iPhone 14 基础版或无缘 48MP 主摄
Max 有望比 Pro Max 便宜 2000 元以上
据 Mark Gurman 最新爆料，iPhone 14 基础版除了与 Pro 机型采用不一样的芯片外，还会无缘传闻已久的 4800 万像素摄像头。新的 4800 万像素摄像头将只会在 Pro 机型上搭载，而标准版的 iPhone 14 将依旧保留 1200 万像素广角摄像头。
苹果分析师郭明錤也提出过这种可能，他也认为苹果 iPhone 14 系列的非 Pro 机型“可能会坚持使用去年的 A15 或 A15 微调版”，而 Pro 机型将采用全新 A16 芯片（只是举个例子，最终命名是 A16 和 A16 Pro 也说不定）。Gurman 补充说，除了强化差异外，全球芯片短缺也是促成这一决定的重要原因。
Gurman 还表示，虽然没有 4800 万像素摄像头和 A16 芯片，但好的方面在于，标准版的 iPhone 14 的价格有望大幅降低，而且 iPhone 14 Max 将会用上与 Pro 版本相同尺寸的 6.7 英寸屏幕，比目前唯一采用 6.7 英寸的 Pro Max 选项 iPhone 至少便宜 200 美元，折合人民币约 1306 元。按照 iPhone 13 系列美国的定价，200 美元实际上是 iPhone 13 和 iPhone 13 Pro 之间的价位差，对应国行差价为 2000 元。
Redmi K50S、K50S Pro 曝光
搭载台积电版高通骁龙 8 Gen 1 Plus
Redmi K50 系列目前为止已发布了三款机型，分别是搭载骁龙 8 Gen 1 的 K50 电竞版、天玑 8100 的 K50 以及天玑 9000 的 K50 Pro。据最新爆料，xiaomiui 已经从 MIUI 代码和 IMEI 数据库中发现了 K50S 和 K50S Pro 的踪迹，其中 K50S 对应的国际版是小米 12T，K50S Pro 则对应小米 12 T Pro、小米 12T Pro Hypercharge，预计它们会在 8 月和 10 月推出。
从代码来看，Redmi K50S 系列将分为 3 款设备，Redmi K50S / Pro 与 K50 系列基本相同，将采用最新的高通骁龙和联发科天玑芯片，不过这款高通芯片组将由台积电而非三星生产，也就是说 Redmi K50S 系列或将成为 Redmi 冲击高端的机型。
xiaomiui 表示，从 Mi Code 识别出来的另一个重要信息是处理器，K50S 中出现了Mtklist 字段，可以确定搭载了联发科处理器，而 K50S Pro 则是 smX485，也就是高通平台。根据现有信息判断，它们或分别对应天玑 8100/9000 的高频升级版以及台积电 4nm 版的骁龙 8 Gen1 Plus。
此外，xiaomiui 此前还发现了小米 12 Ultra、小米 12S、小米 12S Pro 等机型，均搭载台积电 4nm 工艺的骁龙 8 Gen1 Plus，今年最后推出的旗舰手机将是 L12。
微软新款 Surface Pro X 曝光
搭载骁龙 8cx Gen 3 处理器
高通已经发布了骁龙 8 Gen 1 处理器，目前已经开始大规模应用到手机之中，但是由于这款芯片的发热量相当的大，因此实际温度控制得并不出色，让人十分地尴尬。不过除了手机之外，高通也一直希望能够进入到 PC 市场，之前也推出了不少为 PC 打造的处理器产品，反响平平。而据 BBC Tech Update 爆料，微软似乎想要帮上高通一把，将会在自家的 Surface 系列电脑上搭载高通的处理器，比如说骁龙 8cx Gen 3 这款处理器。
目前在跑分软件 GeekBench 上就出现了微软新一代 Surface Pro X 笔记本，搭载的便是骁龙 8cx Gen 3，型号名字为“OEMVL OEMVL”，具体的跑分为单核 1005 分，多核达到了 5574 分。而微软上一代的 Surface Pro X 搭载的是高通 SQ2 处理器，当时的单核分数为 800 分，多核分数则 3200 上下。也就是说单核分数提升了大约 12.5%，多核成绩提升幅度为 74%，多核成绩提升幅度还是相当明显的，应该是核心数更高了。虽然暂时没有 GPU 方面的得分，不过预计图形处理能力也有极大的提升。
当然这里的提升明显指的是和 SQ2 进行对比，要是跟苹果 M1 处理器进行对比，8cx Gen 3 处理器的性能还是不够看。不过这款笔记本主打的便是商务人群，比如说长续航的需求，因此绝对性能只要能够满足日常办公就足够了，估计微软 Surface Pro X 的续航成绩在 20 小时上下。相比较手机，笔记本能够提供相对充裕的空间给骁龙 8cx Gen 3，发热问题应该容易解决。
英特尔 1.8nm 量产早于台积电 2nm
性能或将超越台积电和三星
近日，台积电公布其 N2（即 2nm 制程）时间表，或于 2025 年底启动量产，晚于英特尔 18A 节点（相当于 1.8nm 制程）。机构指出，英特尔在先进制程开发上的加速使其相信可以“颠覆剧本”，并凭借 18A 节点在性能上超越竞争对手台积电和三星。
在台积电 N2 时间表发布的几天前，英特尔刚刚透露，其下一代 18A 节点将于 2024 年下半年投产，比此前预计的 2025 年提前了几个月。英特尔 CEO 基辛格认为，英特尔将凭借其 18A 节点成为工艺性能的领导者，投产提前表明其目前有十足的信心。
半导体咨询公司 IC Knowledge 的负责人 Scotten Jones 表示，如果英特尔真能如期实现其目标，将标志着竞争格局的逆转。此前，由于 10nm 和 7nm 工艺的失误，英特尔在前沿制造领域落后于台积电和三星。在此之前，该分析师认为英特尔没有机会赶上。
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