Dell EMC透露NVMe战略，为什么阵列还要等半年？

周末看到个消息，觉得有点价值跟大家分享下。

这是一篇来自Dell EMC英文博客的文章，标题为《NVMe – the Yellow BrickRoad to New Levels of Performance》，里面有一张图：

这里提到的3个要点是

-         灵活：跨不同存储产品形态——阵列、融合（包括超融合）和软件定义；

-         敏捷：基于行业标准技术构建；

-         可靠：由Dell EMC设计和测试。

EMC从收购XtremIO并发布第一代产品开始就采用标准尺寸SAS SSD驱动器，看来NVMe仍然延续该风格。

EMC这篇博客中也不避讳提到了最近大力宣传NVMe的Pure Storage：

“那个来自Pure Storage时髦的新品“100％NVMe”阵列怎么样呢？他们为这个新的阵列打造了自己专有的“NVMe驱动器”（被称为“Flash模块”），这是昂贵的，客户将不得不付出代价。迄今为止，还没有发布新的FlashArray //X的性能基准（还注意到PureStorage的FlashArray //M的现有性能指标也已从其网站上删除）。这些会你想怀疑...”

EMC也提到Violin Memory使用专有闪存模块失败的例子，对友商的评价大家看看就好，考虑到国内存储厂商也有人撰写类似的文字，所以我也没啥可说的。毕竟大家都有自己的判断力：）

NVMe SSD真的会使阵列更快吗？

我想跟大家聊的，主要是上面的路线图。

然后是VxRack和VxRail超融合，这里面的主角是VMware vSAN，新版本6.6加入对Intel Optane SSD P4800X（3D XPoint Memory）的支持，用于写缓存层并且采用NVMe接口。当然普通NVMe SSD也可以用于Cache或者容量层。

大约在2017年底-2018年初，推出基于NVMe的阵列，我最感兴趣的是这个。

一个PCIe SSD在服务器本地跑到几十万、甚至上百万IOPS今天已经不是新闻；而双控AFA也就几十万IOPS的性能，里面至少会有十块以上的SAS SSD。为了实现共享存储、冗余高可用、快照、重删/压缩等各种数据服务，全闪存阵列的瓶颈一般不在盘上，而且包括Oracle等数据库在内的主流应用绝大多数时候都能胜任。

所以我真正关心的，是NVMe怎么给阵列带来质变？可以想到的一个方向是3D XPoint Memory对分层存储的重新定义。现在的AFA可以用不同类型SSD分层，但引入更快的SCM介质意义应该更大。不知即将发布的U.2 Optane SSD会不会有双端口？而在Server SAN/超融合中现在就可以用P4800X做为写缓存，或者放置需要最高性能的元数据了。

Intel介绍了一个8节点Ceph集群，使用了BlueStore存储引擎，将WAL和DB放在一个Optane P4800 SSD上。我们暂且先不讨论该配置在今天的实用性达到什么程度，下面先看看性能。

8个节点跑到280万随机读IOPS，每节点超过30万了，每节点写IOPS也达到7万。按照我们的经验Ceph对CPU资源开销属于分布式存储软件中比较大的，能测出上面的水平，我想各家商业SDS在性能优化上可能会有点压力。

无论分布式还是集中存储，如何更好发挥NVMe SSD的性能都是一个要考虑的问题。两个存储控制器之间的NTB通道，如果用PCIe 3.0 x8其写带宽不到8GB/s，而它还没有成为几十万IOPS（往往是混合读写）的瓶颈。那么，存储软件的效率能否有所突破，我认为这才是对NVMe最关键的。

最后再推荐下我写的评测，也希望大家多了解3D XPoint Memory和Optane。

参考资料

https://blog.dellemc.com/en-us/nvme-the-yellow-brick-road-to-new-levels-of-performance/