4 月 25 日消息，南韓科技先進研究院（KAIST）近日發表論文，成功研發新型相變存儲器（phase change memory，PCM），可以靈活切換結晶（低電阻）和非晶體（高電阻），進而結合 DRAM 和 NAND 的優點。
DRAM 速度快但不穩定，這意味着斷電時（例如關閉計算機時）存儲在其中的資料就會消失；而 NAND 閃存即使斷電也能保留資料，但速度明顯慢于 DRAM。
圖源：IBMPCM 雖然實作了速度和非易失性的“魚與熊掌兼得”，但制造成本非常昂貴，而且需要大量熱量将相變材料熔化成非晶态，是以生産過程非常耗電。由 Shinhyun Choi 教授帶領的科研團隊設計了新的方法，通過僅收縮直接參與相變過程的元件，建立相變納米絲（phase-changeable nano filament）。
與使用昂貴的光刻工具制造的傳統相變存儲器相比，這種新穎的方法将耗電量降低至 15 分之一，而且制造成本也低得多。新型相變存儲器保留了傳統存儲器的許多特性，如速度快、ON / OFF 比大、變化小、多級存儲特性等。Choi 表示，他們預計研究結果将成為未來電子工程的基礎，并可能應用于高密度 3D 垂直存儲器、神經形态計算系統、邊緣處理器和記憶體計算系統。
來 源 | IT之家
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