IGBT（可控矽反器門管）是一種半導體器件，其結構是模拟了MOSFET電半導體，但其可控性更高。IGBT的工作原理：當電壓控制端的電壓不斷升高時，IGBT就從關斷狀态轉換成導通狀态，這時IGBT的主電極開始導通，進而使其他電極的電流通過；當電壓控制端的電壓不斷降低，IGBT就從導通狀态轉換成關斷狀态，此時IGBT的主電極斷開，進而其他電極的電流都斷開。
IGBT的主要參數包括：工作電壓，漏極洩漏電流（I DRIVE），結電阻，栅極漏極保持電壓（V CEA ），電源電流，最大重複反向峰值和最大反向重複峰值電壓，以及最大持續正向和反向重複峰值電流。
IGBT的特性曲線，主要有正向特性曲線和反向特性曲線：正向特性曲線是表示IGBT導通電壓與導通電流的關系，反向特性曲線是表示IGBT斷開電壓與斷開電流的關系。
IGBT的選型和應用：在IGBT的選型中，需要根據實際使用情況及其使用環境，以及IGBT特性參數來确定。IGBT的應用主要是在高壓、大電流、大功率和高頻下使用，比如：電動汽車、電力調節、逆變調節、磁懸浮系統、變頻系統等。
目前IGBT在汽車電動機控制、電源調節、中頻電源、變頻調速、開關電源等方面有着廣泛的應用。此外，由于IGBT非對稱切換、噪聲小、結溫低、散熱性好等特點，也應用于電梯、冷卻系統、太陽能發電機組、新能源汽車等領域。
IGST正在被廣泛應用于汽車、工業控制、家用電器和智能電網等領域，它的特點是操作延遲小、漏極擊穿電壓高、非對稱切換、功耗低、結溫低等。IGST具有很強的可靠性，可以解決高電壓、大電流、高頻和超高功率調節等問題。
此外，IGBT還可以應用于多種無源控制應用中，包括電動機控制、繼電器替代、空調控制、回路調節、負載控制等，還可以應用于變頻系統、太陽能系統和電動汽車等新能源領域。
IGST和IGBT的另一個重要差別是，IGBT半導體元件的運作溫度更高，噪聲更大，而IGST半導體元件的運作溫度更低，噪聲也更小。此外，IGST具有更高的比例響應速度，不僅比IGBT快，而且可以達到微秒級的水準，功耗更低，耗散功率可以低至1瓦，更加經濟、安全。
由于IGBT具有較高的開關效率、小尺寸和低損耗等優點，是以也可以用于高壓變流器控制、電動汽車逆變器、無線充電系統和太陽能系統等應用。另外，IGBT還具有高峰值功耗、高功耗和高能耗等不足之處，這是需要研發者和設計師充分考慮的因素。
IGBT子產品技術應用
