1、簡介
STM8S内部的FLASH程式存儲器和資料EEPROM是由一組通用寄存器來控制的；是以我們可以通過這些通用寄存器來程式設計或擦除存儲器的内容、設定寫保護、或者配置特定的低功耗模式。我們也可以自己對器件的 option byte 進行程式設計。在這裡我們隻簡單的講解如何對STM8S内部的資料存儲區域（data memory）進行寫操作、讀操作、擦除操作。
2、存儲架構圖
STM8S内部存儲包括：FLASH程式存儲器（FLASH program memory）和資料EEPROM（DATA EEPROM）；
（1）資料EEPROM又包括：
資料存儲區域（DATA MEMORY）：指定從位址0x00 4000開始，其中包括 [1 block] 的option byte，資料存儲區域用于存儲應用資料；
（2）FLASH程式存儲器又包括：
使用者啟動區域（USER BOOT CODE）：指定從位址0x00 8000開始，其中包括UBC option bytes和 [128 byte] 的中斷矢量（interrupt vectors）；
程式存儲區域（MAIN PROGRAM）：用于存儲應用程式代碼；
是以我們的操作是在DATA MEMORY裡面，在該區域的指定位址進行讀取内容、寫入内容、擦除内容。
3、操作方法
（1）FLASH_ReadByte( ADDRESS )：讀取位址ADDRESS處的1位元組内容
（2）FLASH_ProgramByte( ADDRESS , DATA )：寫1位元組的内容到位址ADDRESS處
（3）FLASH_EraseByte( ADDRESS )：在位址ADDRESS處删除1位元組的内容
4、操作步驟
使用操作前的配置
（1）配置選擇程式設計時間，選擇标準模式；
（2）解除資料存儲區域的寫保護；
說明：UBC和DATA MEMORY都有寫保護，其中UBC的寫保護是永遠無法解鎖的，而DATA MEMORY的寫保護是可以通過連續寫入兩個MASS密鑰值來解除該區域的寫保護的；第一個密鑰為0x56，第二個密鑰為0xAE；隻有當兩個密鑰輸入正确（輸入到寄存器FLASH_DUKR中）且輸入密鑰的先後順序正确時，才會解除寫保護；否則該區域在下一次系統複位之前都将一直保持寫保護狀态。
（3）讀取、寫入、擦除等操作；
5、代碼實作