Rambus 詳細介紹了其下一代HBM4記憶體控制器，與現有的 HBM3 和 HBM3E 解決方案相比，HBM4 将實作顯著提升。随着 JEDEC 逐漸敲定 HBM4 記憶體規格，我們獲得了下一代解決方案的第一手細節。 HBM4 記憶體解決方案主要面向人工智能和資料中心市場，将繼續擴充現有 HBM DRAM 設計的功能。
從細節入手，Rambus 釋出了其 HBM4 記憶體控制器，每引腳速度超過 6.4 Gb/s，應該比第一代 HBM3 解決方案更快，同時比采用相同 16-Hi 堆棧和 64 GB 最大容量設計的 HBM3E 解決方案提供更多帶寬。 HBM4 的起始帶寬為 1638 GB/s，比 HBM3E 高 33%，比 HBM3 高 2 倍。
目前，HBM3E 解決方案的運作速度高達 9.6 Gb/s，每個堆棧的帶寬高達 1.229 TB/s。 随着 HBM4 的推出，記憶體解決方案将提供高達 10 Gb/s 的速度和每個 HBM 接口高達 2.56 GB/s 的帶寬。 這将是 HBM3E 的 2 倍多，但 HBM4 記憶體的全部功能還需要一段時間才能顯現，隻有在産量提高後才能使用。 HBM4 記憶體解決方案的其他功能包括：ECC、RMW（讀取-修改-寫入）、錯誤擦除等。
據報道，SK Hynix 目前已開始量産其容量高達 36 GB、速度為 9.6 Gbps 的 12 層 HBM3E 記憶體，而其下一代 HBM4 記憶體預計将于本月推出。 與此同時，三星預計将在 2025 年底開始量産 HBM4 記憶體，并有望在本季度推出。
目前，NVIDIA 的 Rubin GPU 預計将于 2026 年面世，它将成為首個支援 HBM4 記憶體的人工智能平台，而 Instinct MI400 預計也将采用下一代設計，但 AMD 尚未證明這一點。