（報告出品方：東方證券）
1. 回顧海外半導體裝置龍頭廠商的發展之路
全球半導體裝置市場高度集中，海外龍頭企業處于壟斷地位。美國的半導體廠商主要有應用材料、 泛林半導體和科磊，應用材料是全球最大的半導體裝置制造廠商，産品覆寫除光刻以外的半導體 前道工藝，占全球半導體裝置的 21%；泛林半導體是全球第三的半導體裝置廠商，按照“先專後 全”的路線，先專注于刻蝕裝置的研發制造，逐漸發展薄膜沉積、清洗以及檢測業務；科磊在半 導體檢測裝置領域長期占有 50%以上的市場佔有率，2021 年占全球半導體裝置 8%。日本的半導體 廠商主要包括東京電子和迪恩士，東京電子的産品覆寫非常全面，在全球半導體裝置市場占 15% 份額，迪恩士的清洗裝置處于全球領先地位，在全球半導體裝置廠商中排名第六；荷蘭的半導體 廠商主要為阿斯麥，阿斯麥壟斷了全球的高端光刻機市場，在半導體裝置市場中占有 21%的份額。
ASML 是全球光刻機龍頭，占據 75%份額；LAM（泛林半導體）是全球刻蝕領域龍頭，占據 50% 份額； AMAT （ 應 用 材 料 ） 是 薄 膜 沉 積 、 離 子 注 入 、 CMP 多 領 域 龍 頭 ， 分 别 占 據 85%(PVD)/30%(CVD)、50%、50%市場佔有率；DNS（迪恩士）是全球清洗機龍頭，占據 45%份 額；TEL 是全球塗膠顯影機、原子層沉積（ALD）龍頭，占據 87%、30%份額；KLA（科磊）是 全球檢測量測裝置龍頭，占據 54%份額。
1.1 應用材料：平台型龍頭，外延并購成就版圖
應用材料成立于 1967 年，1992 年成為全球最大的半導體裝置制造廠商，一直蟬聯至今。1970 财 年 AMAT主營業務收入為 730 萬美元，1972 年上市時為 630萬美元，到 2021 财年（2020.10.26- 2021.10.31）主營業務收入已達 231 億美元，比上市時增長 3660 倍。
AMAT 長期以來重視技術創新，保持高研發投入。公司曆年研發投入占營業收入比重平均在 15% 左右。
AMAT 不斷推出新品，引領行業發展步伐。AMAT1976 年推出第一台商用等離子化學氣相沉積設 備，1987 年推出革命性的單晶圓多反應腔平台 Precision 5000，分别于 1989 年和 1997 年成為全 球第一家推出 200mm 和 300mm 晶圓制造裝置的企業；2005年釋出 Centura Advant Edge系統， 采用了最先進的矽片刻蝕技術；2006 年釋出 Producer GT，是當時最高效、投入産出比最高的 CVD 平台。
外延擴張，打造“半導體裝置超市”。半導體裝置技術門檻高、研發投入大且周期長，此外客戶 驗證複雜，通過收購能夠快速內建技術，發展客戶，搶占市場。AMAT1997 年收購兩家以色列公 司Opal Technologies（驗證臨界尺寸的高速計量系統）和Orbot Instruments（成品率提高系統）， 開啟了并購之路。以後相繼通過并購擴充了公司的 CMP、晶圓檢測、清洗、薄膜沉積、離子注入等業務。同時公司積極拓展泛半導體領域，2007 年收購 HCT，幫助太陽能領域客戶降低制造光 伏電池的成本，擴充了光伏電源領域的業務。
緊抓半導體産業轉移機遇，進行全球布局。早在 1971 年 AMAT 就開始全球化布局的嘗試，在歐 洲設立了第一個海外辦事機構。20 世紀 70 年代後期，半導體産業由美國向日本轉移，80 年代向 南韓、中國台灣轉移。AMAT 緊抓産業轉移的機遇，在全球各地設立辦事處。進入 21 世紀之後， 随着半導體産業轉移到中國大陸，AMAT也在加強在大陸的布局。1984 年 AMAT就在北京設立了 技術服務中心，成為第一家進入中國的外資半導體裝置廠商。2001 年和 2007 年，分别在北京和 西安設立技術中心和全球開發中心。
1.2 ASML：光刻龍頭，突破性技術變革助力崛起
