2023年3月16日，2023（春季）亞洲充電展在深圳成功舉辦，展會同期還舉辦了2023（春季）全球第三代半導體産業峰會，并邀請了15位行業大咖現場與大家探讨第三代半導體，對氮化镓、碳化矽的應用技術以及産業的未來發展進行探讨和分享。
珠海镓未來科技有限公司市場經理 馮竺霖先生為大家帶來了《氮化镓全系列封裝助力高效電源解決方案》的主題演講，介紹氮化镓器件的性能優勢，還有镓未來推出的多種不同封裝的氮化镓器件，可以滿足不同功率段，多種電源産品的應用。
馮竺霖先生就任珠海镓未來市場部經理，負責GaN功率器件的應用推廣，推動D-Mode GaN器件在國内中大功率段的多應用領域突破。镓未來的氮化镓器件相容傳統矽MOS驅動，同時封裝和可靠性以及ESD保護方面具有領先優勢。
镓未來CEO&CTO是吳毅鋒博士，吳毅鋒博士于1996年制造了首顆大功率GaN射頻器件，有着深遠的設計基礎。公司65%員工為設計研發人員，博碩學曆達到70%以上。
下面進入到今天的主題，镓未來為D-mode路線，驅動電路簡單，抗幹擾能力強。栅極支援±20V電壓，能夠相容矽MOS驅動電路，簡化器件應用，并支援更多的驅動晶片。
镓未來推出了TOLL封裝的氮化镓器件，TOLL封裝相比D2PAK具有更低的熱阻，并減少寄生電感，PCB面積和産品尺寸。還可以提升散熱功率，滿足千瓦級大功率應用設計。TO247-4L開爾文極封裝，具有更好的抗幹擾能力和更低的封裝損耗。并且引腳與碳化矽MOS引腳通用，可以進行與碳化矽MOS的替換嘗試。
镓未來産品路線圖，産品根據封裝大小，按照功率進行從左到右的排列。低功率段主要圍繞在300W以内，中功率段在300W到1kW，高功率段集中在1kW以上。
對于PD快充應用，通常采用PQFN和DFN以及TO252貼片封裝。對于伺服器和雙向儲能客戶，建議使用TOLL封裝或者插件封裝産品。
來到産品清單，對産品型号進行介紹，镓未來的産品型号命名規則非常清晰簡明。G1N代表第一代工藝平台，G2N代表第二代工藝平台。數字代表電壓等級，65表示650V，90表示900V。R表示器件内阻，035表示導阻為35mΩ。最後兩個字母表示封裝類型。
镓未來650V耐壓的氮化镓器件支援800V瞬态電壓，900V耐壓的氮化镓器件支援1500V瞬态電壓。
除了傳統的PD快充以外，氮化镓還具備非常豐富的應用場景。可用于戶外電源，伺服器和通訊電源，機器人伺服電機，戶用光伏&儲能，電動車OBC DC-DC等一系列應用。镓未來已經推出了相關的量産案例，将在後面進行介紹。
140W PD3.1快充方案，兩款快充方案一款為PFC+LLC拓撲，另一款為PFC+AHB拓撲，滿足筆記本電腦對于大功率擴充卡的要求。
随着圖騰柱PFC控制器的推出，可以進一步提升電源子產品的轉換效率，圖中兩款電源方案均為圖騰柱PFC+LLC電源拓撲，分别使用安森美和瞻芯電子圖騰柱PFC控制器。
在戶外儲能方面，镓未來推出了一款2kW功率的雙向逆變器，這款逆變器采用圖騰柱無橋PFC拓撲+全橋LLC軟開關拓撲+SR同步整流。在PFC級使用兩顆G1N65R035TB，LLC級使用四顆G1N65R050TB。相比傳統IGBT方案，全氮化镓性能提升超過4%。
下面是一款3.6kW的算力電源，這款電源在PFC級使用兩顆G1N65R035TB氮化镓開關管，滿載效率達到96%，可以充分節省中大功率段的電費損耗。
镓未來還推出了一款3kW功率的雙向DC-DC轉換器，采用升降壓架構+全橋FRC+同步整流拓撲，内置兩顆耐壓900V的G1N90R270TA氮化镓器件。從曲線圖中看出轉換效率已接近或者達到了97%。
镓未來總部位于珠海橫琴，深圳分公司主要業務為市場銷售和應用支援。镓未來将持續進行上海分公司和華東應用中心建設。镓未來将會不斷提升器件性能，完善全套器件封裝。并且可以根據大客戶需求進行器件定制開發，搭配最新的工藝平台，進行持續的增産降本。