AVR單片機學習--mega48_88_168熔絲位含義簡述

熔絲位簡要說明

熔絲位	功能	配置說明
熔絲低位	CKDIV8	時鐘8分頻	0：時鐘8分頻
1：時鐘不分頻
CKOUT	時鐘輸出	0：系統時鐘輸出（PB0）
1：不輸出
SUT1	選擇啟動時間	根據時鐘源選擇的不同會有不同的設定，詳見下文。
SUT0
CKSEL3	選擇時鐘源	1111-1000：低功率晶振
0111-0110：滿振幅晶振
CKSEL2	0101-0100：低頻晶振
CKSEL1	0011：内部128K RC振蕩器
CKSEL0	0010：校準的内部RC振蕩器
0000：外部時鐘
熔絲高位	RSTDISBL	外部複用禁止	0：PC6為普通引腳
1：PC6為複位引腳
DWEN	調試線使能	0：使能片上調試系統
1：部使能片上調試系統
SPIEN	使能串行程式和資料下載下傳	0：SPI程式設計使能
1：SPI程式設計未使能
WDTON	看門狗時間一直啟用	0：看門狗時間一直啟用
1：看門狗時間通過軟體設定
EESAVE	執行晶片擦除時EEPROM内容保留	0：晶片擦除時EEPROM不受影響
1：晶片擦除時EEPROM清除
BODLEVEL2	BOD觸發電平	111：BOD禁用
110：Min=1.7,Typ=1.8,Max=2.0  (V)
BODLEVEL1	101：Min=2.5,Typ=2.7,Max=2.9  (V)
BODLEVEL0	100：Min=4.1,Typ=4.3,Max=4.5  (V)
mega88/168熔絲擴充位	BOOTSZ1	選擇boot區大小	00：:1024字
01:512字
BOOTSZ0	10:256字
00：128字
BOOTRST	選擇複位向量	0：Boot區複位位址
1：0x000
加密位	BLB12	Boot鎖定位	11：SPM和LPM通路沒有限制
BLB11	10：禁止SPM指令
BLB02	01：禁止LPM指令
BLB01	11：SPM和LPM全禁止
LB2	鎖定位	11：記憶體鎖定不使能
LB1	10、00：Flash和EEPROM程式設計禁止

一、熔絲低位

低熔絲位	位号	描述	預設值
CKDIV8	7	時鐘8分頻
CKOUT	6	時鐘輸出	1
SUT1	5	選擇啟動時間	1
SUT0	4
CKSEL3	3	選擇時鐘源
CKSEL2	2
CKSEL1	1	1
CKSEL0

1、第七位CKDIV8：決定CLKPS的初始值，CKDIV8為1，CLKPS将設定為0000（分頻因子1）；CKDIV8為0，CLKPS将設定為0011（分頻因子8）。所選的時鐘源超出所允許的最大頻率，一定要程式設計這個熔絲位。CKDIV8設定了也可以更改CLKPS，若所選時鐘源超出所允許的最大頻率，通過程式配置必須選擇合适的分頻因子。

2、第六位CKOUT：CKOUT為0，系統時鐘可以從CLKO引腳輸出。這個模式用于晶片時鐘驅動其他系統。晶片複位狀态下時鐘也會輸出，CKOUT為0，I/O口（PB0）的正常操作被切換為時鐘輸出。當CLKO作為時鐘輸出時，系統時鐘可以為包括RC振蕩器在内的所有時鐘源。如果系統時鐘預分頻，輸出的是被分頻後的系統時鐘頻率。

3、低六位一塊寫，SUT1..0：選擇啟動時間，CKSEL3..0：選擇時鐘源

時鐘源選擇

器件時鐘選擇	CKSEL3..0
低功率晶振	1111 - 1000
滿振幅晶振	0111 - 0110
低頻晶振	0101 - 0100
内部128K RC振蕩器	0011
校準的内部RC振蕩器	0010
外部時鐘	0000
保留	0001

1. 低功率晶振工作模式                     （後邊好多表格，直接抄過來，沒有帶截圖）

頻率範圍（MHz）	電容C1、C2推薦範圍（pF）	CKSEL3..1
0.4 - 0.9	--	100
0.9 - 3.0	12 - 22	101
3.0 - 8.0	12 - 22	110
8.0 - 16.0	12 - 22	111

低頻率晶振時鐘選項對應的啟動時間

振蕩源/電源狀态	掉電和節電模式下的啟動時間	複位時的額外延時（VCC=5.0V）	CKSEL0	SUT1..0
陶瓷諧振器，電源快速上升	258CK	14CK + 4.1ms	00
陶瓷諧振器，電源緩慢上升	258CK	14CK + 65ms	01
陶瓷諧振器，BOD使能	1KCK	14CK	10
陶瓷諧振器，電源快速上升	1KCK	14CK + 4.1ms	11
陶瓷諧振器，電源緩慢上升	1KCK	14CK + 65ms	1	00
石英振蕩器，BOD使能	16KCK	14CK	1	01
石英振蕩器，電源快速上升	16KCK	14CK + 4.1ms	1	10
石英振蕩器，電源緩慢上升	16KCK	14Ck + 65ms	1	11

