先進的半導體能否減少足夠的溫室氣體排放，進而在遏制氣候變化的鬥争中發揮作用？答案是肯定的。這樣的改變實際上正在有條不紊地進行着。
從2001年左右開始，化合物半導體氮化镓引發了一場照明革命，從某些方面來看，這是人類曆史上最快的技術變革。根據國際能源署的一項研究，在短短二十年内，基于氮化镓的發光二極管在全球照明市場中的份額已從零增長到超過50%。研究公司 Mordor Intelligence 最近預測，在全球範圍内，LED 照明将在未來七年内将照明用電量減少30%至40%。根據聯合國環境規劃署的資料 ，在全球範圍内，照明約占用電量的20%和二氧化碳排放量的6% 。
每個晶圓都包含數百個最先進的功率半導體
這場革命遠未結束。确實，它即将躍升至更高的層次。改變了照明行業的半導體技術氮化镓 (GaN) 也是電力電子革命的一部分，這場革命正在蓄勢待發。因為化合物半導體中的一種——碳化矽 (SiC)——已經開始在巨大而重要的電力電子領域取代矽基電子産品。
GaN和SiC器件比它們正在替代的矽元件性能更好、效率更高。全世界有數以億計的此類裝置，其中許多每天運作數小時，是以節省的能源将是巨大的。與GaN LED取代白熾燈和其他傳統照明相比，GaN和SiC電力電子産品的興起最終将對地球氣候産生更大的積極影響。
幾乎所有必須将交流電轉換為直流電或将直流電轉換為直流電的地方，浪費的功率都會減少。這種轉換發生在手機或筆記本電腦的壁式充電器、為電動汽車供電的更大的充電器和逆變器以及其他地方。随着其他矽據點也落入新半導體，将會有類似的節省。無線基站放大器是不斷增長的應用之一，這些新興半導體在這些應用中顯然具有優勢。在減緩氣候變化的努力中，消除功耗浪費是唾手可得的成果，而這些半導體正是我們收獲它的方式。
這是技術史上常見模式的新執行個體：兩項互相競争的創新同時取得成果。這一切将如何擺脫？SiC将在哪些應用領域占據主導地位，而GaN将在哪些領域占據主導地位？認真審視這兩種半導體的相對優勢可以為我們提供一些可靠的線索。
為什麼電力轉換在氣候計算中很重要
在我們了解半導體本身之前，讓我們首先考慮一下我們為什麼需要它們。首先：電源轉換無處不在。它遠遠超出了為我們的智能手機、平闆電腦、筆記本電腦和無數其他小工具供電的小型壁式充電器。
電力轉換是将電力從可用形式轉變為産品執行其功能所需形式的過程。在這種轉換中總會損失一些能量，并且由于其中一些産品持續運作，是以可以節省大量能源。回想一下：盡管加州的經濟産出猛增，但自1980年以來，該州的電力消耗基本持平。需求保持平穩的最重要原因之一是冰箱和空調的效率在此期間大幅提高。這一改進中最重要的一個因素是使用基于絕緣栅雙極半導體(IGBT) 和其他電力電子裝置的變速驅動器，進而大大提高了效率。
氮化镓和碳化矽：它們的競争領域
在高壓功率半導體市場，氮化镓器件在400伏左右以下的應用中占據主導地位，而碳化矽現在在800伏及以上的應用中具有優勢（2000伏左右以上的市場相對較小）。随着GaN器件的改進，400至1,000V之間的重要戰場格局将發生變化。例如，随着1,200V GaN半導體的推出（預計在2025年推出），電動汽車逆變器這個最重要的市場将加入這場戰鬥。
SiC和GaN将大大減少排放。根據2007年創立的GaN器件公司Transphorm對公開資料的分析，到2041年，僅基于GaN的技術就可以在美國和印度減少超過10億噸的溫室氣體排放。資料來自國際能源署、Statista 和其他來源。相同的分析表明可節省1,400太瓦時的能源，即兩國當年預計能源消耗的10%至15%。
寬帶隙的優勢
