一、正文之前：
正題之前有必要唠叨一下關于記憶體的背景知識，因為我自己之前在腦子裡面對對“記憶體”這兩個字就是一團糟，各種混淆。
在計算機領域裡，記憶體指在電腦或者其他數字電路裝置中用來存儲程式（計算機指令序列）或者資料（例如，程式狀态資訊）在暫時或者永久單元上的實體裝置。
在硬體系統裡，記憶體有主存（primary memory）和副存（secondary memory）之說。主存工作在較高的速度下（也就是RAM，如電腦中的記憶體條），副存是用來存儲程式和資料的裝置其速度較低但是容量很高（如電腦中的硬碟）。術語“記憶體”通常用來指代主存如各種類型的RAM，而術語“存儲”通常用來指代副存，如各種類型的硬碟。
根據資料在掉電時是否丢失，記憶體可以分為易失性存儲器（Volatile memory） 和 非易失性存儲器（No-Volatile memory）。掉電時資料如果丢失為易失性存儲器，例如記憶體條。掉電時資料不丢失為非易失性存儲器。易失性存儲器需要被提供電源來保持存儲器中的資訊。現在主流的易失性存儲器是Static RAM（SRAM）和 Dynamic RAM（DRAM）。通常CPU中的cache是SRAM，電腦中的記憶體條是DRAM。在不久的将來被寄希望能夠替代SRAM和DRAM或者與其競争的非易失性存儲器技術包括，Z-RAM, TTRAM, A-RAM 和 ETA RAM。非易失性存儲器例子包括，隻讀存儲器（ROM）、閃存（flash memory）、絕大多數的磁性儲存設備（如：硬碟，軟磁盤，錄音帶）、CD光牒等等。即将到來的非易失性存儲器技術包括FeRAM, CBRAM, PRAM, SONOS, RRAM, Racetrack memory, NRAM 和 Millipede。
二、正文：
閃存（Flash Memory）有NOR Flash 和 NAND Flash之分。下圖為兩者最小單元的差別：
從上圖可以看出，由于NAND Flash有效的體系架構，他的最小單元大小差不多隻有NOR Flash的一半，這也是NAND Flash高內建度、低成本的基礎。
NOR-NAND 詳細比較1：
| PARAMETER | NOR | NAND |
|---|---|---|
| Capacity | 1 to 16 Mbytes | 8 to 128 Mbytes |
| XIP (code execution) | Yes | No |
| Performance Erase Write Read | Very Slow (5 s) Slow Fast | Fast (3 ms) Fast Fast |
| Strengths | Addressable to every byte | More than 10% higher life expectancy |
| Erase cycle range | 10,000 to 100,000 | 100,000 to1,000,000 |
| Interface | SRAM-like, memory mapped | Accessed in bursts of 512 bytes; I/O mapped |
| Access method | Random | Sequential |
| Price | High | Very low |
NOR-NAND 詳細比較2：
三、結論：
NAND Flash是高密度資料存儲的理想選擇。NOR Flash很适合用來通常是低密度的代碼存儲和執行，因為他能按位尋址而NAND Flash不可以。