1. 滿振幅晶振工作模式

頻率範圍（MHz）	電容C1、C2推薦範圍（pF）	CKSEL3..1
0.4 - 20	12 - 22	011

滿振幅晶振時鐘選項對應的啟動時間

振蕩源/電源狀态	掉電和節電模式下的啟動時間	複位時的額外延時（VCC=5.0V）	CKSEL0	SUT1..0
陶瓷諧振器，電源快速上升	258CK	14CK + 4.1ms	00
陶瓷諧振器，電源緩慢上升	258CK	14CK + 65ms	01
陶瓷諧振器，BOD使能	1KCK	14CK	10
陶瓷諧振器，電源快速上升	1KCK	14CK + 4.1ms	11
陶瓷諧振器，電源緩慢上升	1KCK	14CK + 65ms	1	00
石英振蕩器，BOD使能	16KCK	14CK	1	01
石英振蕩器，電源快速上升	16KCK	14CK + 4.1ms	1	10
石英振蕩器，電源緩慢上升	16KCK	14Ck + 65ms	1	11

1. 低頻晶振：可以使用外部32.768kHz表用振蕩器作為低頻時鐘源。

低頻晶振時鐘選項對應的啟動時間

電源狀态	掉電和節電模式下的啟動時間	複位時的額外延時（VCC=5.0V）	CKSEL0	SUT1..0
BOD使能	1KCK	14CK	00
電源快速上升	1KCK	14CK + 4.1ms	01
電源緩慢上升	1KCK	14CK + 65ms	10
保留	11
BOD使能	32KCK	14CK	1	00
電源快速上升	32KCK	14CK + 4.1ms	1	01
電源緩慢上升	32KCK	14CK + 65ms	1	10
保留	1	11

1. 校準的内部RC振蕩器工作模式

頻率範圍（MHz）	CKSEL3..0
7.3 - 8.1	0010

校準的内部RC振蕩器對應的啟動時間

電源狀态	掉電和節電模式下的啟動時間	複位時的額外延時（VCC=5.0V）	SUT1..0
BOD使能	6CK	14CK	00
電源快速上升	6CK	14CK + 4.1ms	01
電源緩慢上升	6CK	14CK + 65ms	10
保留	11

5）128kHz内部振蕩器工作模式

頻率範圍	CKSEL3..0
128kHz	0011

128kHz内部振蕩器對應的啟動時間

電源狀态	掉電和節電模式下的啟動時間	複位時的額外延時（VCC=5.0V）	SUT1..0
BOD使能	6CK	14CK	00
電源快速上升	6CK	14CK + 4.1ms	01
電源緩慢上升	6CK	14CK + 65ms	10
保留	11

6）石英振蕩器時鐘頻率

頻率範圍	CKSEL3..0
0 - 20MHz	0000

外部時鐘對應的啟動時間

電源狀态	掉電和節電模式下的啟動時間	複位時的額外延時（VCC=5.0V）	SUT1..0
BOD使能	6CK	14CK	00
電源快速上升	6CK	14CK + 4.1ms	01
電源緩慢上升	6CK	14CK + 65ms	10
保留	11

二、熔絲高位

高熔絲位	位号	描述	預設值
RSTDISBL	7	外部複位禁用	1
DWEN	6	調試線使能	1
SPIEN	5	使能串行程式和資料下載下傳	0（SPI程式設計使能）
WDTON	4	看門狗時間一直啟用	1）
EESAVE	3	執行晶片擦除時EEPROM内容保留	1，EEPROM内容不保留
BODLEVEL2	2	BOD觸發電平	1
BODLEVEL1	1	1
BODLEVEL0	1

1. 第七位RSTDISBL：設定PC6引腳的功能，RSTDISBL為0時，該引腳作為普通的I/O引腳，晶片内部的上電複位和欠壓複位作為系統的複位源。RSTDISBL為1時，複位電路将連接配接到該引腳，該引腳不能作為I/O使用。

1. 第六位DWEN：如果通過熔絲位DWEN使能了片上調試系統，晶片進入休眠狀态時，主時鐘保持運作，是以總是消耗功率。在深度休眠模式，這個功耗将會在整個功耗中占很大比重。

當debugWIRE使能DWEN熔絲位為0并且鎖定位為1，目标裝置中的debugWIRE系統被激活。RESET端口引腳配置為上拉使能的線與（開漏）雙向I/O，成為目标與仿真器間的聯系通路。

一個程式DWEN使能使一些時鐘系統在所有休眠模式下都運作。這将增加器件在休眠時的功耗。是以在不使用debugWIRE時，DWEN熔絲位應該禁用（為1）。

3、第五位SPIEN：設定為0時，SPI使能。

在串行程式設計模式下SPIEN熔絲位不可通路。

4、第四位WDTON：如果WDTON為0，看門狗一直開啟，将迫使看門狗定時器進入系統複位模式。該熔絲位為0使系統複位模式位（WDE）和中斷模式位（WDIE）分别鎖定為1和0。為了進一步確定程式安全性，對看門狗設定的更改必須遵循定時順序。清除WDE和更改逾時配置的順序如下：

