新型憶阻器和基于憶阻器的應用
1971年，Leon Chua從理論上證明了具有可變電阻的兩端非線性元件，他稱之為憶阻器。2008年，惠普（HP）實驗室的科學家實作了實體憶阻器，引起了人們對憶阻器和基于憶阻器的系統的極大興趣。然而，由于制造納米級電子元件的成本高昂，目前缺乏商業化的憶阻器。是以，為了完善憶阻器的理論架構和應用，有必要研究功能性憶阻器仿真技術及其内在特性。
此外，憶阻器模型的工具應多樣化，如分數階導數、分數階差分、模拟電路和數字電路。是以，本卷收集了基于憶阻器的研究，1、2、3 ] 、多穩定性和隐藏動力學[ 4、5、6、7、8、9、10 ] 、同步控制器[ 11、12 ]、電路[ 13、14、15、16、17、18 ] 、離散憶阻器混沌映射 [ 19 , 20 , 21 , 22 , 23 ] 和圖像加密應用 [ 24 , 25]. 一些人讨論了幾個方面。例如，Wang 等人。[ 18 ] 報告了拟議的分數階憶阻器非線性混沌系統的動力學行為、對稱共存、模拟電路和硬體實作。
在這篇社論中，詳細概述了本期特刊中的貢獻，以及 Sect。 2是主體。第 3節對本文進行總結，并指出憶阻器的未來前景。
基于憶阻器的神經系統
陳等通過在網絡中引入憶阻突觸權重提出了 Hopfield 神經網絡。這種設計的憶阻神經網絡模型顯示了有趣的動力學，包括共存分叉、共存多個吸引子、瞬态行為和憶阻器初始增強行為。作者還通過模拟電路仿真驗證了複雜動力學的真實性。
馮等 基于 Hindmarsh–Rose 神經元模型設計了一個帶有磁控管憶阻器的雙延時磁通神經系統。利用Routh-Hurwitz判斷規則和中心流形理論，研究了所提出系統的穩定性、Hopf分岔的存在性和分岔方向。作者還指出，在這個延時通量神經系統中存在周期性分岔解。
Li等人[3]研究了一種延時局部有源憶阻器，并通過繪制其斷電圖、直流(DC)電壓-電流(V-I)圖和掐滞回線對其進行分析。在Hopfield神經網絡中引入憶阻，分析了一種新的Hopfield神經網絡系統。事實上，這種方法已經被廣泛應用，但它在所提出的系統中顯示了豐富的動态。設計了模拟電路和混沌圖像加密方案。結果表明，該方法具有較高的安全性和可靠的加密性能。
多穩定性和隐藏動态
吳等将理想憶阻器引入三維線性系統，然後設計了基于四維正弦調制的憶阻混沌系統。他們發現這個憶阻器混沌系統具有複雜的動力學，并且可以觀察到促進平面分叉的初始條件。基于為給定的憶阻非線性系統設計的電路，作者驗證了理論和數值分析結果。
萬等人将磁通控制憶阻器和線性回報項引入三維 (3D) 非線性混沌系統，建構了變翼五維 (5D) 憶阻超混沌系統。所提出的 5D 系統有一個線平衡點，其位置由控制參數确定。此外，5D 系統顯示出許多有趣的現象，包括隐藏的極端多穩定性、瞬态混沌過渡行為和可變翼特性。
李等引入了一種三穩态局部有源憶阻器，其中内部狀态方程與内部狀态和電壓相關，由一系列符号函數定義。通過在二階振蕩電路中引入電容建構混沌電路，設計了三階非線性混沌電路。進行了動态分析和電路實作，基于電路結構簡單，輸出結果複雜。
拉馬多斯等人設計了一種具有無限平衡的新型憶阻振蕩器。随着系統參數的變化，分析了動力學。振蕩器顯示出吸引人的特征，例如分叉氣泡和多穩定性。最後，使用 PSpice 對所提出的電路進行仿真并論證了其可行性。
黃等使用所謂的憶阻器替換方法建構了基于立方憶阻器的超混沌加加速度電路。觀察到周期環、混沌态、超混沌态等豐富的動力學行為。同時，觀察到由偏移常數引起的吸引子位移現象。此外，在所提出的系統中發現了不對稱吸引子的共存，并通過電路仿真進行了驗證。
許等研究了非自主憶阻器加加速度電路中的多穩定性，其中憶阻器具有二次導抗和外部施加的刺激。然後，通過局部吸引盆地和相圖研究了不完美分岔附近的多穩定性，其中考慮了四組具有代表性的系統參數。此外，還獲得了基于印刷電路闆 (PCB) 的模拟電路，實驗結果證明了所提出分析的有效性。
王等研究了耦合憶阻 Hindmarsh–Rose 神經元系統的非線性動力學，其中憶阻器說明了電磁感應的影響。該模型在憶阻器的初始條件下表現出極端的多穩定性。它還表明，記憶電阻 Hindmarsh-Rose 神經元系統可以在周期性放電中生成四個簇，并觀察到不同振幅的同步變化。
