1、简介
STM8S内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM是由一组通用寄存器来控制的；所以我们可以通过这些通用寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。我们也可以自己对器件的 option byte 进行编程。在这里我们只简单的讲解如何对STM8S内部的数据存储区域（data memory）进行写操作、读操作、擦除操作。
2、存储架构图
STM8S内部存储包括：FLASH程序存储器（FLASH program memory）和数据EEPROM（DATA EEPROM）；
（1）数据EEPROM又包括：
数据存储区域（DATA MEMORY）：指定从地址0x00 4000开始，其中包括 [1 block] 的option byte，数据存储区域用于存储应用数据；
（2）FLASH程序存储器又包括：
用户启动区域（USER BOOT CODE）：指定从地址0x00 8000开始，其中包括UBC option bytes和 [128 byte] 的中断矢量（interrupt vectors）；
程序存储区域（MAIN PROGRAM）：用于存储应用程序代码；
所以我们的操作是在DATA MEMORY里面，在该区域的指定地址进行读取内容、写入内容、擦除内容。
3、操作方法
（1）FLASH_ReadByte( ADDRESS )：读取地址ADDRESS处的1字节内容
（2）FLASH_ProgramByte( ADDRESS , DATA )：写1字节的内容到地址ADDRESS处
（3）FLASH_EraseByte( ADDRESS )：在地址ADDRESS处删除1字节的内容
4、操作步骤
使用操作前的配置
（1）配置选择编程时间，选择标准模式；
（2）解除数据存储区域的写保护；
说明：UBC和DATA MEMORY都有写保护，其中UBC的写保护是永远无法解锁的，而DATA MEMORY的写保护是可以通过连续写入两个MASS密钥值来解除该区域的写保护的；第一个密钥为0x56，第二个密钥为0xAE；只有当两个密钥输入正确（输入到寄存器FLASH_DUKR中）且输入密钥的先后顺序正确时，才会解除写保护；否则该区域在下一次系统复位之前都将一直保持写保护状态。
（3）读取、写入、擦除等操作；
5、代码实现