Nand Flash結構與讀寫分析及Nand Flash尋址方式

  NAND Flash 的資料是以bit 的方式儲存在memory cell，一般來說，一個cell 中隻能存儲一個bit。這些cell 以8 個或者16 個為機關，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device 的位寬。這些Line 會再組成Page，(Nand Flash 有多種結構，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容針對三星的K9F1208U0M)，每頁528Byte，每32 個page 形成一個Block， Sizeof(block)=16kByte 。1 block=16kbyte，512Mbit=64Mbyte，Numberof(block)=1024 1block=32page, 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)

Nand flash 以頁為機關讀寫資料，而以塊為機關擦除資料。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類位址： --Block Address -- Page Address --Column Address(即為頁内偏移位址)