【IoT】CC254X 片上 flash 讀寫操作解析

在開發中，希望資料掉電不丢失，有兩種方法：

1）通過 I2C 或者 SPI 總線外接存儲，比如 E2PROM 或 FLASH；

2）操作片上 flash。

要想操作片上 flash，首先要搞清楚片上 flash 的存儲結構以及尋址方式。

例如：

CC2541F256 這個晶片，我們查一下技術手冊，介紹片上 flash 存儲組織結構的部分如下：

梳理如下：

1）内部 flash 由 page 組成，每一個頁有 2K=2048byte；

2）最小可擦除單元為一個 page；

3）最小可寫入單元為 32bit（一個 word）；

4）尋址位址大小為 16bit。

以上這些涵蓋了我們操作 flash 時必須的資訊。

CC2541F256一共有256KB的片上flash空間，那麼一共有256/2=128個page。

在寫入flash之前，我們通常會先對要寫入的區域進行擦除操作，由于最小可擦除單元為一個page，那麼我們隻需要定義好要擦除的頁即可，例如，我們把一個标志位flag寫入第120個page，這時可以直接調用HAL層的HAL_FLASH提供的操作API，HalFlashErase(0x78)。

擦除完畢後，我們需要在相應的位址寫入flag的值，那麼如何确定位址？可以通過page進行換算，120*2048為總的byte數，最小可寫入單元大小為32bit也就是4個byte，也就是說每個位址對應的是4個byte，是以120*2048/4=0xF000即第120頁的首位址。

讀寫參考代碼如下：

uint8 newValue[10];
uint8 newChar1[2];
......
HalFlashErase(0x78);
while( FCTL & 0x80 ); // wait for erase to complete
HalFlashWrite(0xF000,newValue,1);
HalFlashRead(0x78,0,newChar1,2);
           

refer:

https://blog.csdn.net/happytomyoung/article/details/48895217