台积电称无需ASML新机即可制造下一代芯片

半导体产业纵横

2024-05-15 18:45发布于广东科技领域创作者

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

英特尔买入，台积电说不需要。

中国台湾芯片制造商台积电提供了一个新选项，说不一定需要使用ASML为下一代芯片制造技术A16推出的下一代“高NA EUV”机器，该技术将于2026年下半年开发。

高数值孔径光刻工具预计将有助于将芯片设计缩小多达三分之二，但芯片制造商必须权衡这一优势与更高的成本，以及 ASML 的成熟技术是否更可靠、足够好。

台积电的Kevin 张在阿姆斯特丹的一次会议上发表讲话时表示，该公司的 A16 工厂的设计有可能适应该技术，但这还不确定。全球最大的合约芯片制造商台积电是 ASML 常规 EUV 机器的最大用户。

“我喜欢这项技术，但我不喜欢标价”，Kevin 张告诉记者。台积电的A16节点将跟随其2纳米生产节点，预计于2025年进入量产。

“当高数值孔径 EUV 真正发挥作用时，我认为这取决于我们可以实现的最佳经济和技术平衡，”他说。

每个高 NA 工具的成本预计将超过 3.5 亿欧元（3.78 亿美元），而 ASML 常规 EUV 机器的成本为 2 亿欧元。

ASML 是欧洲最大的科技公司，主导着光刻系统市场，光刻系统是使用光束帮助创建芯片电路的机器。光刻是芯片制造商用来改进芯片的众多技术之一，但它是芯片上的功能可以有多小的限制因素——更小意味着更快、更节能。

在台积电还在犹豫的时候，英特尔已经买下了High NA EUV的所有供应。

根据韩媒TheElec报道，截至明年上半年，英特尔已获得 ASML 生产的大部分高数值孔径极紫外 (EUV) 设备。

消息人士称，这家荷兰晶圆厂设备制造商今年将生产五套该套件，这些套件将全部供应给这家美国芯片制造商。他们表示，由于 ASML 高数值孔径 EUV 设备的产能约为每年 5 至 6 台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。英特尔正在俄勒冈州工厂启动并运行第一台高数值孔径机器，但预计要到 2025 年才能全面投入运行。

为了赢得客户，英特尔比竞争对手更快地采用高数值孔径 EUV。该公司于 2021 年重新进入代工市场，但去年该业务亏损 70 亿美元。在最近，他们更是将公司的晶圆代工业务负责人更换为经验丰富的Kevin O'Buckley。

资料显示，O'Buckley 加入英特尔时拥有超过 25 年的半导体行业经验。在此之前，他担任 Marvell Technologies 定制、计算和存储事业部硬件工程高级副总裁。更早之前，他担任Global Foundries 的产品开发副总裁，然后随着Marvell在2019 年收购 Avera Semiconductor ，他加入 Marvell，并担任业务负责人。在更早之前，他在 IBM 技术开发和制造组织工作了 17 年多。O'Buckley 拥有阿尔弗雷德大学电气工程理学学士学位和佛蒙特大学电气工程理学硕士学位。

关于High NA EUV的应用，英特尔院士兼英特尔代工逻辑技术开发光刻、硬件和解决方案总监表示：“随着高数值孔径 EUV 的加入，英特尔将拥有业界最全面的光刻工具箱，使该公司能够在本十年后半段推动超越英特尔 18A 的未来工艺能力。”

英特尔上个月表示，它已成为第一家组装 ASML 新型高 NA EUV 光刻工具的公司，这是这家美国计算机芯片制造商超越竞争对手的重要组成部分。英特尔下单订购了最新High-NA EUV光刻机Twinscan EXE：5200，并于2023年12月底将第一台机器运往美国俄勒冈州的一家工厂。

之前，英特尔购买了ASML的EUV设备Twinscan EXE：5000，英特尔正在使用它来学习如何更好地使用High-NA EUV设备，并用于18A制程工艺技术研发，获得了宝贵的经验，该公司计划从 2025 年开始使用Twinscan EXE：5200量产18A制程芯片。

配备 0.55 NA镜头的 High-NA EUV 光刻设备可实现 8nm 的分辨率，与配备 0.33 NA（Low-NA）镜头的标准 EUV相比，进步显着，该镜头提供 13nm 分辨率。预计高数值孔径技术将在后 2nm 级工艺技术中发挥至关重要的作用，这些技术要么需要使用低数值孔径 EUV 双重图案化，要么需要使用高数值孔径 EUV 单图案化。

由于高数值孔径光刻机与低数值孔径光刻机有许多不同之处，需要对基础设施进行大量更改，因此，在竞争对手之前部署Twinscan EXE：5200对英特尔来说是一个优势。一方面，英特尔将有足够的时间来调整其后18A工艺技术，另一方面，该公司将为自己调整High-NA基础设施，这将使其比竞争对手更具优势。

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