crosslight仿真之(四)實體模型-4-遷移率

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1.目前内置電場遷移率模型

1.1常數遷移率

直接設定在mac檔案中寫：

模型的選擇，在mac中設定，如：

el_vel_model=constant
electron_mobility value=15.e-4      

1.2分段遷移率模型

臨界場強為F0，小于F0時遷移率為

μ​0​​​

大于F時遷移率為

μ​0​×F​0/F​​​

el_vel_model=2.piece      

1.3 Canali orbeta 模型

el_vel_model=beta

beta_n value=2
beta_p value=1      

1.4n.gaas 氮化镓器件的修正遷移率

一般常見于3，5族半導體材料，代表為gaas的電子，具有負的微分電阻。 這個開啟可以mac中搜尋n.gaas語句的用法，這個開啟後，設定遷移率為常數就不會生效了 el_vel_model=n.gaas

1.5 Poole-Frenkel模型

針對有機半導體

el_vel_model=poole_frenkel      

1.6 modified_transf_elec

在自定義mac中修改，隻用于電子,如:

el_vel_model=modified_transf_elec

beta_mte value=5.7      

1.7自定義方式

指令：user_defined_mobility

2.各向異性遷移率模型

在sol 檔案中設定：mobility_xy

3.摻雜遷移率模型

low_field_mobility_model 這個指令是針對摻雜，載流子散射，表面效果三種作用的綜合模型

3.1 doping依賴

Masetti

指令low_field_mobility_model+以下2種開頭的參數名，el_mase_，hole_mase_

Arora模型

指令low_field_mobility_model+以下2種開頭的參數名，el_ar_，hole_ar_

University of Bologna

指令low_field_mobility_model+以下2種開頭的參數名，el_uni_bolo_，hole_uni_bolo_

3.2 載流子散射

Conwell-Weisskopf

指令low_field_mobility_model+以下2種開頭的參數名，el_con_wei_，hole_con_wei_

Brooks-Herring

指令low_field_mobility_model+以下2種開頭的參數名，el_bro_her_，hole_bro_her_

3.3 Philips unified model

指令low_field_mobility_model+以下2種開頭的參數名，el_phili_，hole_phili_

3.4 表面遷移率退化

不要和mobility_xy一起使用

University of Bologna Inversion Layer

指令low_field_mobility_model+以下2種開頭的參數名，el_uni_boloinve_，hole_uni_boloinve_

Enhanced Lombardi

指令low_field_mobility_model+以下2種開頭的參數名，el_lombard_，hole_lombard_

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