NAND閃存SLC、MLC、TLC架構的差別

     了解NAND閃存三種架構晶片的差別，對于專業人士或需要購買SSD的非專業人士來講，都有不小的益處。其差別如下：

     SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其結構簡單但是執行效率高，最大的特點就是速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。其在企業級SSD上比較常見，例如經典的Intel X25-E系列，此外在一些高端的U盤上也有使用。

    MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四個充電至，是以要比SLC需要更多的通路時間。其最大特點就是速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命。如今大多數的消費機SSD都是使用的MLC。

    TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每個單元可以存放比MLC多1/2的資料，共八個充電值，也有Flash廠家叫8LC，最大特點就是速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。，通常用在U盤或者存儲卡這類移動儲存設備上。

    目前，QLC = Quad-Level Cell架構以及出現，即4bit/cell，支援16充電值，速度最慢壽命最短，目前中技術上在研發階段，但是intel、三星電子等廠商都已經取得了不錯的進展。但在SSD應用中目前仍不現實 。

（文章引自http://stor.zol.com.cn/349/3499784.html）