ASML 是全球光刻機的領跑者，壟斷 EUV 光刻技術。ASML 成立于 1984 年，由電子巨頭飛利浦 和半導體裝置制造商 ASMI 共同成立。如今 ASML 在全球光刻機領域處于絕對的霸主地位，占據 全球約 75%的光刻機市場，更是壟斷了全球 7nm 及以下工藝的 EUV 光刻機技術。2021 财年 （2021.1.1-2021.12.31）ASML 出貨 309 台光刻機，主營業務收入 186 億美元，同比增長 33%。
革命性技術突破成就 ASML 的霸主地位。ASML 一直重視研發創新，2021 年研發投入 25 億美元， 占主營的 14%。ASML 成立以來，四項技術突破幫助其成為光刻龍頭企業。1991 年，推出突破性 平台 PAS5500，憑借其領先的生産力和分辨率，奠定了客戶基礎。2001 年，推出 TWINSCAN 系 統及其雙平台技術，最大限度地提高了系統地生産力和準确性。緊接着，ASML 于 2003 年推出第 一台浸潤式機器，這一技術成為此後 65、45 和 32nm 制程的主流，推動摩爾定律往前躍進了三 代。2010 年，ASML 運送了第一台 EUV 光刻原型機，成為全球唯一使用極紫外光的光刻機制造 商，開啟了光刻機的新時代。
ASML 重要轉折之一：開發浸沒式光刻技術。ASML 最大的彎道超車，發生在 193nm 制程到 157nm 制程的更新過程，當時業内大部分企業選擇在原有技術路徑上改進，比如尼康、佳能都選 擇研發 157nm 波長的光源。這時，台積電科學家林本堅提出，利用水的折射，使進入光阻的波長 縮小到 134nm，由于浸沒式光刻技術研發難度大，且需要推翻原有設計重新開始研發，隻有 ASML 願意選擇浸沒式光刻技術，2003 年，ASML 和台積電合作研發出首台浸沒式光刻裝置， 2004 年尼康才終于宣布 157nm 的幹式光刻機産品樣機出爐，此後，ASML 快速占領光刻機市場 份額。
ASML 重要轉折之二：率先研發出 EUV 光刻機。1997 年，英特爾和美國能源部牽頭組建 EUV LLC 前沿技術組織，論證 EUV 技術的可行性，成員主要包括英特爾、摩托羅拉、AMD 以及美國 能源部 (DOE) 的勞倫斯·利弗莫爾、桑迪亞和伯克利國家實驗室。ASML 以出資在美國建工廠和 研發中心，并保證 55%的原材料都從美國采購的條件，擠進 EUV LLC，而尼康、佳能卻被排除在 外。EUV LLC 的研究成果大大加快了 ASML 的 EUV 研發速度，成為目前唯一掌握 EUV 光刻機技 術的廠商。
戰略并購和開放式創新平台助力 ASML 技術創新。ASML 通過戰略并購快速占領技術優勢，收購 MicroUnity 的 Mask Tool 部門（光學臨近矯正技術）、Brion Technologies（計算光刻技術）、 HMI（電子束檢測）、Mapper（電子束光刻）和 SVG（微雷射系統）。此外，ASML 還于上下遊 廠商、研究機構、同業合作夥伴搭建了開放式創新平台，互相推動創新，并提供對各種技術的大 型前沿知識庫的通路。
推出整體光刻系統，內建工藝，共同優化性能。半導體行業受到縮小制造成本和提高裝置性能的 推動。然而，随着半導體特征尺寸的縮小，工藝視窗（生産可行晶片所需的精度公差）也在縮小， 對套刻精度和臨界尺寸均勻性 (CDU) 等參數提出了嚴格的要求。2009 年 ASML 推出整體光刻系 統，內建了計算光刻技術、晶圓光刻技術和工藝控制，可以實作優化生産精度公差、提高良率、 降低客戶時間成本。
ASML 通過收購布局上遊，提出客戶聯合投資計劃攜手下遊，打造上下遊利益共同體。ASML 通 過收購 Cymer、berliner glas、Wijdeven Motion 以及蔡司半導體 24.9%的股份，布局上遊零部件， 包括紫外光源、光學元件、電機和光學鏡頭組。2012 年，ASML 提出“客戶聯合投資計劃”，與 客戶建立密切關系，共同承擔研發費用，為入股客戶提供優先供貨權，進而構成了龐大的利益共 同體。
