10台 EUV光刻機将引進，但台積電已開始“截胡”！衆所周知，由于美國對華為的打壓，是以導緻華為無法獲得美國方面對晶片的出口許可，而在美國企業台積電的幫助下，我們也在今年的5月份實作了對華為一款 EUV光刻機裝置的出口許可。而對于我們來說，想要實作10台 EUV光刻機裝置的出口需要耗費大量資金。為此，華為還曾計劃在美國建立一個生廠 EUV光刻機裝置的工廠。
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但是，由于美國方面的限制，是以這一計劃也隻能停留在紙面上。而就在近日，有消息表示，大陸已經開始計劃引進10台 EUV光刻機裝置。而這10台 EUV光刻機裝置的價值高達14億元人民币，對于這樣一筆巨款來說，我們也希望通過引進 EUV光刻機來解決大陸晶片制造方面的難題。但是從台積電方面來看，我們的10台 EUV光刻機裝置已經開始準備進口了。據悉，台積電已開始“截胡”華為10台 EUV光刻機裝置的計劃了。
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而台積電之是以會對華為這一系列晶片制造計劃做出“截胡”的舉動，主要是因為台積電需要通過晶片設計公司來實作在7 nm、5 nm以及3 nm晶片制造技術上的突破，進而幫助台積電進一步擴大自己晶圓代工方面的業務。而為了能夠讓自己更快的進入到7 nm和5 nm晶片制造技術中來，台積電不僅會為客戶提供生産 EUV光刻機裝置的相關技術，而且還會給予更多優惠方案。當然，作為一家專業制造晶圓代工的企業，台積電在技術方面一直都處于領先地位。而就算是在生産技術方面處于領先地位的台積電也沒有向華為購買 EUV光刻機裝置的打算，而這無疑是給了美國一個不小的打擊。而作為一直都在努力研發晶片制造技術的大陸來說，想要通過購買 EUV光刻機裝置來解決大陸目前在晶片制造方面面臨的難題的确是非常困難。
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而就在前不久，有消息表示華為的一款海思晶片就已經成功應用到了5 nm工藝上，而這無疑是對美國的一個很大打擊。但是，對于華為來說，想要在短時間内解決大陸目前所面臨的晶片制造難題的确是非常困難。因為對于我們來看，想要在短時間内解決晶片制造難題并非是一件容易的事情。畢竟對于大陸而言，目前最大的挑戰還是在制造技術上。雖然現階段大陸已經在5 nm、3 nm以及2 nm工藝方面取得了不小的突破。
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但是，想要實作7 nm、5 nm以及3 nm工藝的突破還是非常困難的。而就在近日，大陸又傳來了一則好消息。據媒體報道，大陸的上海微電子公司已經成功突破了5 nm晶片制造技術中的一項關鍵技術。而這項技術的攻克成功，也意味着大陸在5 nm晶片制造技術方面将會有更多突破。不過，在實作突破之前還需要對7 nm以及3 nm內建電路做好準備。
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而從我們國家的發展趨勢來看，想要在短時間内完成7 nm、3 nm工藝的突破也并非是一件容易的事情。是以，想要在短時間内攻克7 nm以及3 nm工藝是非常困難的。而我們國家的晶片制造企業雖然也已經有了不少進展，但是想要在短時間内突破7/3/2 nm工藝還是非常困難的。是以說，目前我們國家想要在短時間内解決晶片制造難題也是比較困難的。而對于我們國家來說，如果想要在短時間内解決晶片制造難題，就需要從其他方面入手了。
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而從國内科技企業來看，大陸目前已經有不少研發實力非常強的企業開始研發晶片。而這一次，中國電子科技集團更是一舉拿下了國家大基金二期的“晶片制造與先進封裝技術”項目，并且還将會在5年内為晶片設計企業提供1000億元人民币的支援。而這一次，我們國家所取得的成績也足以證明目前國内在晶片制造方面已經開始取得不錯成果了。而就是因為有了國内科技企業的加入，是以也為大陸在短時間内攻克晶片制造難題提供了不少保障。從目前大陸所取得的成績來看，想要短時間内解決晶片制造難題也并非是一件容易的事情。