1. 在同一個指令内對WDCE和WDE寫"1“。雖然WDE總是為置位狀态，也必須寫"1“以啟動時序。
2. 在接下來的4個時鐘周期中必須在同一指令内對WDCE位寫”0”和為WDE和WDP寫合适的資料。

看門狗定時器配置

WDTON	WDE	WDIE	狀态	逾時動作
1	停止	無
1	1	中斷模式	中斷
1	1	系統複位模式	複位
1	1	1	中斷和系統複位模式	中斷，然後進入系統複位模式
x	x	系統複位模式	複位

1. 第三位EESAVE：如果EESAVE 熔絲位為0，那麼在晶片擦除時EEPRPOM 不受影響。

當向EEPROM寫資料0xFF時可以跳過（高效程式設計），EESAVE熔絲位為0狀态下不能跳過。

1. 低三位BODLEVEL2..0：BOD觸發電平

VBOT 可能低于某些器件的最小标稱工作電壓。對于有這種情形的器件，在産品測試時将做VCC = VBOT 的實驗。這保證了在晶片工作電壓VCC 降至微處理器已經無法正常工作之前，發生掉電複位。ATmega48V/88V/168V用BODLEVEL = 110與BODLEVEL = 101做檢測， ATmega48/88/168用BODLEVEL = 101與BODLEVEL = 100做檢測。

三、mega88/168的熔絲位擴充位

熔絲位擴充位	位号	描述	預設值
--	7	--	1
--	6	--	1
--	5	--	1
--	4	--	1
--	3	--	1
BOOTSZ1	2	選擇boot區大小
BOOTSZ0	1	選擇boot區大小
BOOTRST	選擇複位向量	1

1. 第二位、第一位：BOOTSZ1  BOOTSZ0 選擇boot區大小

BOOTSZ1	BOOTSZ0	Boot區大小	頁數	應用Flash區	Boot Loader Flash區	應用區結束位址	Boot複位位址（Boot Loader起始位址）
1	1	128字	4	0x000 - 0xF7F	0xF80 - 0xFFF	0xF7F	0xF80
1	256字	8	0x000 - 0xEFF	0xF00 - 0xFFF	0xEFF	0xF00
1	512字	16	0x000 - 0xDFF	0xE00 - 0xFFF	0xDFF	0xE00
1024字	32	0x000 - 0xBFF	0xC00 - 0xFFF	0xBFF	0xC00

1. 第零位BOOTRST：決定複位向量

在ATmega88 與ATmega168 中，複位向量由BOOTRST 熔絲位決定，中斷向量的起始位址由MCUCR 寄存器的IVSEL決定。

ATmega88複位和中斷向量位置的确定

BOOTRST	IVSEL	複位位址	中斷起始位址
1	0x000	0x001
1	1	0x000	Boot區複位位址 + 0x001
Boot區複位位址	0x001
1	Boot區複位位址	Boot區複位位址 + 0x001

四、加密位

加密位	位号	描述	預設值
--	7	--	1
--	6	--	1
BLB12	5	Boot鎖定位	1
BLB11	4	Boot鎖定位	1
BLB02	3	Boot鎖定位	1
BLB01	2	Boot鎖定位	1
LB2	1	鎖定位	1
LB1	鎖定位	1

鎖定位保護模式

記憶體鎖定位	保護類型
LB模式	LB2	LB1
1	1	1	沒有記憶體鎖定特征使能
2	1	在并行和串行程式設計模式中Flash和EEPROM的進一步程式設計被禁止，熔絲位被鎖定。
3	在并行和串行程式設計模式中Flash和EEPROM的進一步程式設計及驗證被禁止，鎖定位和熔絲位被鎖定。

ATmega88/168的鎖定位保護模式

BLB0模式	BLB02	BLB01
1	1	1	SPM和LPM對應用區的通路沒有限制
2	1	不允許SPM對應用區進行寫操作
3	不允許SPM對應用區進行寫操作，也不允許運作于boot loader區的LPM從應用區讀取資料。若中斷向量位于boot loader區，那麼執行應用區代碼時中斷是禁止的。
4	1	不允許運作于boot loader區的LPM指令從應用區讀取資料。若中斷向量位于boot loader區，那麼執行應用區代碼時中斷是禁止的。
BLB1模式	BLB12	BLB11
1	1	1	SPM和LPM對boot loader區的通路沒有限制
2	1	不允許SPM對boot loader區進行寫操作
3	不允許SPM對boot loader區進行寫操作，也不允許運作于應用區的LPM指令從boot loader區讀取資料。若中斷向量位于應用區，那麼執行boot loader區代碼時中斷是禁止的。
4	1	不允許運作于應用區的LPM 指令從boot loader區讀取資料。若中斷向量位于應用區，那麼執行boot loader區代碼時中斷是禁止的。