最近在使用ED3的TLC Flash，在這裡對該類型的Flash TLC程式設計規則做一個記錄友善日後檢視
個人認為ED3的TLC程式設計規則相對于OBP來講會簡單許多，因為ED3的程式設計規則非常有規律，很容易掌握。ED3的每個WL頁數量是固定的，是以每個WL的程式設計規則基本上也都是固定的。
ED3在對行位址的定義上與OBP有着很大的差別：在TLC模式下，ED3的行位址代表的是WL位址。操作的頁是WL中的哪個頁，是通過指令前的Pre Cmd來确定的。
這裡表示的是TLC讀操作，在讀指令00h之前，通過發送01h/02h/03h來選擇具體要操作的頁。
ED3 TLC程式設計也遵循一個WL需要程式設計3次的規則，一次WL程式設計的指令序列如下
3個特殊指令，使用的規則如下
第一個指令 09h/0Dh/(空) 分别代表該WL是第幾次程式設計：第一次程式設計發09h、第二次程式設計發0Dh、第三次程式設計不發
第二個指令01h/02h/03h 對應的就是上面所描述的選擇目前WL當中的哪個頁
最後面确認程式設計的指令，隻有在目前操作的頁是這個WL的第三個頁的時候，才使用10h，其他倆個頁都使用1Ah
PS:關于2)的說明，目前來看78h指令主要用于多lun的nand flash，單lun的可以不用在意
ED3 在進行TLC程式設計的時候也需要遵循一個Order順序，在每次程式設計的時候，都需要對這一個WL上的三個頁都進行程式設計操作
下面根據這個Order順序舉一個TLC程式設計的栗子
假設目前操作的是Block_0，那麼首個WL行位址即為00 00 00，第二個WL行位址為01 00 00 …(該位址表示方式及後面的位址表示方式都根據實際操作時使用的小端資料模式)
首先根據Order順序，對WL0進行首次程式設計，本次程式設計指令序列為
09h - 01h- 80h - 00 00 00 00 00 - Data - 1Ah
09h - 02h- 80h - 00 00 00 00 00 - Data - 1Ah
09h - 03h- 80h - 00 00 00 00 00 - Data - 10h
下面開始Order1程式設計，此時需要程式設計WL1，指令序列為
09h - 01h- 80h - 00 00 01 00 00 - Data - 1Ah
09h - 02h- 80h - 00 00 01 00 00 - Data - 1Ah
09h - 03h- 80h - 00 00 01 00 00 - Data - 10h
根據Order順序，下一個要程式設計的WL回到了WL0，那麼這次是第二次對WL0進行程式設計，指令序列為
0Dh - 01h- 80h - 00 00 00 00 00 - Data - 1Ah
0Dh - 02h- 80h - 00 00 00 00 00 - Data - 1Ah
0Dh - 03h- 80h - 00 00 00 00 00 - Data - 10h
再下一個是Order3，對WL2進行首次程式設計，指令序列為
09h - 01h- 80h - 00 00 02 00 00 - Data - 1Ah
09h - 02h- 80h - 00 00 02 00 00 - Data - 1Ah
09h - 03h- 80h - 00 00 02 00 00 - Data - 10h
Order4指令序列
0Dh - 01h- 80h - 00 00 01 00 00 - Data - 1Ah
0Dh - 02h- 80h - 00 00 01 00 00 - Data - 1Ah
0Dh - 03h- 80h - 00 00 01 00 00 - Data - 10h
Order5指令序列，此時對WL0進行最後一次程式設計
01h - 80h- 00 00 00 00 00 - Data - 1Ah
02h - 80h- 00 00 00 00 00 - Data - 1Ah
03h - 80h- 00 00 00 00 00 - Data - 10h
到此為止，WL0的三個頁都已經程式設計完畢，資料可以被正常的讀出了。根據這樣的規律，就可以将整個Block的頁都進行程式設計。
注：以上截圖皆來自 1ynm 128Gb TLC Datasheet_Ver1.61_160609series