來自北京車展主辦方的資訊顯示，此次參展的新能源車型多達278個，其中，800V高壓平台上車成為今年車展的一大看點，搭載800V架構的全新問界M5、享界S9、蔚來樂道L60、極氪MIX、星途星紀元ET等車型紛紛亮相。
2023年以來，衆多車企在新能源汽車的續航裡程與補能速度上發力，800V車型由此接踵落地，這進一步加速碳化矽規模上車。800V系統平台搭載碳化矽，能有效緩解續航和補能焦慮，是以兩者被稱為“絕配CP”。
■圖注：芯聯內建6英寸碳化矽平面MOS晶片，主要用于新能源汽車主驅逆變器
作為稀缺的一站式晶片系統代工解決方案供應商，2023年，芯聯內建6英寸碳化矽晶圓廠出貨規模已超過月産5000片，且出貨量位列中國SiC MOS規模量産出貨第一名。芯聯內建自去年開始量産平面SiC MOS以來，實作了90%的産品應用于新能源汽車主驅逆變器。
01.
碳化矽上車，帶來整車效率質的飛躍
随着新能源汽車市場發展的高歌猛進，整車廠都希望提高車輛的表現力，包括更快的充電時間、更持久的續航裡程，以及優質的駕乘體驗等等，以獲得更多市場競争力，而碳化矽的存在就尤為重要。
碳化矽應用于新能源汽車内部的關鍵電力系統，包括主驅逆變器、車載充電器（OBC）和DC-DC轉換器。與傳統矽基器件相比，作為第三代半導體技術，碳化矽因其耐高壓、高開關頻率、耐高溫和低導通損耗等特點，可實作更高的系統效率、更低的損耗和空間小型化，是以在電能轉換中得到大規模應用。
02.
芯聯內建具備碳化矽産品全棧能力，性能比肩國際先進水準
當下，在碳化矽晶片集中上量的主驅逆變器應用領域，芯聯內建已把握先機，成功跻身于國内頭部陣營。
技術不斷創新，産品快速疊代是芯聯內建在短時間内取得市場突破的最大驅動力。從啟動碳化矽産線預研，到大批量出貨，芯聯內建用了三年時間，疊代了三代SiC MOS産品，最新第三代1200V SiC MOS 已于2023年底在汽車主驅應用量産，具備國際領先的晶片能力。
特别值得一提的是，在備受碳化矽需求應用端關注而又為之苦惱的良率方面，芯聯內建第三代1200V SiC MOS達到業界領先的水準。
同時，在影響碳化矽器件性能、故障率和壽命的溫度方面，芯聯內建第三代1200V SiC MOS支援200℃的工作結溫，而且具有更好的高溫性能：
● 25℃Rdson @13mohm
● 150℃[email protected]
● 175℃[email protected]
除了這些優勢，芯聯內建第三代1200V SiC MOS還支援門極負壓關斷（推薦門極工作電壓-5V/18V），且已認證AQG-324可靠性驗證标準，以及加嚴的DGS、DRB (動态HTGB、動态HTRB)可靠性驗證。
及時響應整車廠對于碳化矽的應用需求，芯聯內建不僅能提供碳化矽晶片代工，同時具備了從設計、制造到封裝、測試的全棧能力，公司可提供包含設計服務、晶圓制造、模組封裝、應用驗證、可靠性測試的一站式晶片及系統代工解決方案，能靈活滿足不同整車廠的需求。
芯聯內建生産的車載SiC子產品，采用高性能的平面栅形SiC MOSFET晶片的灌封和塑封封裝技術，産品覆寫750V-1200V全系列，可以分别滿足400V和800V車載系統的需求，産品規格如下圖，性能比肩國際碳化矽廠商水準。
■圖注：芯聯內建碳化矽子產品系列産品
■圖注：芯聯內建單面散熱塑封全橋SiC子產品，主要用于新能源汽車主驅逆變器等
長闆優勢已顯，未來更為可期。芯聯內建的國内首條8英寸晶圓研發線将于2024年底通線，屆時8英寸晶圓帶來的成本與産能優勢，将更好地滿足車企對“增效降本”的追求。
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來源：NE時代半導體
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