01、IGBT工作時序
如下為典型IGBT驅動時序展開波形：
T0-階段：門級電流Ig給Cge充電，此時Vge電壓小于門檻值電壓Vgeth，是以IGBT處于關斷狀态，Vce電壓維持在Vcc。
T1階段：當Vge電壓超過門檻值Vgeth時，IGBT進入開啟狀态，工作線上性區，Ic電流開始上升到負載電流Icload，而實際工作時，由于續流二極管的存在，其反向恢複電流會疊加到IGBT上，該電流上升會超過負載電流，在Vge達到米勒平台電壓前，Vce兩端電壓為Vcc，有源鉗位就是利用IGBT工作線上性區的原理來吸收回路當中多餘的能量，這個在TVS有源鉗位保護裡面有詳細的介紹。
T2階段：Vge維持在米勒平台電壓Vgepl，當續流二極管電流下降為零時，Vce開始急劇下降。
T3階段：Vce下降到飽和壓降Vcesat，此時驅動電流給Vgc電容充電，Vge維持在米勒平台。
T4階段：IGBT徹底導通，此時門級電流Ig給Cge充電直到設定的驅動電壓，驅動電流下降為零，側面反映了IGBT屬于電壓驅動型器件。
02、IGBT驅動算法
以IGBT為例，規格書通常會給出門極電荷Qg_int，門極輸入電容Cies，規格驅動楷體電壓Vgon_spec以及關斷電壓Vgoff_spec，内部驅動電阻Rg_int。以及通過選型設定外部電阻Rg_ext，實際工作驅動電壓Vgon_act、關斷電壓Vgoff_act與開關頻率fsw。
進而可以算出峰值驅動電流Igpk:
通過初始Qg_int、門極輸入電容Cies以及初始門極驅動電壓可折算出門極電容系數Kc:
通過門極電容系數可以反推回去實際驅動電壓下所需的門極電荷量Qg_act:
此時的平均工作電流Ig_av為電荷量與開關頻率fsw乘積:
驅動所需能量Eg_act為：
根據驅動能量與開關頻率可以得出所需的驅動電路功率Pg_act:
通過簡單的算式可以實際驅動電路所需的驅動功率與峰值電流，下圖為Littelfuse原IXYS低邊驅動IC，其中IXD_600系列峰值電流可以達到30A，可以用于大功率子產品以及多分立器件并聯的使用。
03、驅動線路過壓保護
由于線路串擾、感性與容性負載的存在，使得功率器件驅動與功率回路都會受到過壓導緻的損壞情況，主回路當中可以通過外接緩沖吸收回路，也可以通過門極串聯TVS來做有源鉗位的方式，門極通過并聯TVS的方式可以起到尖峰電壓吸收，參考電路圖如下。
門極保護通常會通過并聯TVS或者Zener管的方式來實作過壓保護，TVS最大優勢為其能承受更大的浪湧沖擊能力。TVS工作機理如下，為鉗位型器件，在浪湧過來後達到其擊穿電壓，二極管進入雪崩區域，此時吸收浪湧電流急劇增加，而電壓能鉗制在穩定範圍，進而起到良好的過壓保護效果。
04、非對稱驅動保護
通常情況下，IGBT與碳化矽MOSFET會涉及到正負驅動電壓不相等的情況，即非對稱驅動電壓，市面常用的做法為選用兩個TVS使用，即正電壓與負電壓獨立保護。