HJT 电池的产业化、规模化之路是否平坦，关键还是其经济性决定的，也就是之前我们有讨论到的 LCOE 指标。LCOE 强调全生命周期，对于更低 LCOE 的追求，一方面来自于“降本”，一方面来自于“提效”。HJT 电池的“降本提效”之路可概括为“更高效”、“薄片化”、“去银化”、“无铟化”。
HJT 电池成本构成中，硅片占比接近 50%；非硅材料成本构成中，银浆与靶材合计占比超过 70%。2021 年由于上游硅料供给受限以及大宗商品价格波动，光伏产业链价格呈现短期非常态，对于电池成本构成因素的 研究有较大扰动。剔除上述因素，一般而言，HJT 成本构成中，硅片占比约 50%。就非硅材料成本的构成来看，银浆、靶材占比分别高达 59%、14%。
关于 2022 年年末 HJT 电池成本做出测算，假设条件如下：
硅片价格：以 PV infoLink 2021 年年末硅片价格为基准，假设 2022 年降价 30%。
硅片尺寸：182 硅片。
硅片厚度：PERC 为 165μm，HJT 为 130μm。
N-P 硅片价差：N 型硅片相较于 P 型贵 8%。
折旧年限：为更真实反应设备迭代速度，按 5 年折旧计算成本。
2022 年年末 HJT 电池成本测算结果：
硅片成本，预计 2022 年 HJT 电池硅片成本 0.37 元/W，PERC 电 池受限于高温工艺，其硅片厚度进一步下降的空间有限。
非硅成本，HJT 电池主要围绕银浆耗量下降、低温 银浆国产化、设备投资额下降等降本措施。预计 2022 年 HJT 非硅成本 0.42 元/W，相较于 PERC+高出 0.22 元/W。
总成本：2022 年 HJT 电池成本预计为 0.78 元/W，硅片成本已经低于 PERC+，非硅成本仍然高于 PERC+，进 一步降低主要通过银耗下降（SMBB、银包铜、铜电镀的逐渐成熟）、低温银浆国产化等。
硅片厚度与银浆耗量敏感性分析结果：在其他假设不变前提下，我们就硅片厚度与银浆耗量做了敏感性分 析。基于 182 硅片：
硅片厚度降至 120μm，银浆耗量仍然为 190mg/片时，HJT 电池成本降为 0.75 元/W，降 幅 0.03 元/W；
硅片厚度降至 120μm，银浆耗量降至 170mg/片时，HJT 电池成本降为 0.73 元/W，降幅 0.05 元/W。
硅片厚度维持 130μm，银浆耗量降至 170mg/片时，HJT 电池成本降为 0.76 元/片，降幅 0.02 元/W。
我们就 2022 年 HJT 电池“降本”与“提效”的具体路径作出讨论：
降本：2019 年~2021 年的 3 年间，HJT 设备的国产化推进相对顺利，已经由早期的进口设备 10+亿元/GW 下降至目前国产设备的 4 亿元/GW 左右（部分产线已降至 4 亿元/GW 以下），预计 2022 年设备价格将通过规模 化、核心零部件逐步国产化进一步得到优化。
另一方面，全生命周期维度，折旧占电池片单位成本的比例并不 是很大，我们认为设备端已不再成为制约行业新进入者决策的核心因素。就 2022 年而言，硅片“薄片化”，非 硅成本中对于银浆耗量下降的探索显得尤为重要，成为主要矛盾。
提效：就 HJT 电池片环节而言，2022 年比较重要的观察窗口为“微晶化工艺”在产业化量产线上导入的 顺利与否。微晶化工艺在实验室已经较为成熟，如果能够成功将其引入产业化生产过程，预计对于 HJT 的电池 提效效果会非常明显。结合“降本”端的不断突破，HJT 电池大规模产业化之路或将愈发清晰。
2.2.2 围绕“薄片化”与“降银耗”继续降本
薄片化进程：HJT 电池为双面对称结构，叠加其低温工艺属性，在规模化量产中更适合硅片的薄片化。目 前 N 型硅片一般厚度 150μm，预计行业 2022 年将减薄至 130μm，2023 年有望进一步减薄至 120μm。根据测 算，硅片每减薄 20μm，可使成本下降 10%。
