DFT : Design For Testability
TTR :Test Time Reduction
KGD: Known Good Die
NAND Flash 晶片測試主要是為了篩選（Screen Out）出Flash陣列、譯碼器、寄存器的失效。
測試流程（Test Flow）
從wafer level，到single component level、module level，定義各項測試的次序，篩選出性能較差和失效的device，需要盡可能達到最好的測試覆寫率，避免最後出貨的産品中有失效的産品，同時需要減少測試的時間與成本。
Burn-in測試
普遍來說，是為了了解産品的潛在失效分析而在一定條件下（高溫/高電壓/一定濕度）下加速晶片老化，以至于故障提前出現。這種測試側重在封裝相關層面，包括化學和機械等因素。
根據浴盆曲線，産品的早期失效率較高，中間階段比較穩定。為了讓使用者拿到的産品失效率較低，就要通過burn-in測試，剔除有缺陷的産品，讓出貨的産品在出廠前就度過早夭期。為了減少時間，需要進行加速，即在更惡劣的條件下試驗（高溫/高電壓/一定濕度），而且根據理論可以計算出不同條件下的加速因子，根據實際時間計算出等效的時間。
控制測試成本的一個重要方向是提高測試的并行度。
測試機台在測試一批産品時，必須等待所有産品都完成後，才能開始下一階段的測試。
減少測試時間，主要優化以下兩方面：
1. 寫讀擦時間
2. 資料導入和結果擷取
寫讀擦的時間由晶片特性決定，可以努力的方向在于如何同時對多個chip或block進行操作。
如果晶片可以自己生成測試資料，就可以節約資料輸入的時間，這點可以通過DFT實作。如果可以直接得到測試成功失敗的資訊，不需要将原始的資料傳輸到測試機上，也可以節約大量時間。
參考
Inside NAND Flash Memories