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CMOS邏輯電路PMOS管和NMOS管CMOS管非門與非門或非門三态門傳輸門組合與時序邏輯電路雙穩态概念 鎖存器和觸發器 R-S鎖存器同步RS鎖存器 D鎖存器 JK觸發器維持阻塞式D觸發器CMOS邊沿D觸發器編碼器譯碼器

CMOS邏輯電路

目 錄

1 PMOS管和NMOS管 3

2 CMOS管 4

3 非門 5

4 與非門 6

5 或非門 8

6 三态門 8

7 傳輸門 9

8 組合與時序邏輯電路 10

9 R-S觸發器 10

10 同步RS觸發器 11

11 JK觸發器 13

12 維持阻塞式D觸發器 15

13 CMOS邊沿D觸發器 17

14 編碼器 18

15 譯碼器 19

PMOS管和NMOS管

PMOS,指的是利用空穴來傳導電性信号的金氧半導體。PMOS的電路符号如下圖,而其結構則如右圖所示,是由正型摻雜形成的漏極(drain)及源極(source),與閘極(gate)及閘極下面的氧化層所構成。

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導通,适合用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是,雖然PMOS可以很友善地用作高端驅動,但由于導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅動中,通常還是使用NMOS。

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NMOS,指的是利用電子來傳導電性信号的金氧半半導體。NMOS的電路符号如下圖,而其結構圖如左圖所示,是由負型摻雜形成的漏極與源極,與在氧化層上的閘極所構成。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,适合用于源極接地時的情況(低端驅動),隻要栅極電壓達到4V或10V就可以了。

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CMOS管

CMOS是Complementary Metal Oxide

Semiconductor(互補金屬氧化物半導體)的縮寫。CMOS管有NMOS管和PMOS管構成,也稱為反相器。具有低功耗,抗幹擾能力強特點。

反相器電路,當V-in輸入為低電平時,PMOS導通,電容充電,V-out輸出為高;當V-in為高電平時,PMOS管截至,NMOS管導通,電容放電,V-out輸出為低。

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非門

非門對輸入信号求反。

NMOS管非門:

輸入X為高,NMOS導通,f輸出為低。

輸入X為低,NMOS截至,f輸出為高。

CMOS管非門:

輸入X為高,PMOS管截至,NMOS導通,f輸出為低。

輸入X為低,PMOS管導通,NMOS截至,f輸出為高。

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與非門

NMOS管與非門:

輸入X1和X2都為高,NMOS導通,f輸出為低。

其他情況,X1或X2有一個截至,f輸出為高。

CMOS管與非門:

輸入X1和X2都為高,兩個PMOS管截至,兩個NMOS導通,f輸出為低。

其他情況,X1或X2有一個截至,f輸出為高。

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或非門

A和B有一個為1,輸出為低。

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三态門

輸出除了0和1,還可以輸出高阻态。

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傳輸門

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組合與時序邏輯電路

任何時刻輸出僅取決于該時刻輸入,沒有記憶功能。

時序邏輯電路

任何時刻輸出不僅取決于該時刻輸入,而且與之前狀态有關,有記憶功能。

雙穩态概念

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鎖存器和觸發器

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R-S鎖存器

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特征方程

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時序圖

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同步RS鎖存器

時鐘信号到達時,觸發器狀态才發生變化。

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特征方程(CP=1)

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真值表(CP=1)

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時序圖

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空翻現象

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D鎖存器

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JK觸發器

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真值表

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時序圖

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維持阻塞式D觸發器

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真值表

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時序圖

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CMOS邊沿D觸發器

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編碼器

用n位二進制代碼對N=2^N個信号進行編碼的電路。

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邏輯電路

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譯碼器

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3-8譯碼器

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邏輯電路

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參考:電路基礎課件

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