與普通半導體一樣，功率半導體可以充當放大裝置或開關。放大作用的一個重要例子是無線基站，它放大信号以傳輸到智能手機。在全世界，用于制造這些放大器中的半導體的半導體正在從稱為橫向擴散金屬氧化物半導體 (LDMOS) 的矽技術轉向 GaN。新技術具有許多優勢，包括能效提高 10%或更多取決于頻率。另一方面，在功率轉換應用中，半導體充當開關而不是放大器。标準技術稱為脈寬調制。例如，在常見類型的電機控制器中，直流電脈沖被饋送到安裝在電機轉子上的線圈。這些脈沖建立了一個磁場，該磁場與電機定子的磁場互相作用，進而使轉子旋轉。這種旋轉的速度是通過改變脈沖的長度來控制的：這些脈沖的圖形是一個方波，脈沖“開”而不是“關”的時間越長，電機提供的轉速和扭矩就越大。功率半導體完成開關。
脈寬調制也用于開關電源，這是最常見的電源轉換示例之一。開關電源是為幾乎所有以直流電運作的個人電腦、移動裝置和電器供電的類型。基本上，輸入的交流電壓被轉換為直流，然後該直流被“斬波”為高頻交流方波。這種斬波是由功率半導體完成的，它通過打開和關閉直流電來産生方波。方波被施加到變壓器，變壓器改變波的幅度以産生所需的輸出電壓。為了獲得穩定的直流輸出，來自變壓器的電壓經過整流和濾波。
這裡的重點是，功率半導體的特性幾乎完全決定了電路執行脈寬調制的能力，是以也決定了控制器調節電壓的效率。理想的功率半導體在處于關斷狀态時會完全阻斷電流，即使在施加的電壓很高時也是如此。這種特性稱為高電擊穿場強，它表示半導體能夠承受多大的電壓。另一方面，當它處于導通狀态時，這種理想半導體對電流的流動阻力非常小。這一特征源于半導體晶格内電荷（電子和空穴）的非常高的遷移率。将擊穿場強和電荷遷移率視為功率半導體的陰陽。
與它們所取代的矽半導體相比，GaN和SiC更接近這一理想狀态。首先，考慮擊穿場強。GaN和SiC都屬于寬帶隙半導體。半導體的帶隙定義為半導體晶格中的電子從價帶躍遷到導帶所需的能量，以電子伏特為機關。價帶中的電子參與晶格内原子的鍵合，而導帶中的電子可以在晶格中自由移動并導電。
在具有寬帶隙的半導體中，原子之間的鍵很強，是以材料通常能夠在鍵斷裂之前承受相對較高的電壓，據說半導體會損壞。與GaN的3.40eV相比，矽的帶隙為1.12電子伏特。對于最常見的SiC類型，帶隙為3.26eV。[見下表，“Bandgap Menagerie”]
運作速度和阻斷高壓的能力是功率半導體的兩個最重要的特性。這兩種品質又由用于制造半導體的半導體材料的關鍵實體參數決定。速度取決于半導體中電荷的遷移率和速度，而電壓阻斷則取決于材料的帶隙和電擊穿場。
現在讓我們看看遷移率，它以平方厘米/伏秒 (cm²/V·s)為機關。遷移率和電場的乘積産生電子的速度，速度越高，對于給定數量的移動電荷，攜帶的電流就越大。對于矽，這個數字是1,450；對于SiC，它約為950；對于GaN，約為2,000。GaN異常高的價值是它不僅可以用于功率轉換應用，還可以用于微波放大器的原因。GaN半導體可以放大頻率高達100GHz 的信号——遠高于通常被認為是矽LDMOS最大值的3至4GHz。作為參考，5G 的毫米波頻率最高可達52.6GHz。這個最高5G頻段尚未廣泛使用，但是，高達75GHz的頻率正在部署在dish to dish通信中，研究人員現在正在使用高達140GHz 的頻率進行室内通信。對帶寬的需求是無法滿足的。
這些性能資料很重要，但它們并不是針對任何特定應用比較 GaN 和 SiC 的唯一标準。其他關鍵因素包括裝置及其內建系統的易用性和成本。總而言之，這些因素解釋了這些半導體中的每一種在何處以及為何開始取代矽——以及它們未來的競争可能如何擺脫困境。
SiC 在當今的功率轉換領域領先GaN
