認識HBM vs. HMC：颠覆性能的兩種伺服器記憶體類型

資料中心硬體買家可以評估兩種新興的伺服器類型記憶體，搭建未來高性能系統。

高帶寬記憶體(hbm)是一種用于支援記憶體裝置資料吞吐量的高性能接口，其性能遠超正常形式的記憶體。

混合存儲立方(hmc)技術帶來遠超傳統高帶寬記憶體設計的性能，如雙倍資料率三代與四代(ddr3和ddr4)，但是這兩種方法采用的技術不同，它們對伺服器記憶體性能的提升也有所不同。

高帶寬記憶體的未來伺服器

hbm的思路十分直接：讓記憶體裝置靠近cpu或gpu。目前的計算機設計一般會通過将記憶體子產品安裝在主機闆的插槽上，隔離記憶體與計算晶片。這類型的伺服器記憶體受到了時鐘率的限制，阻礙每個時鐘周期資料的可傳輸量。

hbm方法将記憶體晶片堆疊到一個矩陣裡，接着将處理器與記憶體堆疊組合在一起，形成一個基本元件，然後将其安裝到伺服器主機闆上。

hbm棧并不是實體上與cpu和gpu內建，而是采用載闆。然而，相關支援的半導體制造商如amd表示，hbm方案與在處理器上內建存儲器的方案沒有太大差別。

是以，hbm到底有哪些優勢?hbm子產品可以在極低的頻率與更少的能耗下提供遠超正常記憶體的帶寬。例如，根據amd的研究，一個典型的圖形ddr5包使用32位總線，在1,750mhz，1.5伏電壓下，最高帶寬為28gb每秒。一個hbm包使用1,024位總線，隻需要500mhz，1.3v電壓，就能達到超過100gb的帶寬。而且，hbm提供了與cpu或內建gpu支援伺服器的多功能性。未來伺服器可能會出現hbm同時服務cpu和gpu的情況。

混合存儲立方如何影響未來伺服器?

傳統伺服器記憶體類型，如dimm，使用伺服器主機闆上的并行接口連接配接獨立晶片。混合存儲立方與之相反，通過堆疊存儲晶片到垂直元件，建立3-d陣列的串行記憶體通路。這些陣列增加了一個邏輯層來管理記憶體，而且伺服器制造商可以在每個處理器附近安裝這個元件。這種近記憶體或短距離設計是比較常見的，而且能夠提供比标榜低功耗的遠距離記憶體架構提供更高的性能。

混合存儲立方可以最多連接配接8個包。根據hmc聯合會，也就是推動該标準的供應商組織聲稱，hmc能夠提供ddr3記憶體裝置15倍的帶寬，節約70%的能耗并且實體尺寸僅為其90%。例如，美光的2gb與4gb hmc産品技術号稱帶寬能達到120gb和160gb。hmc産品現已上市，而且像intel的xeon phi圖形協處理器采用hmc技術，能比gddr5記憶體裝置提升約50%的記憶體吞吐量。

hmc與hbm互相競争，兩種技術不相容。

本文轉自d1net（轉載）