1.3 泛林半導體：深耕刻蝕，合并諾發助力平台化
LAM 立足刻蝕裝置，逐漸向工藝前端和後端擴充業務。泛林集團成立于 1980 年，是全球領先的 綜合性半導體裝置龍頭企業。泛林半導體成立第二年便推出了第一款刻蝕裝置 AutoEtch。LAM 在刻蝕裝置領域市場佔有率最大，占據 47%的市場佔有率，公司立足刻蝕裝置領域，逐漸向前端薄膜沉 積和後端清洗裝置延伸，通過并購不斷提升競争能力，建構技術壁壘和擴充産品線。泛林半導體 2021 财年（2020.6.29-2021.6.27）的主營業務收入達到 146 億美元，同比增長 46%。
LAM 專注于刻蝕裝置，不斷進行技術更新。1981-1982 年，LAM 推出了支援 1.5μm 制程的刻蝕 裝置 AutoEtch，1989 年開發了支援 0.8 微米制程的刻蝕裝置。1992 年推出業内首款 ICP 刻蝕設 備，開始引領行業發展。LAM 首創 ALE 技術，在 2014 年推出 ALE 刻蝕裝置 FLEX 系列和 KIYO 系列。ALE 技術憑借其在原子層級别的可變控制性和能實作業内最高生産率和選擇比而有望成為 新一代刻蝕裝置的産業趨勢。
LAM 通過并購擴充産品線。早在 1997 年，泛林就通過收購 CMP 清洗領域的市場上司者 On Trak Systems，彌補在清潔領域産品鍊的不足。2012 年，LAM 兼并收購了諾發，其刻蝕和單晶圓清洗裝置方面的領先地位與諾發的薄膜沉積技術互補，合并後 LAM 不僅能夠擁有更廣泛的市場，而且 有助于公司技術團隊加強相鄰工藝之間的的內建，未來有望開發“集簇”裝置，以提高工藝效率、 降低成本，提升裝置競争力。
技術變革驅動泛林業績增長。随着晶片制程不斷縮小、晶片結構 3D 化發展，相關裝置的加工步 驟增多，刻蝕和薄膜沉積裝置成為占比最高的裝置。LAM 2012 年起主營業務收入呈現快速增長 的态勢，除收購諾發的因素之外，另一個關鍵驅動力是 2014 年 3D NAND 的量産和多重曝光技術 的應用，3D NAND 層數的增加将持續增加對刻蝕技術的依賴，多重曝光技術則是增加了刻蝕工藝 密度，是以對刻蝕裝置的需求大幅增長，拉動刻蝕裝置龍頭 LAM 營收增長。
1.4 東京電子：緊抓産業轉移機遇，受益政府扶持
東京電子是日本第一的半導體裝置廠商。東京電子成立于 1963 年，是日本最大的半導體裝置制 造商，也是全球第四大半導體供應商。東京電子成立之初主要從事汽車收音機的出口和半導體設 備的進口業務，1975 年開始專注于半導體裝置制造，1989 年成為全球營收額第一的半導體裝置制造商，并且連續三年蟬聯。之後東京電子開始向全球擴充業務，并加強研發，一直至今，東京 電子仍然是第一梯隊的半導體裝置制造商。2022 财年（2021.4.1-2022.3.31），東京電子營收 178 億美元，同比增長 35%。
東京電子積極響應日本經濟轉型以及全球半導體産業轉移，領跑日本半導體裝置産業。東京電子 成立之初是一家技術貿易公司，主要從事汽車收音機的出口和半導體裝置的進口業務，1963 年在 日本産業構造調查會議上，日本政府着手制定旨在将本國高新技術發展由“攝取型發展”轉變為 “自主創新型發展”的長期規劃，倡導由技術引進向自主創新的轉型，東京電子便于 1968年成為 了日本第一家半導體裝置制造廠商。1973 年，受石油危機影響，日本政府提出要重點扶持研究開發密集産業，恰逢尼克松沖擊導緻日元升值，出口業務受到沖擊，東京電子于1975年果斷退出消 費電子出口，專注半導體裝置制造。随後日本半導體産業興起，東京電子從美國引進技術，一躍 成為全球第一的半導體裝置制造商。随着日本半導體業務的下滑，東京電子開始将業務向全球擴 展，并拓展到 FPD 領域。近年，随着大資料、新能源車的驅動半導體産業的快速發展，東京電子 加大創新研發，迎來新發展。
