影片編輯與高階遊戲

19、設計

DDR3 DRAM採用了一種8位元的預取(prefetch)結構，是以，在同樣的DRAM核心工作頻率下，能達到採用4位元預取結構之DDR2 DRAM的兩倍資料率。與DDR2相較，DDR3技術使系統速度變得更高(資料率可提高到667MHz/1333MHz)、功耗變得更低(DDR3採用1.5V電源而DDR2採用1.8V)，記憶體密度也得以提高。同時，DDR3也改善了晶片的接腳，以便獲得更好的電源和接地參考。此外，DDR3還透過動態晶片上終端和模組化佈局以增強寫入訊號，以便支援更高的讀寫速度。

如今，記憶體廠商正緊盯著兩個他們認為可能加速DDR3 SDRAM需求成長的因素：增加對於記憶體控制器和晶片組的支援，以及降低成本。

目前可支援DDR3的產品都隻是用於高階桌上型PC平台的產品”，Kilbuck說，“但預估在下半年將會出現相關記憶體控制器和晶片組，以支援DDR3進入主流桌上型電腦、筆記型電腦和伺服器。 ”

為了提高系統頻寬並改善系統性能，英特爾(Intel)已經出貨其可支援1,333MHz系統匯流排速度、下一代45nm雙核心/四核心處理器與DDR3記憶體等新技術的P35晶片組。

20、各公司發表產品

美光科技(Micron)、三星半導體(Samsung)、海力士半導體(Hynix)和奇夢達(Qimonda)等公司均為此波需求浪潮準備推出了1Gb DDR3 SDRAM產品，其中有些已經開始量產。美光公司更先行一步地發佈了一款2Gb的DDR3 SDRAM

三星公司採用80nm製程技術以量產其1Gb的DDR3 SDRAM晶片，該產品支援高達1,066和1,333 Mbits/s的速度。該公司也計劃不久將轉移至68nm製程技術。

美光科技正出樣業界首款用於伺服器、桌上型電腦和筆記型電腦應用的2Gb DDR3 SDRAM。利用這種2Gb規格的元件，美光就能製造出用於伺服器的8GB和16GB記憶體模組，以及用於桌上型和筆記型電腦的4GB記憶體模組。

美光公司採用78nm製程生產的2Gb DDR3記憶體可支援高達1,333Mbits/s的速度。在峰值性能時，這種DDR3記憶體能在約1秒的時間內傳送10萬頁的檔案。同時，透過將供電電壓由1.8V降至1.5V，這款2Gb DDR3元件可較DDR2降低20%到30%的記憶體功耗。

儘管DDR3導入PC市場的時程仍然遙遠，但三星(Samsung)、英飛淩(Infineon)、ELPIDA等DRAM廠均宣佈開發出DDR3。目前發佈的規格大都從1,067MHz導入，且供應電壓將從DDR2的1.8V降低至DDR3的1.5V。

在過渡到DDR2過程中，2004年DRAM廠因受限於0.11微米製程不順，使DDR2成本居高不下，及至2005年，0.11微米良率成熟，幾家製程領先的DRAM廠2005年遂在第三季大量轉至DDR2；但在此同時，英特爾(Intel)晶片組缺貨加上主機闆規格尚不能大量支援，導緻PC大廠無法轉向DDR2，造成DDR2嚴重供給過剩，價格狂跌，甚至曾低於DDR價格15%。

DRAMeXchange表示，在DRAM廠投入大量資金成本及研發資源後，新世代商品成為主流後至少必須維持2~3年的主流地位，才能達到投資回收。是以，儘管JEDEC公佈DDR2的速度隻會到800MHz，DRAM廠仍希望DDR2速度規格延伸至1,066MHz，藉此延長DDR2的主流地位。

而從Intel的產品藍圖看，今年下半年將主推全面支援DDR2的945與965系列，而DDR3則是規劃在2007年導入PC市場，但由於DDR2進度嚴重落後，預期至少2007年第二季後支援DDR3的晶片組才會問世。至於AMD方面，由於支援DDR2的CPU AM2推遲到2006年6月，是以支援DDR3的時程恐將更為延後，可能規劃到2008年以後。

圖說：美光、三星、海力士和奇夢達等公司均已開發出1Gb規格的DDR3 SDRAM產品，其中有些已經開始量產。

21、GDDR3與DDR3有差別嗎

GDDR3跟DDR3其實是一樣的東西都是DDR3記憶體，隻是GDDR3是為顯示卡定製專用的記憶體模組而廠商也能能力把DDR3的記憶體用在顯示卡上基本上是沒有差別的！

