stm學習---FSMC控制TFT屏程式1

在研究原子的程式時，有下面3段

1.

typedef struct

{

vu16 LCD_REG;

vu16 LCD_RAM;

} LCD_TypeDef;

#define LCD_BASE ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))

#define LCD ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)

2.

void LCD_WR_REG(u16 regval)

{

LCD->LCD_REG=regval;

}

void LCD_WR_DATA(u16 data)

{

LCD->LCD_RAM=data;

}

3.

LCD_WR_REG(0xED);

LCD_WR_DATA(0x64);

其中涉及到了結構體（結構體是一種資料類型）、指針、尋址、FSMC、TFT屏，該段程式實際是定義TFT屏（該屏是8080的16位并口模式）的RS标志線為位址0x000007FE：

1.FSMC可以控制外部 SRAM，SRAM有位址線（如 A0~A18）、資料線（如 D0~D15）、寫信号（WE）、讀信号（OE）、片選信号（CS），如果 SRAM 支援位元組控制，那麼還有 UB/LB 信号；TFTLCD有資料線（如 D0~D15）、WR、RD、CS、RST（複位，可以硬體實作） 、RS、BL（背光控制），實際用D0~D15、WR、RD、 CS、RS即可控制TFT。向FSMC尋址的位址寫資料，則FSMC的資料線就輸出該資料，這樣則FSMC可以控制TFT了，由于FSMC有位址線，TFT沒有位址線，但是有RS信号線，RS是資料/指令信号線，RS=0時表示TFT接收的是指令，RS=1時表示TFT接收的是資料,那麼FSMC隻要位址線的任何一根線連接配接了RS都可以控制TFT了：語句#define LCD_BASE ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))中0x6C000000是fsmc4個管理塊中的Bank1的分區4的起始位址，對應位址信号全為0，由于使用了A10連接配接TFT的RS線，為了友善尋址連續，則A10為低電平時的最大尋址位址是0x000007FF，而現在為什麼是0x000007FE，是因為FSMC是由HADDR控制的，HADDR是内部AHB位址總線，當Bank1接的是16位寬度存儲器的時候：HADDR[25:1]對應FSMC-A[24:0]，相當于HADDR[25:1]右移一位，HADDR[25:0]的26根線，才能尋址64M位址，是以A10接在RS上相當于HADDR[11]接在RS上，即A10為高電平時的最大尋址位址是0x00000FFF，現在((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)将轉換成結構體位址指針，指向結構體第一個成員，即首位址是((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))即0x6C0007FE即此時HADDR[11：0]為011111111110即0x7FE，H[11]低電平即A10低電平，為使尋址連續，是以H[11]高電平即A10高電平時可以對應HADDR[11：0]為100000000000，即0x800，這樣FSMC尋址0x6C0007FE時，則RS為低電平，向0x6C0007FE 寫入資料，則FSMC的資料線向TFT傳送該資料，則TFT認為該資料為指令；FSMC尋址0x6C000800時，則RS為高電平，向0x6C000800 寫入資料，則FSMC的資料線向TFT傳送該資料，則TFT認為該資料為資料；另外0x6C0007FE與0x6C000800差了兩個位元組，是因為FSMC使用了16位模式，資料總線是16位，則位址必須占用兩個位元組才能向位址寫資料。實際FMSC控制TFT并沒有真正尋TFT的位址空間， FSMC隻是通過自身的位址線控制RS，向該位址寫資料就是向資料線傳輸資料，TFT通過RS的高低電平認定接收來的資料是資料還是指令。位址不一定是0x6c0007FE和6c000800，隻要是控制A10高低電平的位址都可以，也不一定要連續位址，可以分别定義0x6c0007FE和0x6c000800；使用了FSMC功能後，其它的位址線最好不再作為别的功能的IO使用，但是在不影響RS的電平的情況下靈活運用其他位址線還是有可能，比如我使A2輸出高電平，則可以使位址尋址0x6c000808，而必須保證此時的A10不會變化。。。