從半導體功率器件的發展曆史看，大緻可以将其分為平面型（planar）和溝槽型（trench）兩種結構。
下圖所示為平面型MOSFET的典型結構，栅極處于晶圓表面。該結構是在20世紀70年代末被提出，并一直使用到現在。工藝上，先進行P-body的注入和退火,然後進行N+的注入和退火，通過控制橫向擴散的長度來形成溝道。該結構因為漏極在下面，并且采用雙擴散形式形成溝道，是以也叫VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）。當栅源電壓Vgs突破門檻值電壓後，MOSFET形成溝道進而電子可以按照圖中虛線箭頭的路線行進進而形成電流。目前的主流産品是平面型結構。
該工藝好比我們小時候的土屋，幾乎不需要挖地基純 平面架構。
在20世紀80年代末期，随着溝槽刻蝕技術的發展，溝槽型MOSFET被提出來，該結構很大程度上降低了導通電阻。下圖所示為溝槽型MOSFET，将栅極埋入晶圓内。栅極通過溝槽刻蝕，沉積多晶矽來實作。溝道由橫向變成了豎向。由于栅極是插入到矽片裡面，不會存在P-N-P的JFET結構，并且在栅極下面與N型漂移層接觸的地方所産生的積累層電阻非常小。
該工藝就好比我們農村的樓房，需要挖地基到一定深度，同樣的使用面積所需要的地皮少，相比平面工藝，成本略低， 同電壓平台，内阻略小，電流大，輸出能力強，反之抗沖擊能力也更弱，速度與力量的結合。
SiC MOS是電動汽車制造商未來必須考慮的核心零元件，目前也是分為兩種結構，即Planar和Trench，主要供應商和特點如下：
| 工藝 | Planar of SiC MOS | Trench of SiC MOS |
| 公司 | onsemi、ST、Cree、Wolfspeed等 | Infineon、Rohm、BOSCH |
| 特點 | 1.成熟工藝，還有提升的空間； 2.die size大，可靠性好，熱阻好； 3.開通門限相對低，約1~2V，負壓驅動可防止誤導通； 4.-5V驅動長期老化沒問題； 5.Vgs能高，Rdson能有效降低； | 1.die size小，寄生參數小； 2.Vgs_th相對高，要0V驅動； 3.門極易受幹擾，門極有負壓的話，驅動可能會漂移。 |