22、GDDR3將3D繪圖應用性能發揮到極限

記憶體頻寬對快速提升桌上型和筆記型電腦中繪圖系統的3D渲染性能具有關鍵作用。過去5年來，高階繪圖系統中的記憶體頻寬每年增加30%。繪圖記憶體系統頻寬已超越了PC主記憶體。為滿足這些頻寬要求，必須為繪圖記憶體定義專門的I/O標準。而自2005年起，新的GDDR3標準在繪圖市場上取得了突破性進展。

最早的繪圖記憶體與標準的通用DRAM有很大的區別。這些早期的繪圖記憶體透過專用功能支援3D渲染和顯示處理。歷經一代代發展，繪圖記憶體逐漸轉向通用的標準DRAM。邏輯處理功能最終全部轉移到GPU內進行處理，繪圖記憶體則專注於作為DRAM的核心功能。是以，對這種繪圖記憶體的頻寬需求急劇成長。

在1990年代末，通用的標準DRAM已無法滿足繪圖處理器的頻寬需求。記憶體成為系統瓶頸，是以，x32 GDDR記憶體遂應運而生。當時，英飛淩(前西門子半導體公司)推出了雙倍數據速率繪圖RAM，其32Mb DDR-SGRAM大幅提升了速度；而2001年，英飛淩再度推出了128Mbit(4Mx32)的繪圖DDR記憶體。

英飛淩的128Mb GDDR採用BGA封裝，與TSOP或TQFP封裝相較，BGA封裝具有尺寸優勢，它在繪圖卡上所需空間僅有TQFP封裝的一半，是以相當適合筆記型繪圖系統。BGA封裝的第二大優勢是能顯著減少所有訊號與位址線上的電氣寄生效應。電氣寄生效應的降低是提高數據速率的必要條件。

隨著128Mb GDDR的推出，GDDR標準也宣告結束，因為GDDR標準無法滿足日益提高的頻寬要求。繪圖產業需要一個更先進、為更高數據速率最佳化的新標準。而GDDR3則是替代GDDR的全新標準。

23、GDDR3標準

GDDR3標準借鑒了通用DDR2的多種特性，並進一步最佳化以獲得更高的數據速率和更低的功耗。與GDDR相較，GDDR3的主要創新表現為：工作電壓從2.5V下降到1.8V；內部訊號端接取代了GDDR中未端接的訊號線；動態控制阻抗的輸出驅動器；4位元預取和單向單端數據閘控。這些特性實現了更高的數據速率、更好的訊號完整性和更低的功耗，是以GDDR3記憶體可獲得比GDDR和DDR2標準高得多的數據速率。

內部訊號端接：隨著傳輸頻率的上升，訊號線必須用電阻端接，以防止反射訊號幹擾正常訊號而影響訊號品質。GDDR端接是透過外部電阻實現的，該電阻焊接在靠近記憶體的PCB上。外部端接可以略微擴展GDDR的頻率範圍，但該類端接方案不能滿足提升到高達800MHz甚至更高頻率範圍的GDDR3所需的訊號完整性。是以GDDR3使用內部訊號端接，其端接電阻整合在記憶體晶片內部。

支援可靠高速的點對點傳輸的另外一個重要功能特性是具有自適應阻抗的Vddq端接。GDDR3的I/O介面是一個匯流排兩端都被端接的偽開漏邏輯電路：一端是40歐姆阻抗的動態控制驅動器，另外一端是具有60歐姆訊號線端接的接收器。

在互動式3D遊戲中，繪圖運算可分成幾個順序執行的基本步驟。在第一個步驟中，根據遊戲者所下的指令結果運算產生3D場景。3D場景代表虛擬3D世界中所有物體的排列和位置資訊。這部份運算是由PC中的CPU完成的。然後CPU將3D場景傳遞給GPU。GPU的任務是將3D場景轉換成顯示器可以顯示的2D影像。GPU執行的這個任務被稱為3D渲染。

在產生實際影像時必須考慮很多效果，如顏色、紋理、多個擴展光源、陰影、反射、透明、光線吸收、不透明材料等。要實現這些效果就要求強大的運算能力以及寬的記憶體介面，以便在最短等待時間內完成對記憶體的隨機存取。所有這些運算必須即時完成，其每秒運算能力必須超過40個訊框。

24、整合與獨立型繪圖設備

一般來說，繪圖系統可以分成兩大類，即整合繪圖系統和獨立繪圖系統。在整合繪圖系統中，繪圖處理單元嵌入在位於筆記型和桌上型電腦主機闆上的PC晶片組內。對於紋理儲存和緩衝記憶體，這些整合系統使用PC的主記憶體。這一做法從兩方面限制了3D繪圖渲染性能。首先，最大記憶體頻寬受限於標準主記憶體頻寬，其次，繪圖系統必須與CPU以及PC上同時存取記憶體的其它客戶程式共享這個頻寬。

