利用STM32的FSMC控制2.8寸TFTLCD問題。

一、LCD位址結構體

typedef struct

{

u16 LCD_REG;

u16 LCD_RAM;

} LCD_TypeDef;

//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector4,位址位HADDR[27,26]=11 A6作為資料指令區分線 

//注意設定時STM32内部會右移一位對其! 111 1110=0X7E    

#define LCD_BASE        ((u32)(0x6C000000 | 0x0000007E))   

#define LCD             ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)

1、LCD為指針強制類型轉換，指向NE4(Bank1第四區)A6。

2、為什麼會右移一位？

 因為當Bank1 接的是16 位寬度存儲器的時候：HADDR[25:1]-->FSMC[24:0]。

        當 Bank1 接的是 8位寬度存儲器的時候： HADDR[25:0]-->FSMC[25:0]。

 而不論外部接8 位/16位寬裝置， FSMC_A[0]永遠接在外部裝置位址A[0]。這裡， TFTLCD使用的是16 位資料寬度，是以HADDR[0]并沒有用到，隻有HADDR[25:1]是有效的，對應關系變為：HADDR[25:1]--> FSMC[24:0]，相當于右移了一位。另外，HADDR[27:26]的設定，是不需要我們幹預的，初始化的時候可以選擇區。

3、為什麼是7E？  7E轉換成二進制就是： 1111110，而16 位資料時，位址右移一位對齊，那麼實際對應到位址引腳的時候，就是：A6:A0=0111111，此時A6 是 0，但是如果 16 位位址再加1（注意：對應到 8位位址是加 2，即7E+0X02），那麼： A6:A0=1000000，此時 A6 就是 1了，即實作了對 RS 的 0 和1 的控制。 還有一個簡單的方法就是，當選A6時将第七位和最後一位置0，為01111110=0X7E 8 位位址是加 2為1000000，就可以實作A6對RS的控制了，例如我操作NE1、A10那麼位址就為(u32)(0x60000000 | 0x000007FE)，其中7FE=011111111110。

注：1、HADDR是需要轉換到外部存儲器的内部AHB位址線。