最近看了下三極管、MOS管、JFET管的結構圖，回想起自己大學期間一直對這幾個半導體器件的符号認不清楚，後來總結了一下，發現二極管、三極管、MOS管、JFET管都是有P型半導體、N型半導體組合而成，所有方向也可以采用由P-->N的方式進行判斷，P代表P型半導體，N代表N型半導體。下面說一下自己的總結過程，希望對有相同疑問的小夥伴有所幫助。
PN結正偏：Vp>Vn
PN結反偏：Vp<Vn
1.二極管，二極管很簡單，由一個P型半導體和一個N型半導體組成，中間形成PN結。是以方向由P-->N，大家很熟悉，就不多說了。
2.三極管。三極管是由兩種不同的半導體組成，兩個P型半導體1個N型半導體，組成PNP型三極管，兩個N型半導體和一個P型半導體，組成NPN型三極管。
PNP型三極管如下圖所示。通過圖，我們可以看出，PNP型半導體導通條件就是：Vbe正偏，Vce反偏，Ic=Ib+Ie，Ve>Vb>Vc。
NPN型三極管如下圖所示。通過圖，我們可以看出，NPN型半導體導通條件就是：Vbe正偏，Vce反偏，Ic=Ib+Ie，Vc>Vb>Ve
3.MOS管。MOS管全稱是金屬氧化物場效應管。其結構由三個半導體拼接而成，N-MOS由兩個N型半導體，分别為S極和D極，襯底為P型半導體；P-MOS由兩個P型半導體，分别為S極和D極，襯底為N型半導體；MOS管存在兩個方向，一個是溝道方向（PN結方向），另一個是體二極管方向。S極是和襯底連接配接在一起的（具體原因我也不是很清楚，如果有哪位小夥伴知道可以告訴我一下，謝謝）
N-MOS結構圖如下圖所示。N溝道MOS管，襯底是P型半導體，溝道是在兩個N型半導體之間形成的。增強型與耗盡型在結構上的差別暫時還不是很清楚，但是在符号上的差別我們可以通過看溝道是一條直線還是三條短線，是短線的就是耗盡型，是直線的就是增強型。
P-MOS結構圖如下圖所示。P溝道MOS管，襯底是N型半導體，溝道是在兩個P型半導體之間形成的。
4.JFET大家可以通過自己進行總結下，總之，半導體管（二極管、三極管、場效應管）基本上都是有P型半導體和N型半導體組成，方向也始終是由P-N，這一點基本是不會變化的。通過了解PN結的形成，我們自然就能夠了解各種管子的一些主要參數以及特性曲線，對硬體工程師在物料選型、datasheet查閱上有極大幫助。了解比死記硬背更好。以上純屬個人之見，若有錯誤請大家指正，勿噴。