flash eeprom 的差別

筆記：

EEPROM以單位元組讀寫，FLASH部分晶片隻能以塊方式擦除(整片擦除),部分晶片可以單位元組寫入(程式設計),一般需要采用塊寫入方式；

FLASH比EEPROM讀寫速度更快，可靠性更高。但比單片機片内RAM的讀寫還要慢。

價格方面比較，FLASH應該要比EEPROM貴。

EEPROM即電可擦除可程式設計隻讀存儲器,它的突出優點是線上擦除和改寫.它既具有ROM的非易失性

的優點,又能像RAM一樣随機的讀寫.

一般來說flash是用來放程式的，可以稱之為程式存儲器

使用的時候，我們是把所編寫的程式燒錄到flash中去。

而EEPROM 是用來存放掉電後不希望丢失的資料的，可以了解為資料存儲器。

都能掉電儲存,制作工藝不一樣,在體積相等情況下FLASH的容量大。一般EEPROM能擦寫10萬次以上,而FLASH一般為1萬次以下，flash都是塊操作，容量很大很大，我現在用的是64M的，串行并行都有。