多年前，智能手機行業曾出現過一起知名的“閃存門”事件。某品牌在當時最新的旗艦機中混用eMMC和UFS閃存被“抓包”後，品牌方一度聲稱隻要系統優化得當，兩種閃存之間的性能差距便不會那麼明顯。
很顯然，這樣的說辭并沒有被當時的消費者普遍接受。是以在後來的一段時間裡，手機的閃存測速軟體曾一度成為各應用商店“嚴防死守”的對象，甚至于在部分品牌的手機上，就連安裝這類App都會出現警告和阻攔。
不過當時間來到現在，智能手機上的閃存測速顯然已經不再被人為限制了。但這是否就意味着手機廠商已然“改過自新”，在閃存品質這個問題上能夠完全讓人放心了呢？或許也并不見得。
比如在這兩款今年釋出的新機閃存測速結果中，雖然它們都使用了相同版本的測速軟體，而且測速此前手機都沒怎麼使用過，也就是說基本可以排除閃存因為長期使用造成“磨損”偏差。但即便如此，很明顯兩台機型出現了顯著的閃存速度差異。那麼這是為什麼呢，是因為不同平台之間的性能差異導緻的嗎？
其實是有一定這種可能性的，畢竟現在智能手機上的這些UFS閃存，在原理上都比較接近PC的NVMe硬碟。也就是說，更高的CPU性能确實就會帶來更高的4K随機讀寫速度。
更不要說在部分SoC中，甚至還具備針對UFS閃存的額外優化，本身就能發揮出更高隊列深度的并發讀寫性能，是以在搭載這些SoC的機型上出現更高的閃存速度自然也就不令人感到意外了。
除了SoC的技術、性能差異所帶來的閃存“拉動”效應的差異之外，要說當下手機閃存本身是不是本就存在着品質優劣的差別，答案其實也是肯定的。
畢竟大家都知道，目前的主流閃存在結構上基本可以分為SLC、MLC、TLC和QLC四大類。越往前延遲越低、性能越高，但也越難做出大容量，而且成本更是會顯著呈幾何倍數增長。而越靠後的類型則容量越大、價格越便宜，但性能和可靠性也就會出現相應的顯著衰減。
對于消費級市場來說，MLC由于性能和成本都不拔尖，是以早已退場。除了極少數低延遲特化的SSD（比如三星983ZET、海力士D7-5810）還在使用SLC之外，目前的情況基本上就是TLC占據了從旗艦到高端市場，QLC則代表絕大多數主流産品的品質。
正因如此，在智能手機上，TLC和QLC閃存自然也就會分别被應用在不同價位段、不同性能定位的機型中。是以它們當然就會表現出不同的，甚至可以說是差距極大的性能表現。
即便都是UFS4.0，同樣也有高低快慢之分
特别是對于一些價格低廉，但容量又極大的機型來說，指望它們能配備很好的旗艦SoC、或者是使用品質很高的（非QLC級别）閃存，基本都是不太現實的。那麼對于這些機型來說，它們的閃存速度比其他機型更慢，自然也就在“成本效益”的合理範疇内了。
順帶一提，如今智能手機中的閃存其實基本都是帶有模拟SLC緩存機制的，是以前文所述的這些“閃存性能”，實際上都還是隻是考慮到了SoC性能和閃存體質差異之後的“緩内性能”。如果手機用得久了，閃存剩餘容量太少、碎片太多，那麼緩存機制就可能會失效。此時才會暴露出真正的、基于閃存顆粒體質的純粹“緩外性能”。而不同配置和閃存體質的差異，此時才将變得更加明顯。
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