獨立繪圖系統由實際上分開且獨立工作的繪圖處理單元，以及與獨立GPU直接相連的專用繪圖記憶體組成。獨立繪圖系統透過標準的PCI-E(以前是AGP)匯流排與PC晶片組連接。這些獨立GPU的3D處理性能目前已遠超過整合繪圖處理器性能，對記憶體頻寬的要求也是如此。基準測試顯示，獨立繪圖系統的性能超過整合系統3到20倍。記憶體I/O技術和記憶體頻寬在實現這個性能飛躍中具有關鍵作用。

高階繪圖卡使用專門的x32結構繪圖記憶體。如今這些系統採用500到800MHz時脈頻率的GDDR3記憶體，組成高達512MB的訊框緩衝記憶體。這些配置向GPU提供的記憶體頻寬高達410Gbps，相當於目前最先進的PC主記憶體頻寬的12倍。最新的高階筆記型電腦繪圖系統採用500MHz GDDR3記憶體組成256MB訊框緩衝記憶體，向GPU提供的記憶體頻寬仍可達到這些筆記型電腦中主記憶體頻寬的5倍。

主流繪圖系統通常採用x16結構的記憶體元件。大多數新的主流繪圖系統採用時脈頻率約400MHz的DDR2 I/O技術。這些系統的性能仍明顯高於整合繪圖系統。

25、整合與獨立型繪圖系統前景

據Mercury Research公司調查，PC中獨立繪圖系統的市場佔有率在過去幾年中約為40%~45%。像Windows Vista這類3D作業系統可能會提高對普通PC的3D渲染性能需求，是以可能會影響獨立繪圖系統的市場佔有率。

Mercury也預測，2005年的獨立繪圖系統市場有1.5億套，而整合繪圖系統有1.6億套。其中2,200萬套獨立繪圖系統銷售給筆記型電腦，8,300萬套獨立繪圖系統銷售給桌上型電腦。

今後對不斷增加的記憶體頻寬的要求仍將繼續。提高影像品質的新技術推動了頻寬的增加。即將來臨的高解析度顯示將進一步提升解析度和每訊框被渲染和顯示的畫素數量。像可渲染每個密集光源之光暈效應的高動態範圍渲染(HDRR)等新興渲染技術，正不斷提高對每畫素執行運算的複雜度。

除了PC繪圖系統外，繪圖DRAM還存在著其它一些既有和即將出現的市場。新一代主要遊戲機都將使用GDDR3繪圖記憶體。家庭內使用的媒體中心和媒體網路閘道也將包含強大的繪圖性能，是以也需要繪圖記憶體。像Windows Vista這種新3D作業系統將把3D渲染性能的需求擴展到幾乎每台新的PC中。

參考資料

1.       http://tw.knowledge.yahoo.com/question/question?qid=1306031613813(DDR3是什麼?-Yahoo!奇摩知識+)

2.       http://www.kingston.com/taiwan/newtech/ddr3/ddr3_overview.asp (Kingston Technology Company  DDR3記憶體概述)

3.       http://www.twcarpc.com/drupal/?q=node/50 (DDR3最高速規格之記憶體-CORSAIR TWIN3X2048-1800C7DF測試)

4.       http://www.oc.com.tw/article/0705/readgoodarticle.asp?id=5896#01 (Memory改朝換代！DDR3-1066天價先發 專題報導)

5.       http://www.eettaiwan.com/ARTP_8800433047_622964.HTM (電子工程專輯)

討論

　總結來看DDR3的出現，可以說又為所有的使用者開闢了更高階的平台架構與頻率的提升方式，但是以現階段剛起步的情況下，想要透過Intel新推出主機闆平台架構就要讓DDR3迅速普及還有一段不短的路要走，如同前面小編提到過的，DDR3的普及除了更多支援DDR3平台的產品出現外，價格也是一個相當重要的因素，假使價格一直居高不下、那要想普及基本上難度就相當高，再者，廠商是否可以順利的轉入製程與提升DDR3的生產良率以穩定DDR3的供貨？目前還無法有100%的明確答案，不過無論如何，現階段可以看到DDR3-1066的出現已經是個相當不錯的消息了，由Team率先為大家引爆DDR3的記憶體規格風潮，想要嗎？主機闆買的到、但是記憶體可就比較難囉...這可不是到處都有在賣的東西啊！

取自"http://dns.pmsh.tnc.edu.tw/~wiki/97105/index.php/DDR3"