AVR单片机学习--mega48_88_168熔丝位含义简述

熔丝位简要说明

熔丝位	功能	配置说明
熔丝低位	CKDIV8	时钟8分频	0：时钟8分频
1：时钟不分频
CKOUT	时钟输出	0：系统时钟输出（PB0）
1：不输出
SUT1	选择启动时间	根据时钟源选择的不同会有不同的设置，详见下文。
SUT0
CKSEL3	选择时钟源	1111-1000：低功率晶振
0111-0110：满振幅晶振
CKSEL2	0101-0100：低频晶振
CKSEL1	0011：内部128K RC振荡器
CKSEL0	0010：校准的内部RC振荡器
0000：外部时钟
熔丝高位	RSTDISBL	外部复用禁止	0：PC6为普通引脚
1：PC6为复位引脚
DWEN	调试线使能	0：使能片上调试系统
1：部使能片上调试系统
SPIEN	使能串行程序和数据下载	0：SPI编程使能
1：SPI编程未使能
WDTON	看门狗时间一直启用	0：看门狗时间一直启用
1：看门狗时间通过软件设置
EESAVE	执行芯片擦除时EEPROM内容保留	0：芯片擦除时EEPROM不受影响
1：芯片擦除时EEPROM清除
BODLEVEL2	BOD触发电平	111：BOD禁用
110：Min=1.7,Typ=1.8,Max=2.0  (V)
BODLEVEL1	101：Min=2.5,Typ=2.7,Max=2.9  (V)
BODLEVEL0	100：Min=4.1,Typ=4.3,Max=4.5  (V)
mega88/168熔丝扩展位	BOOTSZ1	选择boot区大小	00：:1024字
01:512字
BOOTSZ0	10:256字
00：128字
BOOTRST	选择复位向量	0：Boot区复位地址
1：0x000
加密位	BLB12	Boot锁定位	11：SPM和LPM访问没有限制
BLB11	10：禁止SPM指令
BLB02	01：禁止LPM指令
BLB01	11：SPM和LPM全禁止
LB2	锁定位	11：内存锁定不使能
LB1	10、00：Flash和EEPROM编程禁止

一、熔丝低位

低熔丝位	位号	描述	默认值
CKDIV8	7	时钟8分频
CKOUT	6	时钟输出	1
SUT1	5	选择启动时间	1
SUT0	4
CKSEL3	3	选择时钟源
CKSEL2	2
CKSEL1	1	1
CKSEL0

1、第七位CKDIV8：决定CLKPS的初始值，CKDIV8为1，CLKPS将设置为0000（分频因子1）；CKDIV8为0，CLKPS将设置为0011（分频因子8）。所选的时钟源超出所允许的最大频率，一定要编程这个熔丝位。CKDIV8设置了也可以更改CLKPS，若所选时钟源超出所允许的最大频率，通过程序配置必须选择合适的分频因子。

2、第六位CKOUT：CKOUT为0，系统时钟可以从CLKO引脚输出。这个模式用于芯片时钟驱动其他系统。芯片复位状态下时钟也会输出，CKOUT为0，I/O口（PB0）的正常操作被切换为时钟输出。当CLKO作为时钟输出时，系统时钟可以为包括RC振荡器在内的所有时钟源。如果系统时钟预分频，输出的是被分频后的系统时钟频率。

3、低六位一块写，SUT1..0：选择启动时间，CKSEL3..0：选择时钟源

时钟源选择

器件时钟选择	CKSEL3..0
低功率晶振	1111 - 1000
满振幅晶振	0111 - 0110
低频晶振	0101 - 0100
内部128K RC振荡器	0011
校准的内部RC振荡器	0010
外部时钟	0000
保留	0001

1. 低功率晶振工作模式                     （后边好多表格，直接抄过来，没有带截图）

频率范围（MHz）	电容C1、C2推荐范围（pF）	CKSEL3..1
0.4 - 0.9	--	100
0.9 - 3.0	12 - 22	101
3.0 - 8.0	12 - 22	110
8.0 - 16.0	12 - 22	111

低频率晶振时钟选项对应的启动时间

振荡源/电源状态	掉电和节电模式下的启动时间	复位时的额外延时（VCC=5.0V）	CKSEL0	SUT1..0
陶瓷谐振器，电源快速上升	258CK	14CK + 4.1ms	00
陶瓷谐振器，电源缓慢上升	258CK	14CK + 65ms	01
陶瓷谐振器，BOD使能	1KCK	14CK	10
陶瓷谐振器，电源快速上升	1KCK	14CK + 4.1ms	11
陶瓷谐振器，电源缓慢上升	1KCK	14CK + 65ms	1	00
石英振荡器，BOD使能	16KCK	14CK	1	01
石英振荡器，电源快速上升	16KCK	14CK + 4.1ms	1	10
石英振荡器，电源缓慢上升	16KCK	14Ck + 65ms	1	11