Cree（現為 Wolfspeed）于2011 年推出了第一個商業上可行的優于矽的 SiC 半導體。它可以阻擋 1,200 伏特，并且在傳導電流時具有80毫歐姆的相當低的電阻。目前市場上存在三種不同類型的SiC半導體。Rohm有一個溝槽MOSFET（金屬氧化物半導體場效應半導體）；Infineon Technologies、ON Semiconductor Corp.、STMicroelectronics、Wolfspeed等的 DMOS（雙擴散MOS）；以及Qorvo的垂直結場效應半導體。
SiC MOSFET的一大優勢是它們與傳統矽 MOSFET 的相似性——甚至封裝也是相同的。SiC MOSFET 的工作方式與普通矽 MOSFET 基本相同。有源極、栅極和漏極。當器件開啟時，電子從重摻雜的 n型源流過輕摻雜的體區，然後通過導電基闆“排出”。這種相似性意味着工程師轉向 SiC 的學習曲線很小。
與GaN相比，SiC具有其他優勢。SiC MOSFET 本質上是“fail-open”器件，這意味着如果控制電路因任何原因發生故障，半導體将停止傳導電流。這是一個重要的特性，因為這個特性在很大程度上消除了故障可能導緻短路和火災或爆炸的可能性。（然而，為此功能付出的代價是較低的電子遷移率，這會增加裝置開啟時的電阻。）
但是 GaN 正在獲得新關注
GaN帶來了自己獨特的優勢。該半導體于2000年首次在發光二極管和半導體雷射器市場上實作商業化。它是第一個能夠可靠地發出明亮的綠色、藍色、紫色和紫外光的半導體。但早在光電子學取得商業突破之前，研究人員就已經證明了GaN在高功率電子領域的前景。GaN LED迅速流行起來，因為它們填補了高效照明的空白。但用于電子産品的GaN必須證明自己優于現有技術：特别是英飛淩用于電力電子産品的矽CoolMOS半導體，以及用于射頻電子産品的矽 LDMOS 和砷化镓半導體。
GaN的主要優勢是其極高的電子遷移率。電流，電荷的流動，等于電荷的濃度乘以它們的速度。是以，由于高濃度或高速度或兩者的某種組合，您可以獲得高電流。GaN半導體是不尋常的，因為流過該器件的大部分電流是由于電子速度而不是電荷濃度。這在實踐中意味着，與Si或SiC相比，更少的電荷必須流入裝置以将其打開或關閉。這反過來又減少了每個開關周期所需的能量并有助于提高效率。
兩種主要類型的氮化镓半導體之一稱為增強型器件。它使用一個工作在6伏左右的栅極控制電路來控制主開關電路，當控制電路關閉時，它可以阻斷600伏或更高的電壓。當器件開啟時（當栅極施加6V電壓時），電子在稱為二維電子氣的平坦區域中從漏極流向源極。在這個區域，電子極易移動——這是一個有助于實作非常高開關速度的因素——并且被限制在氮化鋁镓屏障之下。當裝置關閉時，栅極下方的區域會耗盡電子，進而斷開栅極下方的電路并停止電流流動。
同時，GaN的高電子遷移率允許開關速度達到每納秒50伏。該特性意味着基于GaN半導體的功率轉換器可以在數百千赫茲的頻率下高效運作，而矽或SiC的功率轉換器的頻率約為100千赫茲。
總的來說，高效率和高頻使得基于GaN器件的功率轉換器非常小和輕：高效率意味着更小的散熱器，而在高頻下運作意味着電感器和電容器也可以非常小。
GaN半導體的一個缺點是它們還沒有可靠的絕緣體技術。這使故障安全裝置的設計變得複雜。換句話說，如果控制電路發生故障，則故障打開。
有兩種選擇可以實作這種常閉特性。一種方法是為半導體配備一種栅極，當沒有電壓施加到栅極時，該栅極會去除溝道中的電荷，并且僅在向該栅極施加正電壓時才傳導電流。這些稱為增強模式裝置。例如，它們由EPC、GaN Systems、Infineon、Innoscience和Navitas提供 。[參見插圖，“增強型-模式GaN半導體”]
