近日來，圍繞着大陸晶片制造的話題的讨論又十分激烈，引起讨論的主要原因在于，同樣是在這個九月份，台積電高調宣布已經可以量産3nm晶片，并且就快要突破2nm技術。幾乎在同一時間，中芯國際宣布55納米CBD平台已經完成第一輪研發工作。
在消息傳出之後，有人表示中芯國際剛突破的55nm工藝是屬于一大喜訊且值得驕傲，而有的人則表示不了解，畢竟台積電目前的工藝都已經快達到2nm了，這其中的懸殊看起來十分巨大。
那麼問題來了，有人說55nm已經是屬于重大突破，而有的人說與2nm是天壤之别，這到底是怎麼回事呢？
要回答這個問題之前，先要要明白，台積電的量産3nm晶片和快要突破的2nm晶片技術，與台積電所公布的CBD工藝達到55nm，是屬于不同工藝，是以這兩者之間的技術含量到底誰高誰低無法直接進行對比，就好比5nm的手機晶片和7nm的電腦晶片到底是哪一個的工藝技術更高一些，壓根就無法直接通過表面所達到的資料而得出結果。
從台積電釋出相關消息以後市場的反應可以看出，不管是兩邊3nm晶片還是快突破2nm技術，确實在國際上屬于拔尖。
在接受采訪時，台積電表示目前依然是在使用FinFET半導體，在未來實作新一代2nm技術的時候或将會使用GAA半導體技術，屆時或将會更加依賴于美國廠商EDA技術。
業内人都知道，EDA電子設計自動化雖然自身在半導體市場規模不大，可對于半導體市場卻有着舉足輕重的作用，從晶片的設計到制造，再到晶片封裝，都離不開EDA，據資料顯示，EDA在2021年所影響的半導體市場超過了6000億美元，截止到目前為止，台積電與全球16家EDA均有合作，一旦台積電能夠在未來獲得EDA的相助，确實如虎添翼。
可要知道的是，這是一種比較理想的設想， 而現實是一旦台積電對于美國廠商的技術太過于依賴就容易陷入被動，台積電突破2nm晶片在GAA工藝上需要美國EDA的支援，而且在技術上對美國形成依賴，在後續很難有别的廠商可以替代，依賴性會随着技術的不斷深入而加大。
而EDA目前在全球的市場主要是掌握在Siemens EDA、Cadence、Synopsys這三大美國廠商手中，三家合計占有率超過78％。縱使是德科技和ANSYS等份額能夠接近5％，也是屬于美國公司。
那麼，後續台積電在2nm技術上的實作，終究是路漫漫其修遠兮，并且不确定性極大，而這說到底還是技術無法獨立自主的原因。
而中芯國際所宣布的BCD平台，指的是“Bipolar-CMOS-DMOS”，Bipolar是用于高精度處理模拟信号的雙極半導體，CMOS通常使用于設計數字控制電路的互補金屬氧化物半導體，也就是通常人們所說的5nm、7nm等晶片；而DMOS則是用于開發電源和高壓開關器件的雙擴散金屬氧化物半導體。
簡單來說，BCD平台技術指的是一種“單片內建技術”，也就是Bipolar、CMOS、DMOS同時運用在同一個晶片制作上。
在此之前，先進的BCD技術是90nm工藝，這一點大陸已經能夠實作量産，而今中芯國際宣布已經在CBD工藝上取得55nm的成績，可以說是技術上的重大突破，而且比較肯定的是，中芯國際所取得55nm的水準，在目前已經處于國際領先地位。
舉例來說，南韓的Key Foundry雖然與台積電一樣也是屬于頭部圓晶代工廠，但在今年也才宣布能夠達到CBD工藝188nm的量産，與中芯國際已然形成巨大距離。
不得不承認，晶片技術起步晚且技術無法獨立自主也是大陸目前最大難題，而EDA市場被國際巨頭壟斷、制造晶片裝置稀缺、部分原材料生産能力有限，更是成為大陸先進晶片發展道路上的“三道坎”。
縱使困難重重，但近年來大陸在晶片設計、制造等領域不斷深耕和得到提升，行業規模快速增長，新的技術不斷疊出，為國産晶片解決“卡脖子”問題帶來了希望，相信在不遠的未來大陸能夠實作真正的晶片自由。