1. 满振幅晶振工作模式

频率范围（MHz）	电容C1、C2推荐范围（pF）	CKSEL3..1
0.4 - 20	12 - 22	011

满振幅晶振时钟选项对应的启动时间

振荡源/电源状态	掉电和节电模式下的启动时间	复位时的额外延时（VCC=5.0V）	CKSEL0	SUT1..0
陶瓷谐振器，电源快速上升	258CK	14CK + 4.1ms	00
陶瓷谐振器，电源缓慢上升	258CK	14CK + 65ms	01
陶瓷谐振器，BOD使能	1KCK	14CK	10
陶瓷谐振器，电源快速上升	1KCK	14CK + 4.1ms	11
陶瓷谐振器，电源缓慢上升	1KCK	14CK + 65ms	1	00
石英振荡器，BOD使能	16KCK	14CK	1	01
石英振荡器，电源快速上升	16KCK	14CK + 4.1ms	1	10
石英振荡器，电源缓慢上升	16KCK	14Ck + 65ms	1	11

1. 低频晶振：可以使用外部32.768kHz表用振荡器作为低频时钟源。

低频晶振时钟选项对应的启动时间

电源状态	掉电和节电模式下的启动时间	复位时的额外延时（VCC=5.0V）	CKSEL0	SUT1..0
BOD使能	1KCK	14CK	00
电源快速上升	1KCK	14CK + 4.1ms	01
电源缓慢上升	1KCK	14CK + 65ms	10
保留	11
BOD使能	32KCK	14CK	1	00
电源快速上升	32KCK	14CK + 4.1ms	1	01
电源缓慢上升	32KCK	14CK + 65ms	1	10
保留	1	11

1. 校准的内部RC振荡器工作模式

频率范围（MHz）	CKSEL3..0
7.3 - 8.1	0010

校准的内部RC振荡器对应的启动时间

电源状态	掉电和节电模式下的启动时间	复位时的额外延时（VCC=5.0V）	SUT1..0
BOD使能	6CK	14CK	00
电源快速上升	6CK	14CK + 4.1ms	01
电源缓慢上升	6CK	14CK + 65ms	10
保留	11

5）128kHz内部振荡器工作模式

频率范围	CKSEL3..0
128kHz	0011

128kHz内部振荡器对应的启动时间

电源状态	掉电和节电模式下的启动时间	复位时的额外延时（VCC=5.0V）	SUT1..0
BOD使能	6CK	14CK	00
电源快速上升	6CK	14CK + 4.1ms	01
电源缓慢上升	6CK	14CK + 65ms	10
保留	11

6）石英振荡器时钟频率

频率范围	CKSEL3..0
0 - 20MHz	0000

外部时钟对应的启动时间

电源状态	掉电和节电模式下的启动时间	复位时的额外延时（VCC=5.0V）	SUT1..0
BOD使能	6CK	14CK	00
电源快速上升	6CK	14CK + 4.1ms	01
电源缓慢上升	6CK	14CK + 65ms	10
保留	11

二、熔丝高位

高熔丝位	位号	描述	默认值
RSTDISBL	7	外部复位禁用	1
DWEN	6	调试线使能	1
SPIEN	5	使能串行程序和数据下载	0（SPI编程使能）
WDTON	4	看门狗时间一直启用	1）
EESAVE	3	执行芯片擦除时EEPROM内容保留	1，EEPROM内容不保留
BODLEVEL2	2	BOD触发电平	1
BODLEVEL1	1	1
BODLEVEL0	1

1. 第七位RSTDISBL：设置PC6引脚的功能，RSTDISBL为0时，该引脚作为普通的I/O引脚，芯片内部的上电复位和欠压复位作为系统的复位源。RSTDISBL为1时，复位电路将连接到该引脚，该引脚不能作为I/O使用。

1. 第六位DWEN：如果通过熔丝位DWEN使能了片上调试系统，芯片进入休眠状态时，主时钟保持运行，因此总是消耗功率。在深度休眠模式，这个功耗将会在整个功耗中占很大比重。

当debugWIRE使能DWEN熔丝位为0并且锁定位为1，目标设备中的debugWIRE系统被激活。RESET端口引脚配置为上拉使能的线与（开漏）双向I/O，成为目标与仿真器间的联系通路。

一个程序DWEN使能使一些时钟系统在所有休眠模式下都运行。这将增加器件在休眠时的功耗。所以在不使用debugWIRE时，DWEN熔丝位应该禁用（为1）。

3、第五位SPIEN：设置为0时，SPI使能。

在串行编程模式下SPIEN熔丝位不可访问。

4、第四位WDTON：如果WDTON为0，看门狗一直开启，将迫使看门狗定时器进入系统复位模式。该熔丝位为0使系统复位模式位（WDE）和中断模式位（WDIE）分别锁定为1和0。为了进一步确保程序安全性，对看门狗设置的更改必须遵循定时顺序。清除WDE和更改超时配置的顺序如下：