另一個選項稱為共源共栅解決方案。它使用獨立的低損耗矽場效應半導體為GaN半導體提供故障安全功能。Power Integrations、Texas Instruments和Transphorm使用了這種共源共栅解決方案 。[參見插圖，“級聯耗盡型 GaN 半導體”]
為了安全起見，當功率半導體的控制電路發生故障時，它必須失效進入開路狀态，沒有電流流動。這對氮化镓器件來說是一個挑戰，因為它們缺乏在高壓阻斷狀态和載流狀态下都可靠的栅極絕緣體材料。一種稱為級聯耗盡模式的解決方案使用矽場效應半導體 (FET) 上的低電壓信号來控制氮化镓高電子遷移率半導體上的大得多的電壓 [右上]。如果控制電路出現故障，FET栅極上的電壓将降至零，并且停止傳導電流 [左上圖]。随着FET不再傳導電流，氮化镓半導體也停止傳導，因為組合器件的漏極和源極之間不再存在閉合電路。
如果不考慮成本，任何半導體比較都是不完整的。一個粗略的經驗法則是——die尺寸越小意味着成本越低，die尺寸是包含器件的內建電路的實體面積。
SiC器件現在通常具有比GaN器件更小的晶片。然而，SiC的襯底和制造成本高于GaN，而且一般來說，5千瓦及更高功率應用的最終器件成本如今相差無幾。不過，未來的趨勢可能有利于GaN。我的這種信念是基于GaN器件的相對簡單性，這意味着生産成本低到足以克服更大的裸片尺寸。
也就是說，要使GaN适用于許多也需要高電壓的大功率應用，它必須具有額定電壓為1,200V的經濟高效的高性能器件。畢竟，在該電壓下已經有可用的SiC半導體。目前，最接近商用的GaN半導體的額定電壓為900V。最近,Transphorm還展示了在藍寶石襯底上制造的1,200-V器件，其電氣和熱性能均與SiC器件相當。
研究公司Omdia對1,200-V SiC MOSFET的預測顯示2025年的價格為每安培16美分。據筆者估計，由于GaN襯底的成本較低，2025年第一代1,200-V GaN半導體的價格将低于他們的SiC同行。當然，這隻是我的意見；我們都确切地知道這将在幾年内發生什麼變化。
GaN 與 SiC的競争
考慮到這些相對優勢和劣勢，讓我們逐一考慮各個應用程式，并闡明事情可能如何發展。
電動汽車逆變器和轉換器
特斯拉在2017年為其Model 3的車載或牽引逆變器采用SiC，這是該半導體的早期重大勝利。在電動汽車中，牽引逆變器将電池的直流電轉換為電機的交流電。逆變器還通過改變交流電的頻率來控制電機的速度。據新聞報道，如今，梅賽德斯-奔馳和Lucid Motors也在其逆變器中使用SiC，其他電動汽車制造商也計劃在即将推出的車型中使用SiC。SiC器件由Infineon、OnSemi、Rohm、Wolfspeed等供應。EV牽引逆變器的功率範圍通常從小型EV的約35kW到100kW到大型車輛的約400kW。
然而，将這場競賽稱為SiC還為時過早。正如我所指出的，要打入這個市場，GaN供應商必須提供1,200-V的器件。電動汽車電氣系統現在通常僅在400伏電壓下運作，但保時捷Taycan擁有800伏系統，奧迪、現代和起亞的電動汽車也是如此。預計其他汽車制造商将在未來幾年效仿。（Lucid Air有一個 900-V系統。）我希望在2025年看到第一個商用1,200-V GaN半導體。這些裝置不僅将用于車輛，還将用于高速公共EV充電器。
GaN可能實作的更高開關速度将成為EV逆變器的一個強大優勢，因為這些開關采用了所謂的硬開關技術。在這裡，提高性能的方法是非常快速地從打開切換到關閉，以最大限度地減少裝置保持高電壓 和通過高電流的時間。
除逆變器外，電動汽車通常還配備車載充電器，可通過将交流電轉換為直流電，利用壁（市電）電流為車輛充電。在這裡，GaN再次非常有吸引力，原因與使其成為逆變器的理想選擇的原因相同。
