台積電稱無需ASML新機即可制造下一代晶片

半導體産業縱橫

2024-05-15 18:45釋出于廣東科技領域創作者

​本文由半導體産業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

英特爾買入，台積電說不需要。

中國台灣晶片制造商台積電提供了一個新選項，說不一定需要使用ASML為下一代晶片制造技術A16推出的下一代“高NA EUV”機器，該技術将于2026年下半年開發。

高數值孔徑光刻工具預計将有助于将晶片設計縮小多達三分之二，但晶片制造商必須權衡這一優勢與更高的成本，以及 ASML 的成熟技術是否更可靠、足夠好。

台積電的Kevin 張在阿姆斯特丹的一次會議上發表講話時表示，該公司的 A16 工廠的設計有可能适應該技術，但這還不确定。全球最大的合約晶片制造商台積電是 ASML 正常 EUV 機器的最大使用者。

“我喜歡這項技術，但我不喜歡标價”，Kevin 張告訴記者。台積電的A16節點将跟随其2納米生産節點，預計于2025年進入量産。

“當高數值孔徑 EUV 真正發揮作用時，我認為這取決于我們可以實作的最佳經濟和技術平衡，”他說。

每個高 NA 工具的成本預計将超過 3.5 億歐元（3.78 億美元），而 ASML 正常 EUV 機器的成本為 2 億歐元。

ASML 是歐洲最大的科技公司，主導着光刻系統市場，光刻系統是使用光束幫助建立晶片電路的機器。光刻是晶片制造商用來改進晶片的衆多技術之一，但它是晶片上的功能可以有多小的限制因素——更小意味着更快、更節能。

在台積電還在猶豫的時候，英特爾已經買下了High NA EUV的所有供應。

根據韓媒TheElec報道，截至明年上半年，英特爾已獲得 ASML 生産的大部分高數值孔徑極紫外 (EUV) 裝置。

消息人士稱，這家荷蘭晶圓廠裝置制造商今年将生産五套該套件，這些套件将全部供應給這家美國晶片制造商。他們表示，由于 ASML 高數值孔徑 EUV 裝置的産能約為每年 5 至 6 台，這意味着英特爾将獲得所有初始産能。英特爾正在俄勒岡州工廠啟動并運作第一台高數值孔徑機器，但預計要到 2025 年才能全面投入運作。

為了赢得客戶，英特爾比競争對手更快地采用高數值孔徑 EUV。該公司于 2021 年重新進入代工市場，但去年該業務虧損 70 億美元。在最近，他們更是将公司的晶圓代工業務負責人更換為經驗豐富的Kevin O'Buckley。

資料顯示，O'Buckley 加入英特爾時擁有超過 25 年的半導體行業經驗。在此之前，他擔任 Marvell Technologies 定制、計算和存儲事業部硬體工程進階副總裁。更早之前，他擔任Global Foundries 的産品開發副總裁，然後随着Marvell在2019 年收購 Avera Semiconductor ，他加入 Marvell，并擔任業務負責人。在更早之前，他在 IBM 技術開發和制造組織工作了 17 年多。O'Buckley 擁有阿爾弗雷德大學電氣工程理學學士學位和佛蒙特大學電氣工程理學碩士學位。

關于High NA EUV的應用，英特爾院士兼英特爾代工邏輯技術開發光刻、硬體和解決方案總監表示：“随着高數值孔徑 EUV 的加入，英特爾将擁有業界最全面的光刻工具箱，使該公司能夠在本十年後半段推動超越英特爾 18A 的未來工藝能力。”

英特爾上個月表示，它已成為第一家組裝 ASML 新型高 NA EUV 光刻工具的公司，這是這家美國計算機晶片制造商超越競争對手的重要組成部分。英特爾下單訂購了最新High-NA EUV光刻機Twinscan EXE：5200，并于2023年12月底将第一台機器運往美國俄勒岡州的一家工廠。

之前，英特爾購買了ASML的EUV裝置Twinscan EXE：5000，英特爾正在使用它來學習如何更好地使用High-NA EUV裝置，并用于18A制程工藝技術研發，獲得了寶貴的經驗，該公司計劃從 2025 年開始使用Twinscan EXE：5200量産18A制程晶片。

配備 0.55 NA鏡頭的 High-NA EUV 光刻裝置可實作 8nm 的分辨率，與配備 0.33 NA（Low-NA）鏡頭的标準 EUV相比，進步顯着，該鏡頭提供 13nm 分辨率。預計高數值孔徑技術将在後 2nm 級工藝技術中發揮至關重要的作用，這些技術要麼需要使用低數值孔徑 EUV 雙重圖案化，要麼需要使用高數值孔徑 EUV 單圖案化。

由于高數值孔徑光刻機與低數值孔徑光刻機有許多不同之處，需要對基礎設施進行大量更改，是以，在競争對手之前部署Twinscan EXE：5200對英特爾來說是一個優勢。一方面，英特爾将有足夠的時間來調整其後18A工藝技術，另一方面，該公司将為自己調整High-NA基礎設施，這将使其比競争對手更具優勢。

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