東京電子為什麼能成為全球領先的半導體裝置廠商？
（1）東京電子發展于日本半導體行業的黃金時期。19 世紀 70 年代末，美日幾乎同時推出 64K DRAM，迅速向全球市場滲透，1984-1985 年，日本企業展開價格圍剿，進一步占領市場。半導 體裝置市場依賴于半導體制造廠商對裝置的投資，此外，日本半導體産業在政府的有意引導下， 以 DRAM 作為商業契機，推動本土半導體生産裝置與生産材料快速發展，與半導體産業同步，日 本半導體裝置市場規模擴大，發展迅速。
（2）引進先進技術。東京電子通過合資公司的形式從美國引進先進的技術，并與自身的制造技 術融為一體，1982 年成立 TEL-Varian Ltd.在日本開始生産離子注入機，1983 年與 LAM 成立合資 公司，在日本生産刻蝕裝置。 （3）立足國内市場，開拓海外市場。盡管東京電子 1986 年便開始出口業務，但是起初出口業務 份額并不大，專注于國内市場。20 世紀 90 年代是東京電子布局海外的關鍵時期，1993 年是東京 電子邁向海外的重要一步，東京電子開始布局在南韓的業務，1994 年開始在歐美建構銷售與服務 網絡，在 1994 年之前，東京電子面向國内産品的銷售占比超過 80%，但在 1998 年，東京電子海 外銷售首次超過國内銷售，2000 年海外銷售突破 70%。
1.5 科磊：檢測裝置先行者，保持技術代際優勢
科磊為半導體檢測裝置的引領者，先發優勢明顯。科磊成立于 1975 年，晶片行業的起步階段， 當時所制造的半導體良率隻有不到 50%，随着晶片層數的增加，良率甚至不到 10%，缺陷檢測問 題也随之更新，KLA 第一個産品掩膜檢測裝置，将光掩膜檢測所需時間從 8 小時減少到 15分鐘， 并且可以做到更全面的檢測，迅速被半導體行業接受，随後投入大量資金研發，不斷推出新産品。 KLA-Tencor 合并後開始大舉收購，擴充産品組合，市場佔有率迅速進一步擴大， 2021 财年 （2020.7.1-2021.6.30）KLA 主營業務收入 69 億美元，同比增長 19%。
KLA1975 年推出開創性的掩模檢測工具迎來了半導體工藝控制的曙光，如今運用寬帶等離子技術 檢測缺陷，KLA 一直保持技術的先發優勢，推出一系列最先進入市場的裝置。從産品疊代來看， KLA 每年以競争對手兩倍的速度向市場新推出的新産品，且産品領先市場兩代，在其服務的10個 下遊領域中，8 個領域的市占率第一。主要是由于 KLA 重視研發：
（1）高研發投入：研發投入占比基本維持在 15%以上，高于行業其他企業。
（2）不斷提高下一代産品的研發投入：2021 年 KLA 用于下一代技術的研發占總研發投入的 82%。
（3）與客戶合作研發：KLA 作為檢測裝置領域的龍頭企業，擁有強大的客戶基礎，通過與客戶 合作研發，提高産品競争力。
外延并購吸收先進技術。1997 年，KLA 和 Tencor 合并，KLA 提供高端自動化光學晶圓檢測、光 罩檢測等裝置，而 Tencor 更專注于薄膜量測，此次合并為半導體制造商提供了完整的良率管理産 品和服務系列。此後，KLA-Tencor 開始了大舉收購，通過戰略收購的方式獲得先進技術，拓展公 司的産品系列。2019 年，KLA 收購 Orbotech，切入 PCB 檢測、面闆檢測和特殊半導體檢測，與 過程控制形成四大業務闆塊。
KLA 擁有豐富的産品系列。一方面由于 KLA 在研發上的高投入，另一方面 KLA 通過外延并購不 斷吸收先進技術，拓寬産品線，KLA 産品可以運用到多種半導體元件的制造及封裝，并且覆寫半 導體制造的全産業鍊。