電網應用
至少在未來十年内，用于額定電壓為3kV或更高的裝置的超高壓電源轉換仍将是SiC的領域。這些應用包括有助于穩定電網、将交流電轉換為直流電并在傳輸級電壓下再次轉換回來的系統，以及其他用途。
手機、平闆電腦和筆記本電腦充電器
從2019年開始，GaN Systems、Innoscience、Navitas、Power Integrations和Transphorm等公司開始銷售基于GaN的壁式充電器。
GaN的高開關速度及其普遍較低的成本使其成為低功率市場（25至500W）的主導者，在這些市場中，這些因素以及小尺寸和穩健的供應鍊至關重要。這些早期的GaN功率轉換器具有高達300kHz的開關頻率和超過92%的效率。他們創造了功率密度記錄，數字高達每立方英寸30W（1.83W/cmm³）——大約是他們正在更換的矽基充電器密度的兩倍。
自動化探針系統施加高壓以對晶圓上的功率半導體進行壓力測試。自動化系統可在幾分鐘内測試大約500個裸片中的每一個。
太陽能微型逆變器
近年來，太陽能發電在電網規模和分布式（家庭）應用中都取得了成功。對于每個安裝，都需要一個逆變器将太陽能電池闆的直流電轉換為交流電，為家庭供電或将電能釋放到電網。今天，電網規模的光伏逆變器是矽 IGBT和SiC MOSFET的領域。但GaN将開始進軍分布式太陽能市場，尤其是。
傳統上，在這些分布式安裝中，所有太陽能電池闆都有一個逆變器箱。但越來越多的安裝人員更喜歡這樣的系統，其中每個面闆都有一個單獨的微型逆變器，并且在為房屋供電或為電網供電之前将交流電組合起來。這樣的設定意味着系統可以監控每個面闆的操作，以優化整個陣列的性能。
微型逆變器或傳統逆變器系統對現代資料中心至關重要。再加上電池，他們創造了一個不間斷的電源，以防止停電。此外，所有資料中心都使用功率因數校正電路，調整電源的交流波形以提高效率并消除可能損壞裝置的特性。對于這些，GaN提供了一種低損耗且經濟的解決方案，正在慢慢取代矽。
5G和6G基站
GaN的卓越速度和高功率密度将使其能夠赢得并最終主導微波領域的應用，尤其是5G和6G無線以及商業和軍用雷達。這裡的主要競争是矽LDMOS器件陣列，它們更便宜但性能較低。事實上，GaN在4GHz及以上的頻率上沒有真正的競争對手。
對于5G和6G無線，關鍵參數是帶寬，因為它決定了硬體可以有效傳輸多少資訊。下一代5G系統将擁有近1GHz的帶寬，可實作超快的視訊和其他應用。
使用絕緣體上矽技術的微波通信系統提供了一種使用高頻矽器件的5G+解決方案，其中每個器件的低輸出功率都通過大量陣列來克服。GaN和矽将在這個領域共存一段時間。特定應用程式的赢家将取決于系統架構、成本和性能之間的權衡。
雷達
美國軍方正在部署許多基于GaN電子裝置的地面雷達系統。其中包括由 Northrup-Grumman 為美國海軍陸戰隊建造的地面/空中任務導向雷達和有源電子掃描陣列雷達。雷神公司的SPY6雷達已傳遞給美國海軍，并于2022年12月進行了首次海上測試。該系統大大擴充了艦載雷達的範圍和靈敏度。
寬帶隙之戰才剛剛開始
如今，SiC在EV逆變器中占據主導地位，而且通常在電壓阻斷能力和功率處理能力至關重要且頻率較低的地方。GaN是高頻性能至關重要的首選技術，例如5G和6G基站，以及雷達和高頻功率轉換應用，例如牆上插頭擴充卡、微型逆變器和電源。
但GaN和SiC之間的拉鋸戰才剛剛開始。無論競争如何，一個應用一個應用，一個市場一個市場，我們可以肯定地說，地球環境将成為赢家。随着這一技術更新和複興的新周期勢不可擋地向前發展，未來幾年将避免數十億噸溫室氣體排放。