LDO 低压差线性稳压器，传统的线性稳压器压差高达2V，但LDO只有几百mV。
LDO属于一个负反馈系统：当Vout增大时，R2上电压增大，放大器输出电压增大，PMOS VGS电压减小，随后输出电流减小，输出电压也减小。
我们来对比下NMOS和PMOS在LDO 中的工作情况。
PMOS架构的LDO在较高的输出电压下有着较低的压降。
来看这个电路，反馈回路控制漏-源极电阻RDS，进行调节所需的输出电压，当VIN逐渐接近Vout时，误差放大器会将驱动栅-源极电压Vgs负向增大，减少RDS，保持稳压状态。
但是有一种情况是，在某些特定的点，误差放大器输出会在接地端达到一种饱和状态，无法驱动Vgs进一步负向增大。
也就是说，由于输入电压的升高，Vgs会负向增大，那么压降电压就会随着输入电压的增大而降低。
在NMOS架构的LDO中，反馈回路依旧控制着Rds,但是随着输入电压接近于输出电压，误差放大器会增大 VGS 从而降低 RDS，保持稳压状态。
同样，在特定的点，VGS 会无法再升高，误差放大器输出在电源电压 VIN 下会达到饱和状态。
此时，RDS为最小值，它与输出电流 IOUT 相乘，就是压降电压了。
不过，误差放大器输出在 VIN 处会达到饱和状态，随着 VIN 接近 VOUT(nom)，VGS 也会降低，这可以防止超低压降的出现。
一般NMOS的LDO会采用辅助电压轨，也就是这个偏置电压。它可以让LDO保持高Vgs，在低输出电压下达到超低压降，有时没能提供辅助电压轨，但也可以在较低输出电压下达到低压降，这时可以用内部电荷泵来代替。
这里有个问题，如果出现反向电流的话怎么办？
原本电流方向是从输入电压流向输出电压，但是却从输出电压流向输入电压了，这种电流经常会穿过LDO的体二极管，不会流过正常的导电通道，它可能会导致器件温度升高，出现电迁移或闩锁效应，引发器件损坏问题。
可以采取以下3种方法来防止。
- 使用肖特基二极管
- 在 LDO 之前使用二极管
3.额外增加一个 FET
有其他见解的伙伴可以在评论区留言，具体的我们以后再来探讨！
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