KLA 近十年内在過程控制領域的市場佔有率保持在 50%左右，是第二名的 4 倍，檢測/量測裝置市場 為什麼難以切入？ （1）檢測/量測裝置開發難度大、技術壁壘高。首先檢測裝置的技術跨越電子束、X 射線衍射、 雷射照明以及高性能計算等領域；其次半導體檢測裝置需要運用光學、電學原理進行納米級精密 程度以及 3D 次元上的檢測及量測。
（2）檢測裝置定制化及差異化程度高。半導體檢測裝置的檢測對象為定制化晶片，不同制程的 晶片對參數的要求往往是不同的。晶片制造中不同工藝過程中需要運用的檢測裝置也有所不同， 比如電子束檢測可以運用在抛光、刻蝕等工藝，而掩模版檢測則适用于曝光工藝。除此之外，晶 圓制造過程當中還需要對不同的參數如電阻、膜厚、膜應力等進行量測，晶圓加工之後還需要檢 查晶片性能是否符合要求。
（3）裝置使用壽命長。一方面，半導體裝置的長使用壽命強化先發優勢，加強與客戶的長期綁 定關系；另一方面，服務類收入受益于長使用壽命将不斷增加，且受行業周期波動影響小。KLA 超過 50%裝置使用壽命達 18 年，平均使用壽命為 12 年，服務收入呈指數級增長，為全行業純服 務收入占比最高的企業。
1.6 迪恩士：清洗裝置龍頭，面臨競争壓力
迪恩士是全球清洗裝置龍頭廠商。迪恩士成立于 1943 年，于 1975 年導入半導體裝置制造，受益 于日本 1980s 半導體産業的騰飛，在半導體清洗裝置領域迅速發展，并于 1983 年成功開發了世 界上第一台旋轉晶片清洗系統。迪恩士清洗裝置産品覆寫全面，引領着先進的清洗裝置技術，連 續多年在單片清洗裝置、批量清洗裝置以及旋轉清洗裝置領域占據世界第一。迪恩士主營業務收 入呈波動向上的趨勢，主要系全球經濟形勢的影響。2022财年（2021.4.1-2022.3.31） DNS主營 業務收入 4119 億日元，同比增長 29%。
迪恩士在單片清洗裝置領域的市場佔有率逐漸降低，國産裝置有望切入市場。迪恩士是一家聚焦于 清洗裝置的企業，清洗裝置占其半導體裝置業務的 95%以上，單片清洗機占 70%，聚焦單一領域 給公司帶來了絕對的市場占有率，2009 年迪恩士在全球單片清洗裝置的市場佔有率高達 70%，但 2021 年單片清洗裝置競争力呈現下降的趨勢，占比 38%，主要由于： （1）清洗裝置參與到晶片制造的各個環節，新進入者切入難度相對較低。
（2）迪恩士南韓市場開拓阻力大。迪恩士 2004年開始拓展南韓市場，明顯晚于 TEL（1993年）、 LAM （1989 年）等同業競争企業，錯失了開拓南韓市場的先機；此外，南韓本土裝置廠商 SEMES（三星旗下子公司）在清洗裝置方面亦具備較強競争力，2020 年 SEMES 單片清洗裝置 占全球 14%的份額，排名第三，給迪恩士開拓南韓市場帶來了阻力。
2. 國内外差距快速縮小，政策大力支援有望進一步加 速成長程序
2.1 堅定高研發投入，與海外廠商技術差距快速縮小
國内半導體裝置廠商堅定高研發投入，成長動能足。國外龍頭裝置廠商一直保持着高研發投入， 2021 年 AMAT 和 ASML 的研發投入約 25 億美元，從研發投入的絕對值來看，國内廠商雖然不及 國外龍頭企業，北方華創的研發投入在國内處于領先地位，2021 年研發投入 29 億元；但是從研 發投入占比例來看，國内廠商非常重視研發投入，高于國外龍頭，基本在 15%以上。
持續實作技術突破，與海外廠商差距快速縮小。國内半導體裝置廠商已實作 28nm 制程以上工藝 技術覆寫，還有部分廠商技術達到國際先進水準，比如中微公司的 CCP 刻蝕裝置已經可以覆寫 5nm 以下的邏輯晶片以及 128 層 3D NAND 産線；北京屹唐幹法去膠裝置可用于 90nm 到 5nm 邏 輯晶片、1y 到 2x 納米系列 DRAM 晶片以及 32 層到 128 層 3D 閃存晶片制造中；盛美上海全球首 創 SAPS、TEBO 兆聲波清洗技術和 Tahoe 單片槽式組合清洗技術，SAPS 清洗裝置取得海力士 的重複訂單；拓荊科技的 PECVD 也已開展 10nm 及以下制程産品驗證測試。