1. 在同一个指令内对WDCE和WDE写"1“。虽然WDE总是为置位状态，也必须写"1“以启动时序。
2. 在接下来的4个时钟周期中必须在同一指令内对WDCE位写”0”和为WDE和WDP写合适的数据。

看门狗定时器配置

WDTON	WDE	WDIE	状态	超时动作
1	停止	无
1	1	中断模式	中断
1	1	系统复位模式	复位
1	1	1	中断和系统复位模式	中断，然后进入系统复位模式
x	x	系统复位模式	复位

1. 第三位EESAVE：如果EESAVE 熔丝位为0，那么在芯片擦除时EEPRPOM 不受影响。

当向EEPROM写数据0xFF时可以跳过（高效编程），EESAVE熔丝位为0状态下不能跳过。

1. 低三位BODLEVEL2..0：BOD触发电平

VBOT 可能低于某些器件的最小标称工作电压。对于有这种情形的器件，在产品测试时将做VCC = VBOT 的实验。这保证了在芯片工作电压VCC 降至微处理器已经无法正常工作之前，发生掉电复位。ATmega48V/88V/168V用BODLEVEL = 110与BODLEVEL = 101做检测， ATmega48/88/168用BODLEVEL = 101与BODLEVEL = 100做检测。

三、mega88/168的熔丝位扩展位

熔丝位扩展位	位号	描述	默认值
--	7	--	1
--	6	--	1
--	5	--	1
--	4	--	1
--	3	--	1
BOOTSZ1	2	选择boot区大小
BOOTSZ0	1	选择boot区大小
BOOTRST	选择复位向量	1

1. 第二位、第一位：BOOTSZ1  BOOTSZ0 选择boot区大小

BOOTSZ1	BOOTSZ0	Boot区大小	页数	应用Flash区	Boot Loader Flash区	应用区结束地址	Boot复位地址（Boot Loader起始地址）
1	1	128字	4	0x000 - 0xF7F	0xF80 - 0xFFF	0xF7F	0xF80
1	256字	8	0x000 - 0xEFF	0xF00 - 0xFFF	0xEFF	0xF00
1	512字	16	0x000 - 0xDFF	0xE00 - 0xFFF	0xDFF	0xE00
1024字	32	0x000 - 0xBFF	0xC00 - 0xFFF	0xBFF	0xC00

1. 第零位BOOTRST：决定复位向量

在ATmega88 与ATmega168 中，复位向量由BOOTRST 熔丝位决定，中断向量的起始地址由MCUCR 寄存器的IVSEL决定。

ATmega88复位和中断向量位置的确定

BOOTRST	IVSEL	复位地址	中断起始地址
1	0x000	0x001
1	1	0x000	Boot区复位地址 + 0x001
Boot区复位地址	0x001
1	Boot区复位地址	Boot区复位地址 + 0x001

四、加密位

加密位	位号	描述	默认值
--	7	--	1
--	6	--	1
BLB12	5	Boot锁定位	1
BLB11	4	Boot锁定位	1
BLB02	3	Boot锁定位	1
BLB01	2	Boot锁定位	1
LB2	1	锁定位	1
LB1	锁定位	1

锁定位保护模式

内存锁定位	保护类型
LB模式	LB2	LB1
1	1	1	没有内存锁定特征使能
2	1	在并行和串行编程模式中Flash和EEPROM的进一步编程被禁止，熔丝位被锁定。
3	在并行和串行编程模式中Flash和EEPROM的进一步编程及验证被禁止，锁定位和熔丝位被锁定。

ATmega88/168的锁定位保护模式

BLB0模式	BLB02	BLB01
1	1	1	SPM和LPM对应用区的访问没有限制
2	1	不允许SPM对应用区进行写操作
3	不允许SPM对应用区进行写操作，也不允许运行于boot loader区的LPM从应用区读取数据。若中断向量位于boot loader区，那么执行应用区代码时中断是禁止的。
4	1	不允许运行于boot loader区的LPM指令从应用区读取数据。若中断向量位于boot loader区，那么执行应用区代码时中断是禁止的。
BLB1模式	BLB12	BLB11
1	1	1	SPM和LPM对boot loader区的访问没有限制
2	1	不允许SPM对boot loader区进行写操作
3	不允许SPM对boot loader区进行写操作，也不允许运行于应用区的LPM指令从boot loader区读取数据。若中断向量位于应用区，那么执行boot loader区代码时中断是禁止的。
4	1	不允许运行于应用区的LPM 指令从boot loader区读取数据。若中断向量位于应用区，那么执行boot loader区代码时中断是禁止的。