栅極接地的NMOS器件（GGNMOS）常用作ESD保護裝置。下圖所示給出了一種NMOS結構，該結構将栅極、源極、襯底接觸極短接可實作ESD保護器件功能。
該結構的I-V曲線：漏極與襯底二極管發生雪崩擊穿後，載流子的倍增效應将産生較大的電流，通過襯底電阻流到地。當電流繼續增大，襯底電阻上的壓降達到PN結門檻值電壓後，NMOS寄生BJT的BE結正偏導通。由于BJT對電流具有放大作用，隻需要雪崩少量的基極電流就可以通過BJT放大，形成對ESD電流的有效洩放通路。漏源間的電壓将會降低，呈現負阻。當電壓降到最低點（維持電壓）後， I-V曲線又呈現正電阻特性，這一段是ESD器件洩放ESD電流的主要工作區域。當電流繼續增加時，矽半導體内部溫度升高，晶格發生本征激發，出現二次擊穿，器件失效。
ESD電流動态洩放過程，電勢（pink）電流（black）