當MOS管驅動能力不足時，我們會使用推挽電路來放大電流，但是MOS管明明是壓控型器件，為什麼要去考慮電流大小呢？
推挽工作原理：由電源IC發出占空比信号，也就是這個方波，通過電阻限流到達三極管的基極：上管是npn下管是pnp。
當信号為高電平輸出到達三極管基極時，Q1導通，（npn在高電平時導通），随後MOS管導通。
當輸出低電平時，上管Q1截止，Q2導通（pnp是低電平導通），随後MOS管通過電阻放電到地，最後截止。
也就是說，通過兩個三極管輪流工作來進行一推一挽，來達到推挽的功能。
這裡的R1的作用是用來确定開機時候的初始電位，以防開機誤觸發mos管，以及關機放電。
那R2呢？有沒有小夥伴知道的在評論區解答一下~
通常會使用推挽電路是因為，有時一些IC或者CPU的電流比較小，不足以驅動MOS管，是以加入推挽來增加驅動能力。
那為什麼MOS管是壓控性器件，還需要考慮電流大小進行驅動？
這是一個IC直接驅動電路：
首先需要從IC手冊中了解它最大的峰值驅動電流（不同IC晶片驅動能力不同），C1、C2決定了MOS管被驅動時 的導通速度。
當IC電流比較小時，C1 C2會比較大，這時MOS管的驅動速度會變慢，在有些電路中是不适應的。
原因很簡單,這是因為MOS管的輸入電容CGS和CGD這兩個電容和晶片的面積有一定關系，MOS管本質上雖然是壓控型器件，但栅極電位的上升與下降本質上是對CGS、CGD電容的充放電速度。
是以當MOS管驅動能力不足時，就需要利用推挽來進行放大電流了。