文章目錄
- 一、PN結的形成
- 二、PN結的動态平衡
- 三、PN結的正反偏置
- 四、電流的估算、PN結的擊穿性
- 五、PN結的電容
一、PN結的形成
1、過程
使用工藝,将P區域N區分散在左右兩邊,在濃度差作用下:電子從N取向P區擴散,空穴從P區向N區擴散
2、PN結
經過這樣的多子(N區電子與P區空穴)互相擴散的過程之後,會在P區和N區的交界面上,留下一層不能移動的正離子(N區)、負離子(P區)。該層稱作空間電荷層、阻擋層、耗盡層,即所謂的PN結。
二、PN結的動态平衡
1、擴散: 多子才會擴散,電子從N取向P區擴散,空穴從P區向N區擴散
2、漂移: 少子才會漂移,空穴從N區向P區漂移,電子從P區向N區漂移
3、動态平衡
- 在PN結内會形成由N區指向P區的内電場,該電場會減弱多子的擴散,增強少子的漂移,最終PN結大小不變,達到動态平衡。
- 具體就是N區漂移的空穴與P區擴散的空穴對等,P區漂移的電子與N區擴散的電子對等。
- 平衡狀态:流過PN結的淨電流為零;PN結的厚度一定(幾微米);接觸電位一定(零點幾伏)
三、PN結的正反偏置
1、PN結的正向偏置
- 當外加直流電壓使PN結P型半導體的一端電位高于N型半導體一端的電位時,稱為正偏(常用)
- 内電場會被削弱,利于多子進行擴散,PN結變窄,呈現低阻、導通狀态
2、PN結的反向偏置
- 當外加直流電壓使PN結N型半導體的一端電位高于P型半導體一端的電位時,稱為反偏
- 内電場會被增強,利于少子進行漂移,PN結變寬,呈現高阻、截止狀态
3、注意:因為少子濃度主要與溫度相關,是以反向電流與反向電壓幾乎無關
四、電流的估算、PN結的擊穿性
1、電流的定量估算
2、PN結的擊穿特性
當PN結上所加的反向電壓達到一定數值時,反向電流激增的現象
- 雪崩擊穿:可逆,常發生在摻雜濃度小的二極管
- 齊納擊穿:可逆,常發生在摻雜濃度大的二極管
- 熱擊穿:PN結耗散功率超過極限值,使溫度升高,導緻PN結過熱而燒毀
五、PN結的電容
1、勢壘電容
空間電荷量随着PN結偏置電壓的變化而變化。這種電容效應用勢壘電容C(B)表征。
PN結類似電容:
當外加電壓不同時,耗盡層的電荷量随外加電壓而增多或減少,與電容的充放電過程相同。耗盡層寬窄變化所等效的電容為勢壘電容。
2、擴散電容
PN結正向偏置電壓越高,非平衡少子的積累越多。這種電容效應用擴散電容C(D)表征。