雷遞網 雷建平 1月18日
禾賽科技（HESAI）日前遞交招股書，準備在美國納斯達克上市，股票代碼為“HSAI”。
市場傳聞，禾賽科技計劃募資1.5億美元，估值可能達到30億美元。
禾賽科技是中概股底稿審查正式落地後，首家向美國資本市場發起上市的大型中概股企業，也是滴滴恢複上架以來，首家向美股發起上市的硬科技企業。可以說，禾賽科技此次赴美上市有風向标的意義。
将雷射雷達的發展推上摩爾定律的軌道
據介紹，禾賽基于半導體設計的TX/RX系統（雷射收發系統）采用專用內建電路/自研晶片化技術，與傳統雷射雷達分立元件的架構相比具有明顯優勢。禾賽自研的晶片化技術最大限度地在提高雷射雷達性能的同時，降低了功耗。
傳統雷射雷達需要組裝數百個分立元件，出現品質問題和不一緻問題的可能性更高；而基于禾賽晶片化技術研發的雷射雷達，将多種功能內建到幾顆晶片上，不僅降低了系統的複雜性，并且通過簡化内部結構，大幅降低了成本。
禾賽已完成了晶片化技術v1.5版本的更新，并将繼續更新和優化，利用半導體供應鍊中現有的先進制造技術，為客戶提供更高成本效益的産品。
曆史上，雷射雷達一直沒有大規模上車的原因有三個：品質差、成本高、生産方式落後。而禾賽提出了晶片化方向，将雷射雷達的發展推上摩爾定律的軌道，好處顯而易見。
首先，內建度提升使雷射雷達内部元器件數量大幅降低，據禾賽此前透露，打個比方來說的話，可以從約1000個降至約100個，産品複雜度大幅降低，可靠性和品質也就大幅提升。
第二，元器件數量的大幅減少意味着供應鍊的簡化和韌性，禾賽透露，關鍵供應商數量可以從約100個降低至僅有10個左右，減少因缺少零部件斷供的可能性。
第三，成本可以顯著降低，單線成本甚至可以降低約10倍。
第四，性能也會大幅提升，基于摩爾定律紅利，随着自研晶片帶來的內建度不斷提升，其分辨率可以提升約10倍。
據禾賽招股書，截至2022年12月底，搭載禾賽第一代晶片的XT系列産品已經傳遞超1萬台，搭載禾賽第二代晶片的AT128已經累計傳遞超過6萬台，搭載禾賽第三代晶片的純固态産品FT120也已經獲得多家OEM定點，今年年底前就開始量産傳遞。每一代晶片的內建度都更高，單線成本都在降低，在可預見的未來持續增能降本。
而且，自研晶片是一項長期投入，禾賽從2017年開始組建團隊專研雷射雷達專用晶片，到現在5年時間也隻是初獲成果，第二代晶片化産品開始量産。同時禾賽早已開始研發下一代晶片化産品。
905nm是更具優勢的波長選擇
禾賽的雷射雷達技術基于VCSEL陣列，可實作905nm和940nm波長，而這項技術在智能手機等消費電子産品中3D傳感方面的應用也得到證明。
禾賽認為，1550nm波長的雷射器和接收器元件普遍存在高功耗、光纖雷射器成本較高以及基于InGaAs接收器靈敏度低等問題。為了實作更強的測遠能力，1550nm波長的雷射雷達産生的巨大功耗所帶來的點密度有限的問題，則需要更多非車規級元件以更高的成本來實作。
是以，禾賽戰略性地采用905nm/940nm波長的VCSEL陣列。在測遠能力的提升上，禾賽通過更新雷射接收器和晶片化技術的應用，正探索進一步優化905nm/940nm波長雷射雷達的可能性。
從長期來看，905nm是更具優勢的波長選擇。
從性能的角度來說，1550nm的優勢是單點測遠，主要因為它的發射功率更高。但雷射雷達不光要看得遠，還得看得清。1550nm的優點是有利于單點測遠，但分辨率不如905nm。
雷射雷達是一個被動散熱的元器件，不能無限制地提升功率，1550由于材料導緻其功率遠大于905，是以若想進一步提高點頻，就會導緻其功率過高而根本無法上車。
目前市場上典型的1550nm雷射雷達點頻大概在100萬左右，相比禾賽的AT128 153萬每秒的點頻，還是低非常多。
從成本和産業鍊成熟度的角度來說，905nm的雷射器為砷化镓材料，探測器為矽材料，已經充分地在消費類電子和汽車電子領域驗證了，已經有器件廠商獲得了AECQ認證，産業鍊比較成熟。砷化镓廣泛應用于手機射頻、Face ID以及iPhone上的3D攝像頭，而矽基材料相容現有的矽産業鍊，技術成熟，友善批量生産，開發難度低，成本也低。
而1550nm的雷射器為磷化铟材料，探測器為铟镓砷材料，多用在通信領域，是否可以獲得車規認證還有待時間驗證，而且材料比較昂貴，目前産業規模也達不到矽基材料的水準，開發成本、生産成本較高。
總而言之，1550nm和905nm隻是兩種不同的波長選擇，各有優劣，最終雷射雷達的性能、成本和可靠性還是要看雷射雷達産品的整體設計。也有廠商采用了1550nm路線并成功量産，比如圖達通獵鷹。但是目前隻有905nm的一維轉鏡架構被證明可以被晶片化。
禾賽此前也曾透露，随着半導體工藝的進步、以及新工藝提升雷射接收器靈敏度，未來905nm雷射雷達的測遠有望提升至250米以上，長期是比較被看好的路線。
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