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https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s40820-023-01103-8.pdf?pdf=button
鈣钛礦晶面對其所對應的光伏器件的性能和穩定性影響很大。與(001)面相比，(011)面具有更好的光電性能，包括更高的電導率和增強的載流子遷移率。是以，實作(011)面曝光薄膜是改善器件性能的一種有前途的方法。然而，由于氯化胺添加劑的影響，在FAPbI3鈣钛礦中(011)晶面在能量上的生長是不利的。在這裡，使用1-丁基-4-甲基吡啶氯化([4MBP]Cl)來暴露(011)面。[4MBP]+陽離子選擇性地降低(011)面表面能，使(011)面生長。[4MBP]+陽離子使鈣钛礦核旋轉45°，使得(011)晶面沿面外方向堆疊。(011)面具有優異的電荷輸運特性，可以實作更好比對的能級對準。此外，[4MBP]Cl增加了離子遷移的活化能壘，抑制了鈣钛礦的分解。是以，基于(011)面曝光的小尺寸器件(0.06 cm2)和子產品(29.0 cm2)分别實作了25.24%和21.12%的功率轉換效率。
【摘要截圖】
【精選N圖】