晶片DDR調試常見問題

1、 DDRPHY ZQ CALIB 校準異常，RX CALIB校準不通過。

解決方法：檢查PCB設計，糾正ZQ電阻實際連接配接與IP手冊要求不一緻問題。

2、 DDR 基本寫讀測試512MB以上資料量時會出現錯誤，且出錯的位址空間随機。

解決方法：檢查PCB闆設計，發現多個負載挂在一個電源上導緻DDR供電不足，飛線輸入單獨電源後解決。

3、 DDR3/4提速到1866和2133時不能正常通路，基本的寫讀資料都會出錯。

解決方法：當速率大于1600後需要進行視窗對齊操作，通過逐個掃描DQ 的per-bit-deskew視窗，進行每個DQ的視窗中心對齊，補償PCB走線延時，使得所有DQ相對DQS最大地滿足setup和hold。

4、 DDR3-1866兩層闆基本讀寫測試通過，但系統無法播放4K視訊。

解決辦法：檢視CK/CKB與CMD/ADDR的PCB布線，發現走線延時相差較大，根據PCB走線長度差和示波器測量計算延時補償，通過配置per-bit-deskew完成CMD/ADDR相對CK/CKB的時序補償。

5、 兩層闆DDR3-1866常溫播放4K視訊1~3小時會出現大量當機現象。

解決辦法：示波器檢視讀寫DQ眼圖波形，發現讀操作時DQ的反射較大，影響眼高。通過調整DDRPHY的ODT值使讀眼圖品質最佳。

6、 兩層闆DDR3-1866常溫播放4K視訊拷機48小時後開始出現批量當機。

解決方法：原先測量電源紋波時，接近0.1uf電容端紋波在50mv以内，但多個電源端口連接配接在一條線上，且在膠漆内部，沒有測量，刮線測量距離電容較遠端，發現紋波最差300mV，最終在可以刮線焊接電容處焊接兩個4.7uf的電容後紋波降到100mV以内。拷機現象改善明顯。

7、 兩層闆DDR3-1866低溫播放4K視訊拷機1小時開始出現批量當機。

解決辦法：低溫拷機時用示波器測量DDR波形，發現CMD和ADDR在低溫下反射較嚴重，部分波形反射到了眼中間，導緻不滿足JEDEC眼高要求。通過降低CMD和ADDR驅動能力解決。

8、 兩層闆DDR3-1866在GPU和CPU負載較大的場景下出現拷機不穩定。

解決辦法：GPU和CPU負載較大的情景下掃描DDR的DQS左右餘量，發現在初始化訓練好的置中視窗，在負載較大的工作情形下DQ的有效視窗被壓縮且偏右。在訓練完成後再配置DQS deskew補償DQ視窗的偏離。DQS的占空比較差，通過調整DQS-DQSB=2的占空比，可增加DQ的per-bit-deskew視窗。

9、 同樣的PCB設計圖，換生産廠家後部分闆子出現機率性不穩定。

解決：檢視生産廠家的菲林制作，調寬了信号走線的線寬，導緻間距減小，串擾增大。

10、換廠商顆粒後開關機出現機率性write leveling 異常。

解決：PHY在做write leveling 時會發送MR1配置，改指令對應的ADDRESS是一個周期有效，正常讀寫是2個周期以上，在正常讀寫訓練出來穩定的ADDRESS 延時在單周期時并不穩定。在正常讀寫情況下訓練出ADRESS的deskew最大值邊界，然後減250ps左右作為單周期的大緻餘量。

11、開關機不穩定

解決：AC 的per-bit-deskew值配置需要在初始化DDR顆粒前配好，否則顆粒接收到的初始化指令可能會不穩定

12、MT和NY的顆粒啟動和讀寫操作正常，但換成華邦顆粒後出現Write leveling正常，RXCALIB所有位元組出錯，降低頻率沒有改善。測量波形發現讀指令發出後，DQS沒有傳回。

解決：聯系顆粒廠商，檢查Power On時,Reset high到CKE high是否meet spec(>500us)。鎂光的晶片reset和cke不滿足這一條也可以，但華邦的會異常。滿足後正常啟動。

13.LPDDR4 無法跑到最高速率4266

----一般主要是電源紋波不滿足，需要添加片上電容，封裝電容，以及闆級電容優化。