2.2 多管道提升技術實力，供應鍊安全保障能力大幅提升
多管道吸收前沿技術，拓展業務布局。由于半導體裝置技術門檻高，研發投入和風險相對比較大， 通過外延的方式可以幫助企業迅速切入市場，掌握核心技術。比如随着技術節點發展到 0.35μm， CMP 裝置的需求量快速增長，泛林于 1997 年收購 On Trak 迅速切入 CMP 市場；ASML 1999 年 收購 MicroUnity 的 Mask Tools 部門，迅速掌握先進的光學鄰近矯正技術，進一步提高瞄準精度。 國内半導體裝置也在積極嘗試通過外延方式進行布局，精測電子通過與南韓 ATE 龍頭 IT&T 合作， 設立合資公司，利用 IT&T強勁的研發實力快速布局半導體測試領域；中微公司則通過投資睿勵儀 器和拓荊科技進行檢測裝置和薄膜沉積裝置的布局。
裝置廠商積極布局上遊零部件，供應鍊安全保障能力大幅提升。萬業收購 Compart Systems（高 精度流量控制産品和技術的全球戰略供應商），布局上遊零部件，完善內建電路裝備産業工藝鍊， 確定供應鍊的安全，并且有利于實作上下遊産業協同效應。北方華創收購北廣科技射頻應用技術 相關資産，射頻應用技術是半導體裝備産品的核心技術之一，此次資産整合有利于提高北方華創 微電子射頻應用技術水準，可增強公司半導體裝備産品技術開發與應用能力。
2.3 迎産業轉移曆史機遇，國内政策強力支援
随着終端需求的不斷變化，推動半導體産業轉移。半導體的需求模式對産業的發展起到了重要作 用，能否适應、開發和引導新産業的需求模式是半導體産業轉移的重要因素。半導體起源于美國， 美國政府軍事需求是拉動美國半導體業初期發展的關鍵力量，1959-1960 年，美國政府采購占半 導體産業銷量的 45-48%。進入 20 世紀 70 年代以後，日本鼓勵民營企業研發電子技術，日本民 用電子得到了飛速發展，而美國依舊注重軍工産品的研發生産，為日本占領半導體市場提供了機 遇，之後随着日本 64K DRAM 研發成功，以及日本企業價格圍剿，1980s 半導體産業轉移到日本。 随着 20 世紀 90 年代 PC 的普及，南韓先于美日企業推出 256M DRAM，中國台灣開辟代工廠模 式，半導體産業轉向南韓、中國台灣。目前中國大陸正處于新一代智能手機、新能源汽車等行業 快速崛起的程序中，已成為全球最重要的半導體應用和消費市場之一。
中國大陸緊抓智能手機和電動汽車兩次發展機遇，半導體需求可能進一步擴大。21 世紀以來，中 國逐漸成為全球最大電子資訊産品制造基地。同時，全球新能源車正處于快速發展階段，中國是 全球最大的新能源汽車消費市場和生産國。2021 年，大陸新能源汽車銷售額占全球新能源汽車銷 售額的 51％，新能源汽車産量 354.5 萬輛，同比增長 160%。
國内政策強力支援疊加舉國體制持續推進，國内裝置廠商有望加速成長。回看日本半導體發展的 曆史，我們認為國内目前半導體行業狀況與日本有很多相似之處，首先電子産業都成為經濟轉型 的重點領域，日本政府 1971 年提出重點扶持研究密集産業，支援半導體産業的發展，1976 年開 始設立超大規模內建電路的共同組合技術創新行動項目（VLSI），籌資 720 億日元打造 DRAM集 成電路産業群，而目前國内業不斷出台政策扶持半導體産業的發展，國家大基金大力支援半導體 産業的發展。其次，都處于産業轉移的風口，19 世紀 70 年代，日本大力支援民用電子的發展， 促進了半導體産業向日本的轉移，目前中國是最大的智能手機生産和消費基地，新能源汽車發展 也非常強勢，半導體産業第三次轉移向中國大陸。東京電子在日本半導體行業發展的黃金時期專 注半導體裝置的發展，曾占據半導體裝置銷售額第一的寶座。目前國内也迎來上遊裝置等配套環 節的發展機遇，有望誕生世界級的半導體裝置廠商。
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