電子元件工業聯合會(JEDEC)在不久前正式釋出HBM3高帶寬記憶體标準——JESD238，與HBM2和HBM2e标準相比，HBM3的性能再次迎來巨大的提升。根據JEDEC官方新聞稿，JESD238标準為新一代HBM3動态随機存儲器指明發展。HBM3運用創新方案，旨在帶來更高帶寬、更低功耗以及更密集的機關容量，推動圖形處理、高性能計算和伺服器等領域的使用體驗。
HBM3在HBM2架構的基礎上進一步擴充帶寬，将每個引腳的速率提升一倍至6.4GB/s，實作819GB/s的高帶寬。獨立通道數也從HBM2時代的8個提升至16個，且每個通道都有兩組“僞通道”(Pseudo Channels)，讓HBM3最多可虛拟支援32通道。
在堆疊層數方面，新标準不僅支援4-Hi、8-Hi、12-Hi的矽通孔(TSV)堆棧，同時還為16-Hi方案實作做好準備。每層8~32Gb的容量密度，可輕松支援4GB(8Gb 4-Hi)到64GB(32Gb 16-Hi)容量密度，預計初代産品将基于16Gb存儲層。
為滿足對高平台層級的可靠性、可用性與可維護性(簡稱RAS)需求，HBM3還支援基于符号的片上ECC、以及實時錯誤報告和透明度。通過在主機接口端使用低擺幅(0.4V)信号和較低的工作電壓(1.1V)，進一步提升能效表現。
英偉達技術營銷總監兼HBM小組委員會Barry Wagner表示：憑借增強的性能與可靠屬性，HBM3 将為需要巨大帶寬和容量的新應用提供有力的支撐。
美光高性能記憶體與網絡事業部副總裁兼總經理Mark Montierth則稱：HBM3将使行業攀上更高的性能巅峰，提升可靠性并降低能耗。美光将憑借先進記憶體堆疊和封裝方面的資深經驗，來引領後續的計算平台市場。
SK海力士DRAM産品企劃副總裁Uksong Kang補充道：随着HPC與AI應用的不斷進步，對更高性能和能效的需求增長，也較以往進一步加速。随着JEDEC HBM3标準的正式頒布，SK海力士期待着通過增強型ECC方案，為客戶提供兼具高性能、最佳能效和更高穩定性的DRAM産品。
Synopsys IP與戰略營銷副總裁John Koeter亦表示：Synopsys幫助推動HBM3、DDR5、LPDDR5等先進記憶體接口在一系列新興應用中的開發和采用。Synopsys的HBM3 IP和驗證解決方案，已被公司客戶率先采用。通過加速新接口與高性能SoC的內建，還有助于具有高記憶體帶寬和能效的多晶片系統級封裝的設計與研發。