半導體晶片已滲透生活的方方面面。全球半導體市場規模去年首破5000億美元，預計2030年将達1萬億。随着晶片制程進入5納米時代，EUV光刻機（>1億美元/台）成為必需裝備。目前，僅荷蘭ASML公司能生産此類裝置，但受美國出口限制影響，無法向中國銷售。
近日，光學巨頭佳能開始挑戰ASML的主導地位。由于在納米壓印技術上（Nano imprint Lithography,NIL）取得重大突破，佳能計劃在日本栃木縣投資約3.45億美元建設半導體裝置工廠，目标在2025年投産。佳能希望通過銷售納米壓印裝置，打破ASML在高端晶片裝置的壟斷。
佳能是以相機、影印機和列印機聞名的公司，但它也有着悠久的晶片制造曆史，曾經是光刻裝置的上司者之一。按銷量計算，目前佳能控制着全球光刻裝置市場的30%，落後于ASML（占 60%）。
相較于EUV光刻機，佳能的NIL裝置制造成本可降低40%，能耗僅為EUV的10%。新機型FPA-1200NZ2C不僅可實作工藝節點達5納米水準，還可進一步縮小至2納米。相比之下，目前最先進的蘋果A17晶片僅為3納米工藝，三星和台積電明年才可能實作2納米。
壓印技術通過直接複制帶電路圖案的模具，避開了光刻的限制。這種技術分辨率更高，可實作更複雜的三維電路，降低制造成本。由于工作原理不同,導緻其有很多獨特的性質。
1、技術原理：Canon的NIL是一種實體壓印過程，通過在矽片上實體壓印模闆來形成納米級别的圖案。而ASML的EUV則是一種光學方式，其使用極紫外光（波長約為13.5nm）通過光罩的某些部分照射到矽片上，進而形成圖案。
2、解決問題：NIL更多地是解決成本問題，其可以在更低的成本下實作更高分辨率的圖像，而且對于某些特别細小的特性，比如單層原子電路，可能是無法被光學方式解決的。而EUV解決的是像素密度。
3、技術挑戰：NIL的挑戰包括模闆的制造、對齊問題和通過實體方式可能會導緻的矽片表面損傷等。而EVL的挑戰的複雜性則更高，包括光源的穩定性、光罩的對齊和曝光的精度等。
NIL和EUV光刻機目前優缺點對比
| 名額 | CANNON NIL | ASML EUV |
| 分辨率 | 10nm以下 | 5nm以下 |
| 套印精度要求 | 高 | 低 |
| 模闆制作難度 | 高 | 低 |
| 模闆壽命 | 有限 | 長 |
| 成本 | 低 | 高 |
| 效率 | 高 | 低 |
| 可靠性 | 高 | 高 |
| 應用領域 | 成本敏感 | 高端 |
佳能的技術突破和市場政策轉變，意味着ASML在高端晶片裝置市場的主導地位受到挑戰，引發行業變革。
半導體是人工智能、軍事應用等領域的關鍵組成元素，也是中美之間技術戰的核心。美國政府采取出口限制和各種制裁措施，期望阻斷中國對關鍵晶片和制造裝置的供應。佳能的新裝置可能會在中美貿易戰中産生新的争議。盡管如此，佳能向ASML的挑戰給我們起到了示範作用， 晶片制造不隻是一條路，ASML的壟斷局面難以長久。