ISSCC 2022（IEEE 国际固态电路会议）将于2月24日举行，不少厂商会选择在这次大会上展示最新的半导体制造技术。其中SK海力士将介绍其最新的HBM3内存技术，带宽达到了896 GB/s，同时还会有速率为27 Gbps的GDDR6。
SK海力士是对于HBM内存的研发一直非常积极，早在去年6月份就展示了第一款HBM3内存，提供了665 GB/s的带宽。随后在去年10月份，SK海力士已宣布成功开发出了HBM3内存，成为全球首家开发出新一代HBM内存的公司。
SK海力士提供了两种容量，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB，另一个则是8层堆叠的16GB，前者的芯片高度也仅为30微米。这些HBM3内存可提供819 GB/s的带宽，比上一代HBM2E的带宽则是460GB/s，带宽提高了78%。此外，HBM3内存还内置了片上纠错技术，提高了产品的可靠性。
这次SK海力士带来的HBM3内存仍然是采用12层硅通孔技术，最大容量也是24GB（196Gb），不过带宽提高到了896 GB/s，据称还使用了自动校准和机器学习优化技术。暂时还不清楚SK海力士的这些HBM3内存是处于原型阶段，还是打算大规模批量生产。
此外，SK海力士还将展示速率为27 Gbps的GDDR6，采用了T-coil电路结构，以实现更高的传输速度，比三星最高的24 Gbps产品更快。其容量为2GB（16Gb），与三星的GDDR6，以及美光的GDDR6X相同。