“降低银耗量”的思路分为两种。一种即降低银浆用量绝对值，通过工艺改进尽可能在金属化环节减少银 浆的使用或者损耗，比如将栅线变细，提高高宽比等。另一种思路为通过用贱金属替代银，达到减少、未来甚 至是不需要银浆的目的。
第一种思路对应的实现路径包括 SMBB、网版图形优化、钢板印刷、激光转印等：
（1）SMBB 降本增效主 要来自于优化电流传输路径，主栅之间细栅长度缩短，可以有效降低细栅电阻，细栅可以变得更细；主栅数量 增多，显著减小光生电流传输路径，减小功率损耗。栅线宽度变细，叠加无网结网版的使用，可以进一步降低 银耗。以 12BB 为例，其可将 HJT 电池银浆耗量降至 130mg 左右。
（2）行业内也在积极探索传统网版丝网印刷 之外的金属化实现方式，目的希望提高高宽比，比如改进现有网版的材料、优化网版图形、激光转印等。激光 转印可以实现超细线宽的金属栅线的无接触式印刷，其优点主要包括降低银浆耗量，栅线宽度可以降至 18μm，节省浆料 30%；减少遮光面积，正面细栅变细减少遮光，改善电性能；降低电池破损率，因为激光转印为非接 触式印刷，隐裂刮伤等问题得以解决。
第二种思路对应的实现路径是使用贱金属代替传统银浆，包括银包铜、电镀铜等：HJT 电池为低温工艺，从这个角度看，其在目前各电池技术中，相对而言最适合导入铜工艺。从银包铜含银量的逐步下降，到电镀铜 工艺，终极目标是摆脱对于银的使用。
（1）新型银包铜浆料具有降低 HJT 电池电极成本 30%的潜力，2022 年银 包铜技术将有望导入 HJT 电池量产线。
（2）电镀铜工艺可以实现铜对于银的完全替代，但是现阶段主要受制于 工艺尚未完全成熟以及设备投资额较高，预计还需要 2~3 年的产业化培育时间，为银包铜技术之后重要的降银 耗方法。实验室的表现来看，2021 年 9 月，SunDrive 联合迈为股份，利用迈为的 HJT 设备与 SunDrive 电镀工 艺，在全尺寸（M6）单晶 HJT 电池上光电转换效率达到 25.54%。
2.2.3 具有微晶结构的 HJT 电池将于 2022 年导入工业化生产
HJT 电池 1.0 版本（即目前量产的），其本征层、P 型掺杂层、N 型掺杂层均为非晶硅。HJT 2.0 版本定义为在 1.0 版本的基础上，在 HJT 电池正表面引入微晶化 工艺，做掺杂微晶氧化硅。2.0 版本电池背表面维持不变。
在现有 HJT 电池上导入微晶化工艺，将有助于提升电导率、降低 TCO 层的压力，同时，其透光性也将得到提升：纳米晶硅（nc-Si）与非晶硅（a-Si）均为硅的同素异形体。纳米晶硅具有小的无定形态的硅晶粒，有 时也被成为微晶硅（μc-Si），区别主要在于晶粒颗粒的大小。微晶硅材料具有连续可调的带隙，较宽的光谱响 应范围，非常适合 HJT 电池。氢化微晶硅优点为具有高掺杂效率、高电导率、大载流子迁移率等，相较于氢化 非晶硅拥有更宽的光谱响应范围，可拓展至红外部分。
具有微晶结构的 HJT 电池预计将于 2022 年导入工业化生产。金刚玻璃 600MW 的 HJT 产线计划使用微晶 化工艺，生产设备进场时间为 2021 年 12 月。2021 年 11 月，华晟与迈为就联合开发单线产能 500MW 以上异质 结单面微晶（目标 25%，华晟二期）与双面微晶（目标 25.5%，华晟三期）电池产线达成合作，产线计划使用 华晟开发的单面微晶、双面微晶工艺与迈为开发的大产能 PECVD、PVD，设备计划于 2022 年 2 月份搬入。
对于 PECVD 设备而言，微晶化工艺的导入，设备方面也要做小幅的改动。微晶硅的高氢稀释比特性导致 其沉积速度变慢，需要用 VHF 电源。同时，由于驻波效应，载板不能太大。（报告来源：未来智库）