NAND FLASH 基本存儲單元 (Cell) 是一種類 NMOS 的雙層浮空栅 (Floating Gate) MOS 管組成 。寫操作是在控制極加正電壓，使電子通過絕緣層進入浮栅極。擦除操作正好相反，是在襯底加正電壓，把電子從浮栅極中吸出來。如下圖所示：
一個存儲單元存儲 1bit 資料的 NAND FLASH，我們叫它為 SLC (Single Level Cell)，2bit 為 MLC (Multiple Level Cell) ，3bit 為 TLC (Triple Level Cell)。讀寫的時候，一般根據Floating gate裡的電子數判斷目前存儲的資料是多少。vt分布如下圖所示：
随着P/E次數的增加，voltage distribution會變寬并且右移：
此時，需要retry來調整參考電壓：
當distribution重疊的時候，重疊的部分就會發生read error:
這時候就需要LDPC soft decision:
若soft decode也不能recover，此時就需要用RAID來解：
參考:
http://www.ssdfans.com/?p=8074
https://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Proceedings