青島佳恩半導體有限公司（以下簡稱“佳恩半導體”）近日宣布完成近千萬規模pre-A輪融資，投資方包括青島本地的青創投和陽光創投等。本輪融資的資金将主要用于加大功率半導體器件的研究開發和團隊建設。
功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心，是目前半導體行業國産替代的重要領域。佳恩半導體成立于2015年，是新一代功率半導體設計公司，在IGBT、MOSFET和FRD等功率半導體細分領域均有技術積累，其中，IGBT晶片為主打産品。截至目前，功率半導體産品累計出貨量已超1億顆。除青島總部外，已在深圳等地設立研發中心。
新冠肺炎疫情給讓進口功率半導體的供應受阻，給國内功率半導體廠商帶了巨大的發展機遇，也讓這個行業受到資本的關注。據相關機構統計，2021年國内有30家功率半導體企業獲得融資，融資家數與融資次數創下新高。
站上風口的佳恩半導體也迎來快速發展的黃金時期。2021年，佳恩半導體營收和訂單量均創下曆史新高。
引入資本後，佳恩半導體的發展将進一步提速，不僅要加快做大現有産品市場規模，拓展更多新行業客戶，還要加快新材料研發，為即将到來的第三代半導體競争做好儲備布局，目标2024年申報IPO。
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競逐功率半導體黃金賽道
IGBT，即絕緣栅雙極型半導體，被稱為電力電子裝置的CPU，主要工作是控制和傳輸電能，指甲蓋大小的晶片組成的IGBT可以處理6500W以上的超高電壓，IGBT晶片工作時可以在短短1秒的時間内，實作10萬次電流開關動作，進而驅動高鐵飛速行駛。
從行業演進角度，IGBT是目前功率半導體中最炙手可熱的領域之一。根據集邦咨詢預測，近年來中國IGBT市場持續快速增長，2018-2025年複合增長率達19.96%，到2025年市場規模将達到522億元人民币。
但在過去很長一段時間，國内IGBT市場都被英飛淩、三菱、富士電機等國外巨頭壟斷。直到2005年前後，大量海外IGBT人才紛紛歸國投入國産IGBT晶片和子產品産業的發展，國産替代才拉開序幕。
△王丕龍指導員工進行晶片可靠性試驗
佳恩半導體創始人王丕龍，正是在這波浪潮中入了行。2007年，從濟南大學實體化學專業畢業的王丕龍，進入省内一家在全國率先涉足IGBT晶片研發的上市企業，并很快成長為研發骨幹。但到2014年，研發項目卻因種種原因被終止。2015年，王丕龍與原先研發團隊中的另外2位夥伴來到青島，自主創業。
雖然創始團隊已經有了一定的研發經驗，但對一家初創公司來說要實作從研發和銷售的從0到1突破，也并非易事。經過兩年多隻有投入沒有産出的研發，2017年佳恩半導體的産品正式上市銷售，當年即實作銷售額800多萬元。
如今，佳恩半導體的産品在性能上已經不輸進口産品，但在價格上卻比進口産品低三四成。得益于此，佳恩半導體逐漸在市場上站穩了腳跟，在工業變頻器領域打開了屬于自己的市場空間，成為低功率領域市場占有率位居前列的國産品牌。
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搶抓新能源産業風口
國内企業近年來在IGBT領域的布局持續提速。同花順i問财資料顯示，近30家A股上市公司有IGBT相關業務，如斯達半導、士蘭微，科創闆上市公司宏微科技、時代電氣等。
但盡管如此，大陸IGBT的自給率才剛到5%，差距巨大。換言之，對佳恩半導體這樣尚在成長期的企業來說，仍有十分廣闊的發展空間。尤其是新興産業的快速發展，讓IGBT行業的想象空間進一步擴大。
“新能源汽車、光伏發電等行業近年來發展迅猛，這些都是IGBT的重點應用領域，也是佳恩半導體未來要重點開拓的新行業。”王丕龍表示。
資料顯示，從下遊應用領域規模占比來看，新能源汽車已經成為2020 年中國 IGBT 的第一大應用領域，占比為30%。緊随其後的為工業控制以及消費電子，而新能源發電位居第四，占比為11%。而在業内人士看來，随着新能源汽車等行業的爆發，國内IGBT産業也會在2022年進入爆發期。
事實上，加快拓展新興産業市場也正是佳恩半導體引入新一輪融資的重要原因。
2020年以來的新冠肺炎疫情影響了進口IGBT産品的供應，國内下遊客戶對國産替代産品的接受度是以大幅提升。佳恩半導體作為受益者之一，2021年訂單量較2020年增長超過一倍，營收也較2020年翻了一番。
2021年10月，正在尋求借助資本力量謀劃在更多應用領域大展拳腳的佳恩半導體，與同樣看好功率半導體行業的多家投資機構一拍即合。
“從自主發展到借力資本發展，這是佳恩半導體的重要轉折點。”王丕龍說，引入的資本将主要用于車規級IGBT子產品産線的建設，同時加快人才招聘，進一步充實研發團隊。“将努力建立并成為中國功率半導體行業尤其是IGBT晶片行業的領軍企業。”
03
提前布局第三代半導體
加快拓展市場的同時，佳恩半導體也在為未來謀劃布局。
半導體的性能在很大程度上由材料決定。從整個半導體行業演進的程序來看，以氮化镓、碳化矽等為代表的第三代半導體材料正走向舞台中央。由于它們有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性，是以更适合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件。這意味着，IGBT等功率半導體就是第三代半導體材料的最理想應用領域之一。
雖然第三代半導體的概念近兩年在創業圈被炒得十分熱，各種打着第三代半導體标簽的産品在市場上也經常能看到，但事實上，行業仍是剛剛起步。
據權威機構預測，到 2020 年底，全球氮化镓、碳化矽功率半導體的銷售收入約 8.54 億美元。按照未來十年年均增長率達到兩位數計算，到 2029 年市場規模将超過50 億美元。
“第三代半導體的成熟至少還要3-5年時間。”在王丕龍看來，這個時間視窗期足夠佳恩半導體完成技術儲備布局。
發力第三代半導體也将有助于佳恩半導體加快在技術水準上實作對國外企業的趕超。盡管國内功率半導體行業近年來有了長足進步，但整體來看國産IGBT晶片仍比國外落後一代。而基于大陸在第三代半導體領域的專利以及人才積累，第三代半導體被普遍認為是國内企業換道超車的好機會。
“我們會堅持将每年銷售額的10%到20%投入到研發中，在技術上不斷突破和創新。”王丕龍表示。孫欣