1. SDR/DDR
SDR(Single Data Rate): 讀寫資料使用上升沿或下降沿。
DDR(Double Data Rate)：寫資料時通過MCU來控制DQS信号跳變沿來觸發（即上升沿和下降沿均觸發）。
2. 同步/異步
Sync模式是指Flash操作時需要一個源時鐘來對鎖存信号進行同步，提高信号采集的準确性。
Async，即不需要時鐘信号來進行同步，資料通過WEN/REN來鎖存。DDR模式時，為了提升了信号的準确性，采用了差分信号。如上圖所示。
3. ONFI/Toggle
ONFI(Open Nand Flash Interface),由Hynix、Inter、Micron、Phison、Sony、Spansion于2006年共同建立的一個Nand Flash的接口标準。
Toggle，是Samsung和Toshiba以DDR為基礎制定的Flash接口标準，是為了對抗ONFI的标準。Toggle1.0對應DDR1,Toggle2.0對應DDR2。Toggle DDR NAND采用雙向DQS信号控制讀寫操作，信号的上升與下降沿都可以進行資料的傳輸，能使傳輸速度翻倍，接口帶寬為133MB/s，而且沒有内置同步時鐘發生器（即NAND還是異步設計），是以其功耗會比同步NAND更低。
4. 閃存的同步和異步
同步與異步閃存都是同一生産線上下來的，顆粒品質的優劣才産生了這樣的差別。